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Trincheira nova & original IGBT do transistor do Mosfet do poder de FGA25N120ANTDTU de 1200V NPT

Trincheira nova & original IGBT do transistor do Mosfet do poder de FGA25N120ANTDTU de 1200V NPT
Trincheira nova & original IGBT do transistor do Mosfet do poder de FGA25N120ANTDTU de 1200V NPT
fabricante:
Fabricante
Descrição:
IGBT NPT and Trench 1200 V 50 A 312 W Through Hole TO-3P
Categoria:
microplaquetas eletrônicas do CI
Preço:
Negotiate
Método do pagamento:
T/T, Western Union, Paypal
Especificações
Collector-Emitter Voltage:
1200 V
Gate-Emitter Voltage:
± 20 V
Pulsed Collector Current:
90 A
Diode Maximum Forward Current:
150 A
Temperatura de junção de funcionamento:
°C -55 a +150
Storage Temperature Range:
-55 to +150 °C
Destaque:

npn smd transistor

,

multi emitter transistor

Introdução

FGA25N120ANTD/FGA25N120ANTD_F109

trincheira IGBT de 1200V NPT

Características

• Tecnologia da trincheira do NPT, coeficiente de temperatura positivo

• Baixa tensão de saturação: VCE (se sentou), tipo = 2.0V @ IC = 25A e TC = 25°C

• Baixa perda de comutação: Eoff, tipo = 0.96mJ @ IC = 25A e TC = 25°C

• Capacidade extremamente aumentada da avalancha

Descrição

Usar o projeto proprietário da trincheira de Fairchild e avançou a tecnologia do NPT, o 1200V NPT IGBT oferece a condução superior e desempenhos de comutação, aspereza alta da avalancha e operação paralela fácil.

Este dispositivo é bem - serido para a aplicação de comutação ressonante ou macia tal como o aquecimento de indução, o forno micro-ondas, etc.

Avaliações máximas absolutas

Símbolo Descrição FGA25N120ANTD Unidades
VCES Tensão do Coletor-emissor 1200 V
VGES Tensão do Porta-emissor ± 20 V
IC Corrente de coletor @ TC = 25°C 50
Corrente de coletor @ TC = 100°C 25
ICM Corrente de coletor pulsada (nota 1) 90
SE Corrente dianteira contínua do diodo @ TC = 100°C 25
IFM Corrente dianteira máxima do diodo 150
Paládio Dissipação de poder máxima @ TC = 25°C 312 W
Dissipação de poder máxima @ TC = 100°C 125 W
TJ Temperatura de junção de funcionamento -55 a +150 °C
Tstg Variação da temperatura do armazenamento -55 a +150 °C
TL

Temp máximo da ligação. para finalidades de solda,

1/8" do argumento por 5 segundos

 300 °C

Dimensões mecânicas

TO-3PN

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