Transistor de poder superior 25A de Pin Transistor BD249C-S NPN do original 3 125W
multi emitter transistor
,silicon power transistors
Transistor de poder superior 25A de Pin Transistor BD249C NPN do original 3 125W
Transistor NPN BD249C de NPN High−Power
os transistor do high−power são para o amplificador de potência do general−purpose e aplicações de comutação.
Características
• Avaliações do ESD: Modelo de máquina, C; > modelo do corpo humano de 400 V, 3B; > 8000 V
• A cola Epoxy encontra UL 94 V−0 @ 0,125
• O pacote de Pb−Free é Available*
AVALIAÇÕES MÁXIMAS
| Avaliação | Símbolo | Valor | Unidade |
| Tensão do emissor do − do coletor | Vceo | 100 | VDC |
| Tensão baixa do − do coletor | Vcbo | 100 | VDC |
| Tensão baixa do − do emissor | Vebo | 5,0 | VDC |
| Pico contínuo do − da corrente de coletor (nota 1) | CI |
25 40 |
CAD Apk |
| − atual baixo contínuo | Ib | 5,0 | CAD |
| A dissipação total do dispositivo @ TC = 25°C Derate acima de 25°C | Paládio |
125 1,0 |
W W/°C |
| Variação da temperatura da junção do funcionamento e do armazenamento |
TJ, Tstg |
– 65 a +150 | °C |
| Carga indutiva Unclamped | Esb | 90 | mJ |
CARACTERÍSTICAS TÉRMICAS
| Característica | Símbolo | Máximo | Unidade |
|
Resistência térmica, Junction−to−Case |
RøJC | 1,0 | °C/W |
|
Resistência térmica, Junction−to−Ambient |
RøJA | 35,7 | °C/W |
Os esforços que excedem avaliações máximas podem danificar o dispositivo.
As avaliações máximas são avaliações do esforço somente. Operação funcional
acima das condições operacionais recomendadas não é implicado.
Exposição prolongada aos esforços acima do recomendado
As condições operacionais podem afetar a confiança do dispositivo. 1. pulso
Teste: Largura de pulso 300 s, ciclo de dever 2,0%. *
0402 filme grosso Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT
200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A para a linha elétrica TDK SMD0603
filme SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC de 22R 5%
Varistor SMD azul Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuito através do disco 20mm do furo
Do silicone de uso geral do diodo de retificador de 2SB1261-TP 10W transistor planar Epitaxial de Pnp
Mosfet polar Hiperfet TO264 300V 140A do poder de IXFK140N30P
DF2B29FU, diodos da proteção das tevês 24VWM 47V ESD de H3F
Retificador MEGA SOD123 da barreira de PMEG6010ER 1A baixo VF Schottky
Os diodos de retificador da barreira de SK34SMA 3A SMD Schottky FAZEM - 214AC