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Casa > produtos > microplaquetas eletrônicas do CI > O canal Zener de N protegeu MOSFET super do poder de MESHTM, STF13NK50Z

O canal Zener de N protegeu MOSFET super do poder de MESHTM, STF13NK50Z

O canal Zener de N protegeu MOSFET super do poder de MESHTM, STF13NK50Z
O canal Zener de N protegeu MOSFET super do poder de MESHTM, STF13NK50Z
fabricante:
Fabricante
Descrição:
N-Channel 500 V 11A (Tc) 30W (Tc) Through Hole TO-220FP
Categoria:
microplaquetas eletrônicas do CI
Preço:
Negotiate
Método do pagamento:
T/T, Western Union, Paypal
Especificações
Drain-source voltage:
500 V
Tensão da Porta-fonte:
± 30 V
Drain current (continuous) at TC = 25 °C:
11 A
Drain current (pulsed):
44 A
Peak diode recovery voltage slope:
4.5 V/ns
Operating junction temperature:
-55 to 150 °C
Destaque:

npn smd transistor

,

multi emitter transistor

Introdução


STF13NK50Z, STP13NK50Z, STW13NK50Z

o N-canal 500 V, 0,40 Ω, 11 Um TO-220, TO-220FP, TO-247 Zener-protegeu o MOSFET do poder de SuperMESHTM

Características

Tipo VDSS RDS (sobre) máximo Identificação Picowatt
STF13NK50Z 500 V <0> 11 A 30 W
STP13NK50Z 500 V <0> 11 A 140 W
STW13NK50Z 500 V <0> 11 A 140 W


■Capacidade extremamente alta de dv/dt
■a avalancha 100% testou
■Carga da porta minimizada
■Capacidades intrínsecas muito baixas
■Muito bom fabricando a repetibilidade

Aplicações
■Aplicação de comutação

Descrição
A série de SuperMESH™ é obtida com uma otimização extrema de disposição tira-baseada bem conhecida do PowerMESH™ do ST. Além do que abaixar a em-resistência significativamente, especial é tomado para assegurar uma capacidade muito boa de dv/dt para as aplicações de exigência. Tal série complementa a série completa do ST de MOSFETs de alta tensão.

Avaliações máximas absolutas

Símbolo Parâmetro Valor Unidade
TO-220, TO-247 TO-220FP
VDS tensão da Dreno-fonte (VGS = 0) 500 V
VGS tensão da Porta-fonte ± 30 V
Identificação Drene atual (contínuo) em TC = o °C 25 11 11(1)
Identificação Drene atual (contínuo) no °C TC=100 6,93 6.93(1)
IDM (2) Corrente do dreno (pulsada) 44 44(1)
PTOT Dissipação total em TC = °C 25 140 30 W
Derating o fator 1,12 0,24 W/°C
dv/dt (3) Inclinação máxima da tensão da recuperação do diodo 4,5 V/ns
VISO A isolação suporta a tensão (RMS) de todos os três conduz ao pecado externo do calor (t=1 s; °C) de TC= 25 2500 V

TJ

Tstg

Temperatura de junção de funcionamento

Temperatura de armazenamento

 -55 a 150 °C

1. Limitado somente pela temperatura máxima reservada
2. largura de pulso limitada pela área de funcionamento seguro
3. ≤ 11 A do ISD, ≤ 200 A/µs de di/dt, ≤ 80% V de VDD (BR) DSS



Diagrama esquemático interno



Oferta conservada em estoque (venda quente)

Número da peça. Q'ty MFG D/C Pacote
LTC4054LES5-4.2 6786 LINEAR 14+ SOT23-6
ADA4627-1BRZ 6782 ANÚNCIO 15+ SOP-8
AD8629ARZ 6781 ANÚNCIO 15+ SOP-8
LM338T 6780 NSC 14+ TO-220
MIC4424YN 6775 MICREL 14+ DIP-8
LTC4210-1CS6 6753 LINEAR 15+ ÉBRIO
LAA110 6750 CLARP 15+ DIP-8
ATF-33143-TR 6749 AVAGO 15+ SOT343
LM78L05ACZ 6744 NSC 15+ TO-92
PIC16F1503-I/SL 6736 MICROCHIP 14+ CONCESSÃO
MAX8880EUT 6725 MÁXIMA 14+ ÉBRIO
LA4224 6725 SANYO 13+ DIP8
LTC6905CS5-96 6720 LINEAR 15+ ÉBRIO
52271-2079 6704 MOLEX 15+ conector
L4978 6700 ST 14+ DIP8
MBC13900NT1 6694 FREESCALE 14+ SOT-343
ADR391BUJZ 6688 ANÚNCIO 14+ SOT23
MAX6301CSA 6672 MÁXIMA 14+ CONCESSÃO
ADR01ARZ 6670 ANÚNCIO 15+ SOP8
MBI5025GP 6663 MBI 14+ SSOP
MAX13041ASD+T 6654 MÁXIMA 12+ CONCESSÃO


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