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MOSFET 200 V do ÁUDIO de DIGITAL do transistor do Mosfet do poder de IRFI4020H-117P

fabricante:
Fabricante
Descrição:
Mosfet Array 200V 9.1A 21W Através do Orifício TO-220-5 Full-Pak
Categoria:
microplaquetas eletrônicas do CI
Preço:
Negotiation
Método do pagamento:
T/T, Western Union, Paypal
Especificações
VDS:
200 V
RDS(ON) typ. @ 10V:
80 m
Qg typ.:
19 nC
Qsw typ:
6.8 nC
RG(int) typ.:
3.0 Ω
Destaque:

npn smd transistor

,

multi emitter transistor

Introdução

Características

? Pacote integrado da metade-ponte?

►? Reduz a contagem da peça pela metade?

►? Facilita a melhor disposição do PWB?

►? Os parâmetros chaves aperfeiçoaram para aplicações do amplificador audio da classe-d?

►? Baixo RDS (SOBRE) para a eficiência melhorada?

►? Baixos Qg e Qsw para melhor THD e a eficiência melhorada? Baixo Qrr para melhor THD e o mais baixo IEM?

►? Entrega da lata até 300W pelo canal em 8Ω carga no amplificador da configuração da metade-ponte?

►? Pacote sem chumbo

Descrição

Esta Metade-ponte do MosFET do áudio de Digitas é projetada especificamente para aplicações do amplificador audio da classe D. Consiste em dois interruptores do MosFET do poder conectados na configuração da metade-ponte. O processo o mais atrasado é usado para conseguir a baixa em-resistência pela área do silicone. Além disso, a carga da porta, a recuperação reversa do corpo-diodo, e a resistência interna da porta são aperfeiçoadas para melhorar fatores de desempenho do amplificador audio de classe chave D tais como a eficiência, o THD e o IEM. Estes combinam para fazer a esta Metade-ponte um dispositivo altamente eficiente, robusto e seguro para aplicações do amplificador audio da classe D.

Parâmetro Máximo Unidades
VDS Tensão da Dreno-à-fonte 200 V
VGS Tensão da Porta-à-fonte ±20 V
Identificação @ TC = 25°C Corrente contínua do dreno, VGS @ 10V 9,1

Identificação @ TC = 100°C Corrente contínua do dreno, VGS @ 10V 5,1

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