Transistor de uso geral BC848B de NPN
Especificações
Collector current:
100mA
Corrente de coletor máxima:
200mA
Peak base current:
200mA
Total power dissipation:
250mW
TEMPERATURA DE JUNÇÃO:
150°C
Storage temperature:
-65 to +150°C
Destaque:
npn smd transistor
,silicon power transistors
Introdução
Características
• Baixo atual (máximo 100 miliampères).
• Baixa tensão (máximo 65 V).
Avaliações máximas absolutas Ta = 25°C
Parâmetro | Símbolo | BC846 | BC847 | BC848 | Unidade |
tensão da Coletor-base | VCBO | 80 | 50 | 30 | V |
tensão do Coletor-emissor | VCEO | 65 | 45 | 30 | V |
tensão da Emissor-base | VEBO | 6 | 6 | 5 | V |
Corrente de coletor | IC | 100 | miliampère | ||
Corrente de coletor máxima | ICM | 200 | miliampère | ||
Corrente baixa máxima | IBM | 200 | miliampère | ||
Dissipação de poder total * | Ptot | 250 | mW | ||
Temperatura de junção | Tj | 150 | °C | ||
Temperatura de armazenamento | Tstg | -65 a +150 | °C | ||
Temperatura ambiental de funcionamento | Ramb | -65 a +150 | °C | ||
Resistência térmica da junção a ambiental * | J-a de Rth | 500 | K/W |
* o transistor montou em uma placa dos circuitos impressos FR4, pegada padrão.
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