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Casa > produtos > microplaquetas eletrônicas do CI > MOSFET elétrico do poder do transistor CI HEXFET do Mosfet do poder de IRFZ34NPBF

MOSFET elétrico do poder do transistor CI HEXFET do Mosfet do poder de IRFZ34NPBF

MOSFET elétrico do poder do transistor CI HEXFET do Mosfet do poder de IRFZ34NPBF
MOSFET elétrico do poder do transistor CI HEXFET do Mosfet do poder de IRFZ34NPBF
fabricante:
Fabricante
Descrição:
N-Channel 55 V 29A (Tc) 68W (Tc) Through Hole TO-220AB
Categoria:
microplaquetas eletrônicas do CI
Preço:
Negotiate
Método do pagamento:
T/T, Western Union, Paypal
Especificações
Pulsed Drain Current:
100 A
Power Dissipation:
68 W
Linear Derating Factor:
0.45 W/°C
Gate-to-Source Voltage:
± 20 V
Single Pulse Avalanche Energy:
65 mJ
Avalanche Current:
16 A
Destaque:

power mosfet ic

,

multi emitter transistor

Introdução

IRFZ34NPbF

MOSFET do poder de HEXFET®

? • Processo avançado

? • Tecnologia? Em-resistência ultra baixa?

? • Avaliação dinâmica de dv/dt?

? • temperatura de funcionamento 175°C?

? • Interruptor rápido?

? • Facilidade da paralelização

? • Sem chumbo

Descrição

A quinta geração HEXFETs do retificador internacional utiliza técnicas de processamento avançadas para conseguir a mais baixa em-resistência possível pela área do silicone. Este benefício, combinado com a velocidade de comutação rápida e o projeto ruggedized do dispositivo que os MOSFETs do poder de HEXFET são conhecidos para, fornece o desenhista um dispositivo extremamente eficiente para o uso em uma grande variedade de aplicações.

O pacote TO-220 é preferido universalmente para todas as aplicações comercial-industriais a níveis da dissipação de poder a aproximadamente 50 watts. A baixa resistência térmica e o baixo custo do pacote do TO-220 contribuem a sua aceitação larga durante todo a indústria.

Avaliações máximas absolutas

Parâmetro Máximo. Unidades
Identificação @ TC = 25°C Corrente contínua do dreno, VGS @ 10V 29
Identificação @ TC = 100°C Corrente contínua do dreno, VGS @ 10V 20
IDM Corrente pulsada do dreno 100
Paládio @TC = 25°C Dissipação de poder 68 W
Fator Derating linear 0,45 W/°C
VGS Tensão da Porta-à-fonte ± 20 V
EAS Única energia da avalancha do pulso 65 mJ
IAR Corrente da avalancha 16
ORELHA Energia repetitiva da avalancha 6,8 mJ
dv/dt Recuperação máxima dv/dt do diodo? 5,0 V/ns
TJ TSTG Variação da temperatura de funcionamento da junção e do armazenamento -55 + a 175 °C
Temperatura de solda, por 10 segundos 300 (1.6mm do caso) °C
Montando o torque, o 6-32 ou o srew M3 10 lbf•em (1.1N•m)

Oferta conservada em estoque (venda quente)

Número da peça. Quantidade Tipo D/C Pacote
MAX705EPA 4111 MÁXIMA 16+ MERGULHO
VIPER28LN 4111 ST 16+ DIP-7
ULN2003AN 4112 SI 13+ DIP16
CPC5710NTR 4120 CLAREC 15+ SOP8
IS62WV5128BLL-55HLI 4120 ISSI 16+ TSOP
SUD25N06-45L 4120 VISHAY 16+ TO-252
TLP281-4 4120 TOSHIBA 14+ SOP-16
NCP1117 4125 EM 14+ SOT-223
ULN2803 4178 TOS 14+ MERGULHO
1N4007 40000 MIC 16+ DO-41
A03400A 4200 AOS 16+ SOT-23
AP85T03GH 4200 APEC 13+ TO-252
BCX51-10 4200 15+ SOT-89
BT139X-600E 4200 16+ TO-220F
HD74LS151P 4200 BATA 16+ MERGULHO
IRF9Z24NPBF 4200 IR 14+ TO-220
LM5007MM 4200 NS 14+ MSOP8
MC74VHC1GT32DFT1G 4200 EM 14+ SC70-5
MCIMX515DJM8C 4200 FREESCALE 16+ BGA
MSP430F2232IDAR 4200 SI 16+ TSSOP38
NC7S04M5X 4200 FAIRCHILD 13+ SOT-153
SB360 4200 VISHAY 15+ DO-201AD
SC16C554BIB64 4200 16+ QFP
SN74LVC1G32DBVR 4200 SI 16+ SOT-153
SS34 4200 VISHAY 14+ SMA
TPS61221DCKR 4200 SI 14+ SC70-6
EP3C10E144C8N 4210 ALTERA 14+ TQFP
TLP161G 4210 TOSHIBA 16+ SOP4
GP1A52HRJ00F 4211 AFIADO 16+ MERGULHO
HCF4556BE 4211 STM 13+ DIP-16

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