O Mosfet IC IRF1404PBF do poder da trincheira avançou a Em-resistência ultra baixa
npn smd transistor
,silicon power transistors
O Mosfet IC IRF1404PBF do poder da trincheira avançou a Em-resistência ultra baixa
Descrição
Os sétimos MOSFETs do poder da geração HEXFETÆ do retificador internacional utilizam técnicas de processamento avançadas para conseguir extremamente - a baixa em-resistência pela área do silicone. Este benefício, combinado com a velocidade de comutação rápida e o projeto ruggedized do dispositivo que os MOSFETs do poder de HEXFET são conhecidos para, fornece o desenhista um dispositivo extremamente eficiente e seguro para o uso em uma grande variedade de aplicações que incluem automotivo.
O pacote TO-220 é preferido universalmente para todas as aplicações automotivo-comercial-industriais a níveis da dissipação de poder a aproximadamente 50 watts. A baixa resistência térmica e o baixo custo do pacote do TO-220 contribuem a sua aceitação larga durante todo a indústria.
? Tecnologia de processamento avançada?
Em-resistência ultra baixa?
Avaliação dinâmica de dv/dt? 175°C
Temperatura de funcionamento?
Interruptor rápido?
Inteiramente avalancha avaliada?
Automotivo qualificado (Q101)?
Sem chumbo
Notas em curvas repetitivas da avalancha, figuras 15, 16: (Para mais informações, veja AN-1005 em www.irf.com)
1. Suposição das falhas da avalancha: Puramente um fenômeno e uma falha térmicos ocorrem em uma temperatura distante além de Tjmax. Isto é validado para cada tipo da parte.
2. A operação segura na avalancha é permitida porque o asTjmax longo não é excedido.
3. Equação abaixo baseada no circuito e nas formas de onda mostrados nas figuras 12a, 12b.
4. Paládio (avenida) = dissipação de poder médio pelo único pulso da avalancha.
5. BV = tensão de divisão avaliado (o fator 1,3 esclarece o aumento da tensão durante a avalancha).
6. Iav = corrente permissível da avalancha.
7. ∆T = elevação permissível na temperatura de junção, para não exceder Tjmax (supôs como 25°C em figura 15, 16). tav = tempo médio na avalancha. Ciclo de D = de dever na avalancha = no tav ·f ZthJC (D, tav) = resistência térmica transiente, considera a figura 11)
| Parâmetro | Tipo | Máximo. | Unidades | |
| RθJC | Junção-à-caso | -- | 0,45 | °C/W |
| RθCS | Caso-à-dissipador, uma superfície plana, lubrificada | 0,50 | --- | |
| RθJA | Junção-à-ambiental | -- | 62 |
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