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Transistor de uso geral BC848B de NPN

fabricante:
Fabricante
Descrição:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 30 V 100 mA 100MHz 200 mW Surface Mount SOT-23
Categoria:
microplaquetas eletrônicas do CI
Preço:
negotiation
Método do pagamento:
T/T, Western Union, Paypal
Especificações
Collector current:
100mA
Corrente de coletor máxima:
200mA
Peak base current:
200mA
Total power dissipation:
250mW
TEMPERATURA DE JUNÇÃO:
150°C
Storage temperature:
-65 to +150°C
Destaque:

npn smd transistor

,

silicon power transistors

Introdução

Características

• Baixo atual (máximo 100 miliampères).

• Baixa tensão (máximo 65 V).

Avaliações máximas absolutas Ta = 25°C

Parâmetro Símbolo BC846 BC847 BC848 Unidade
tensão da Coletor-base VCBO 80 50 30 V
tensão do Coletor-emissor VCEO 65 45 30 V
tensão da Emissor-base VEBO 6 6 5 V
Corrente de coletor IC 100 miliampère
Corrente de coletor máxima ICM 200 miliampère
Corrente baixa máxima IBM 200 miliampère
Dissipação de poder total * Ptot 250 mW
Temperatura de junção Tj 150 °C
Temperatura de armazenamento Tstg -65 a +150 °C
Temperatura ambiental de funcionamento Ramb -65 a +150 °C
Resistência térmica da junção a ambiental * J-a de Rth 500 K/W

* o transistor montou em uma placa dos circuitos impressos FR4, pegada padrão.

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