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Casa > produtos > microplaquetas eletrônicas do CI > Transistor do MOSFET do N-canal do INTERRUPTOR do módulo PDP do Mosfet do poder de IRFB4229PBF

Transistor do MOSFET do N-canal do INTERRUPTOR do módulo PDP do Mosfet do poder de IRFB4229PBF

Transistor do MOSFET do N-canal do INTERRUPTOR do módulo PDP do Mosfet do poder de IRFB4229PBF
Transistor do MOSFET do N-canal do INTERRUPTOR do módulo PDP do Mosfet do poder de IRFB4229PBF
fabricante:
Fabricante
Descrição:
N-Channel 250 V 46A (Tc) 330W (Tc) Through Hole TO-220AB
Categoria:
microplaquetas eletrônicas do CI
Preço:
Negotiate
Método do pagamento:
T/T, Western Union, Paypal
Especificações
Gate-to-Source Voltage:
±30 V
Pulsed Drain Current:
180 A
Repetitive Peak Current:
91 A
Linear Derating Factor:
2.2 W/°C
Operating Junction and Storage Temperature:
-40 to + 175°C
Soldering Temperature for 10 seconds:
300°C
Destaque:

power mosfet ic

,

silicon power transistors

Introdução

INTERRUPTOR IRFB4229PbF de PDP

???????

Características?

• Tecnologia de processamento avançada?

• Os parâmetros chaves aperfeiçoados para PDP sustentam, recuperação de energia e aplicações do interruptor da passagem?

• A baixa avaliação de EPULSE para reduzir a dissipação de poder em PDP sustenta,

Aplicações do interruptor da recuperação e da passagem de energia?

• Baixo QG para a resposta rápida?

• Capacidade repetitiva alta da corrente de pico para a operação segura?

• Queda curto & tempos de elevação para o interruptor rápido?

• temperatura de junção 175°C de funcionamento para a aspereza melhorada?

• Capacidade repetitiva da avalancha para o vigor e a confiança

Parâmetros chaves

Minuto de VDS 250 V
Tipo de VDS (avalancha). 300 V
Tipo do RDS (SOBRE). @ 10V 38 mΩ
IRP máximo @ TC = 100°C 91
TJ máximo 175 °C

Descrição???

Este MOSFET do poder de HEXFET® é projetado especificamente para Sustain; Aplicações do interruptor da recuperação & da passagem de energia nos painéis de exposição do plasma. Este MOSFET utiliza as técnicas de processamento as mais atrasadas para conseguir a baixa em-resistência pela área do silicone e a baixa avaliação de EPULSE. As características adicionais deste MOSFET estão a uma temperatura de junção 175°C de funcionamento e capacidade repetitiva alta da corrente de pico. Estas características combinam para fazer a este MOSFET um dispositivo altamente eficiente, robusto e seguro para PDP que conduz aplicações.

Avaliações máximas absolutas

Parâmetro Máximo. Unidades
VGS Tensão da Porta-à-fonte ±30 V
Identificação @ TC = 25°C Corrente contínua do dreno, VGS @ 10V 46
Identificação @ TC = 100°C Corrente contínua do dreno, VGS @ 10V 33
IDM Corrente pulsada do dreno 180
IRP @ TC = 100°C Corrente máxima repetitiva? 91
Paládio @TC = 25°C Dissipação de poder 330 W
Paládio @TC = 100°C Dissipação de poder 190 W
Fator Derating linear 2,2 W/°C
TJ TSTG Variação da temperatura de funcionamento da junção e do armazenamento -40 + a 175 °C
Temperatura de solda por 10 segundos 300 °C
Montando o torque, o 6-32 ou o parafuso M3 10lbin (1.1Nm) N

Oferta conservada em estoque (venda quente)

Número da peça. Quantidade Tipo D/C Pacote
HIP4080AIBZT 3925 INTERSIL 15+ CONCESSÃO
TNY266PN 3970 PODER 16+ DIP7
LM7912CT 3990 NS 16+ TO-220
HCNW4503 3991 AVAGO 14+ SOP8DIP8
ICL7650SCBA 3996 INTERSIL 14+ SOP-8
LM2575HVT-ADJ 3997 NS 14+ TO-220
MUR3020PT 3997 EM 16+ TO-3P
IRFR5305 3998 IR 16+ TO-252
MJ802 3998 EM 13+ TO-3
LBAT54XV2T1G 3999 EM 15+ SOD-523
VN10LFTA 3999 ZETEX 16+ SOT23
1N5341B 4000 EM 16+ CASE17
1N5343B 4000 EM 14+ DO-02
2SC2383 4000 TOSHIBA 14+ TO-92
2SC3807 4000 SANYO 14+ TO-126
2SK170BL 4000 TOSHIBA 16+ TO-92
74HC174D 4000 16+ SOP-16
74LVC245AD 4000 13+ CONCESSÃO
AD8572ARZ 4000 ANÚNCIO 15+ SOP8
AT24C512C-SSHD-T 4000 ATEML 16+ SOP8
BCV48 4000 16+ SOT-89
BD137 4000 ST 14+ TO-126
BTS721L1 4000 14+ SOP-20
CD4027BE 4000 SI 14+ MERGULHO
CPC1017N 4000 CLARE 16+ SOP4
IRF7307 4000 IR 16+ SOP8
IRFR210 4000 IR 13+ SOT-252
LT1963AEST-3.3 4000 LT 15+ SOT-223
MIC4424BN 4000 MICREL 16+ DIP8
MICROSMD050F-2 4000 TYCO 16+ SMD

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