Módulo do Mosfet do poder do MOSFET IRFB4410ZPBF do poder de HEXFET
fabricante:
Fabricante
Descrição:
Canal N 100 V 97A (Tc) 230W (Tc) Orifício de passagem TO-220AB
Categoria:
microplaquetas eletrônicas do CI
Preço:
negotiation
Método do pagamento:
T/T, Western Union, Paypal
Especificações
VDSS:
100V
Tipo do RDS (sobre).; máximo.:
7.2m? ; 9.0m?
ID (Silicon Limited):
97
ID (Package Limited):
75A
G; D; S:
Gate; Drain; Source
Maximum Power Dissipation:
230W
Destaque:
multi emitter transistor
,silicon power transistors
Introdução
Aplicações?
• Correção síncrono da eficiência elevada em SMPS
• ? Fonte de alimentação ininterrupta?
• Interruptor de alta velocidade do poder?
• Circuitos duramente comutados e de alta frequência
Benefícios?
• Porta melhorada, avalancha e dV/dt dinâmico
Aspereza?
• Capacidade inteiramente caracterizada e avalancha
SOA?
• Diodo aumentado dV/dt do corpo e capacidade de dI/dt?
• Sem chumbo
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