Transistor 625mW BC557A do amplificador do silicone de PNP
npn smd transistor
,multi emitter transistor
Características
•? Revestimento sem chumbo/RoHS complacente (o sufixo de “P” designa
RoHS complacente. Informação pedindo See)
•? temperatura de junção de 150o C
• Através do pacote do furo
• A cola Epoxy encontra a avaliação da inflamabilidade V-0 do UL 94
• Nível 1 da sensibilidade de Moisure
• Marcação: Tipo número
Dados mecânicos
? • Caso: TO-92, plástico moldado
• Polaridade: indicado como abaixo.
Avaliações máximas @ 25o C salvo disposição em contrário
Charateristic | Símbolo | Valor | Unidade |
Tensão do Coletor-emissor BC556 BC557 BC558 |
VCEO |
-65 -45 -30 |
V |
Tensão da Coletor-base Because556 BC557 BC558 |
VCBO |
-80 -50 -30 |
V |
Tensão da Emissor-base | VEBO | -5,0 | V |
Corrente de coletor (C.C.) | IC | -100 | miliampère |
Poder Dissipation@TA =25°C | Paládio |
625 5,0 |
mW mW/°C |
Poder Dissipation@TC =25°C | Paládio |
1,5 12 |
mW mW/°C |
Resistência térmica, junção ao ar ambiental | R JA | 200 | °C/W |
Resistência térmica, junção a encaixotar | R JC | 83,3 | °C/W |
Temperatura do funcionamento & de armazenamento | Tj, TSTG | -55~150 | °C |

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