Montagem de superfície PlanarTransistors Si-Epitaxial BCP53
fabricante:
Fabricante
Descrição:
Transistor bipolar (BJT) PNP 80 V 1,2 A 1,5 W Montagem em superfície SOT-223-4
Categoria:
Microplaqueta de IC da memória Flash
Preço:
negotiation
Método do pagamento:
T/T, Western Union, Paypal
Especificações
Power dissipation – Verlustleistung:
1.3 W
Corrente de coletor – Kollektorstrom (C.C.):
1 A
Corrente de coletor máxima – Koll. - Spitzenstrom:
1,5 A
Peak Base current – Basis-Spitzenstrom:
200 mA
Temperatura de junção – Sperrschichttemperatur:
150? ℃
Storage temperature – Lagerungstemperatur:
- 65…+ 150℃
Destaque:
npn smd transistor
,multi emitter transistor
Introdução
Dissipação de poder – Verlustleistung 1,3 W
Capa de plástico SOT-223
Kunststoffgehäuse
Peso aproximadamente – Gewicht CA 0,04 g
O material plástico tem a classificação 94V-0 do UL
Klassifiziert de Gehäusematerial UL94V-0
Empacotamento padrão gravado e bobinado
Auf padrão Rolle do gegurtet de Lieferform
Avaliações máximas (Ta = 25? ℃) Grenzwerte (Ta = 25? ℃)
| BCP 51 | BCP 52 | BCP 53 | ||
| Coletor-Emissor-tensão B aberto | - VCE0 | 45 V | 60 V | 80 V |
| Coletor-Base-tensão E aberto | - VCB0 | 45 V | 60 V | 100 V |
| Emissor-Base-tensão C aberto | - VEB0 | 5 V | ||
| Dissipação de poder – Verlustleistung | Ptot | 1,3 W 1) | ||
| Corrente de coletor – Kollektorstrom (C.C.) | - IC | 1 A | ||
| Corrente de coletor máxima – Koll. - Spitzenstrom | - ICM | 1,5 A | ||
| Corrente de base máxima – base-Spitzenstrom | - IBM | 200 miliampères | ||
| Temperatura de junção – Sperrschichttemperatur | Tj | 150? ℃ | ||
| Temperatura de armazenamento – Lagerungstemperatur | TS | - 65… + 150? ℃ | ||
1) montado na placa de P.C. com 3 a almofada de cobre do milímetro2 em cada terminal
Mit 3 milímetro2 Kupferbelag do auf Leiterplatte da montagem (Lötpad) um jedem Anschluß
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