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Casa > produtos > microplaquetas eletrônicas do CI > FET componente do nível da lógica de TrenchMOS do transistor do Mosfet do poder do transistor da eletrônica de BUK9507-30B

FET componente do nível da lógica de TrenchMOS do transistor do Mosfet do poder do transistor da eletrônica de BUK9507-30B

FET componente do nível da lógica de TrenchMOS do transistor do Mosfet do poder do transistor da eletrônica de BUK9507-30B
FET componente do nível da lógica de TrenchMOS do transistor do Mosfet do poder do transistor da eletrônica de BUK9507-30B
fabricante:
Fabricante
Descrição:
N-Channel 30 V 75A (Tc) 157W (Tc) Through Hole TO-220AB
Categoria:
microplaquetas eletrônicas do CI
Preço:
Negotiate
Método do pagamento:
T/T, Western Union, Paypal
Especificações
drain-source voltage:
30 V
drain-gate voltage:
30 V
gate-source voltage:
±15 V
corrente máxima do dreno:
435 A
total power dissipation:
157 W
storage temperature:
−55 to +175 °C
Destaque:

npn smd transistor

,

multi emitter transistor

Introdução

BUK95/9607-30B

FET do nível da lógica de TrenchMOS™

Descrição

transistor de poder do efeito de campo do modo do realce do N-canal em um pacote plástico usando a tecnologia de Philips High-Performance Automotive (HPA) TrenchMOS™.

Disponibilidade de produto:

BUK9507-30B em SOT78 (TO-220AB)

BUK9607-30B em SOT404 (D2-PAK).

Características

■Baixa resistência do em-estado

■Q101 complacente

■o °C 175 avaliou

■Nível da lógica compatível.

Aplicações

■Sistemas automotivos

■12 cargas de V

■Motores, lâmpadas e solenoides

■Interruptor de uso geral do poder.

Dados de referência rápida

■≤ 327 mJ do EDS (AL) S

■RDSon = mΩ 5,9 (tipo)

■≤ 75 A DA IDENTIFICAÇÃO

■≤ 157 W. de Ptot.

Valores de limitação

De acordo com o sistema de avaliação máxima absoluta (IEC 60134).

Símbolo Parâmetro Circunstâncias Minuto Máximo Unidade
VDS tensão da dreno-fonte (C.C.) - 30 V
VDGR tensão da dreno-porta (C.C.) RGS = kΩ 20 - 30 V
VGS tensão da porta-fonte (C.C.) - ±15 V
Identificação corrente do dreno (C.C.)

Tmb = °C 25; VGS = 5 V;

Figura 2 e 3

 [1] - 108
[2] - 75

Tmb = °C 100; VGS = 5 V;

Figura 2

 [1] - 75
IDM corrente máxima do dreno

Tmb = °C 25; pulsado; µs do ≤ 10 do tp;

Figura 3

 - 435
Ptot dissipação de poder total Tmb = °C 25; Figura 1 - 157 W
Tstg temperatura de armazenamento -55 +175 °C
Tj temperatura de junção -55 +175 °C

[1] corrente é limitada pela avaliação da microplaqueta da dissipação de poder.

[2] a corrente contínua é limitada pelo pacote.

Oferta conservada em estoque (venda quente)

Número da peça. Q'ty MFG D/C Pacote
AT42QT1040-MMH 4187 ATMEL 15+ VQFN-20
LMV7219M5X 4183 NSC 14+ SOT-23-5
AT90USB1286-AU 4182 ATMEL 15+ QFP64
BUH517 4182 ST 14+ TO-3P
PIC16F913-I/SS 4178 MICROCHIP 14+ SSOP
MAR9109PD 4175 ST 14+ SSOP
LTC1665CGN#PBF 4169 LINEAR 14+ SSOP
MBI5026GP 4166 MBI 15+ SSOP
AD8362ARUZ 4158 ANÚNCIO 15+ TSSOP-16
LNK605DG 4156 PODER 15+ DIP-7
AD8495ARMZ 4156 ANÚNCIO 15+ MSOP-8
M66005-0001AFP 4150 RENESAS 15+ SSOP
ADM206AR 4149 ANÚNCIO 15+ SOP24
AD5246BKSZ100-RL7 4139 ANÚNCIO 15+ SOT23
AD5621AKSZ-REEL7 4133 ANÚNCIO 15+ SC70-6
AD820ARMZ 4133 ANÚNCIO 14+ MSOP-8
M61530FP 4125 MIT 13+ SSOP
LPC1342FHN33 4122 15+ HVQFN33
LP2980IM5X-5.0 4121 NSC 14+ SOT-23-5
LP2950CZ-3.3 4121 NSC 15+ TO-92
AD9235BCPZ-40 4121 ANÚNCIO 14+ FCSP-72

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