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Casa > produtos > microplaquetas eletrônicas do CI > Transistor Epitaxial 2SC5200 do Mosfet do poder do transistor do silicone de NPN

Transistor Epitaxial 2SC5200 do Mosfet do poder do transistor do silicone de NPN

Transistor Epitaxial 2SC5200 do Mosfet do poder do transistor do silicone de NPN
Transistor Epitaxial 2SC5200 do Mosfet do poder do transistor do silicone de NPN
fabricante:
Fabricante
Descrição:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 230 V 15 A 30MHz 150 W Through Hole TO-264
Categoria:
microplaquetas eletrônicas do CI
Preço:
Negotiate
Método do pagamento:
T/T, Western Union, Paypal
Especificações
Collector-Base Voltage:
230 V
Collector-Emitter Voltage:
230 V
Emitter-Base Voltage:
5 V
Collector Current(DC):
15 A
Corrente baixa:
1,5 A
Junction and Storage Temperature:
- 50 ~ +150 °C
Destaque:

npn smd transistor

,

multi emitter transistor

Introdução

2SC5200/FJL4315

Transistor Epitaxial do silicone de NPN

Aplicações

• Amplificador das saídas de áudio da alta fidelidade

• Amplificador de potência de uso geral

Características

• Capacidade atual alta: IC = 15A.

• Dissipação de poder superior: 150watts.

• De alta frequência: 30MHz.

• Alta tensão: VCEO=230V

• S.O.A largo para a operação segura.

• Linearidades excelentes do ganho para baixo THD.

• Complemento a 2SA1943/FJL4215.

• Os modelos térmicos e elétricos da especiaria estão disponíveis.

• O mesmo transistor está igualmente disponível dentro:

-- Pacote de TO3P, 2SC5242/FJA4313: 130 watts

-- TO220 pacote, FJP5200: 80 watts

-- Pacote de TO220F, FJPF5200: 50 watts

Ratings* máximo absoluto Ta = 25°C salvo disposição em contrário

Símbolo Parâmetro Avaliações Unidades
BVCBO Tensão da Coletor-base 230 V
BVCEO Tensão do Coletor-emissor 230 V
BVEBO Tensão da Emissor-base 5 V
IC Corrente de coletor (C.C.) 15
IB Corrente baixa 1,5
Paládio

Dissipação total do dispositivo (TC =25°C)

Derate acima de 25°C

150

1,04

W

W/°C
TJ, TSTG Temperatura da junção e de armazenamento - 50 ~ +150 °C

* estas avaliações são os valores de limitação acima de que a utilidade de todo o dispositivo de semicondutor pode ser danificada.

Characteristics* térmico Ta=25°C salvo disposição em contrário

Símbolo Parâmetro Máximo Unidades
RθJC Resistência térmica, junção a encaixotar 0,83 °C/W

* dispositivo montado no tamanho mínimo da almofada

classificação do hFE

Classificação R O
hFE1 55 ~ 110 80 ~ 160

Características típicas

Dimensões do pacote

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