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Casa > produtos > microplaquetas eletrônicas do CI > O transistor do Mosfet do poder de MGW12N120D isolou o transistor bipolar da porta com diodo antiparalelo

O transistor do Mosfet do poder de MGW12N120D isolou o transistor bipolar da porta com diodo antiparalelo

O transistor do Mosfet do poder de MGW12N120D isolou o transistor bipolar da porta com diodo antiparalelo
O transistor do Mosfet do poder de MGW12N120D isolou o transistor bipolar da porta com diodo antiparalelo
fabricante:
Fabricante
Descrição:
IGBT
Categoria:
microplaquetas eletrônicas do CI
Preço:
Negotiate
Método do pagamento:
T/T, Western Union, Paypal
Especificações
Tensão do Coletor-emissor:
1200 VDC
Tensão da Coletor-porta (RGE = 1,0 MΩ):
1200 VDC
Tensão do Porta-emissor — Contínuo:
± 20 VDC
Dissipação de poder total @ TC = 25°C:
125 watts
Variação da temperatura da junção do funcionamento e do armazenamento:
– °C 55 a 150
Procurar um caminho mais curto para suportar o tempo:
10 μs
Destaque:

npn smd transistor

,

silicon power transistors

Introdução


Transistor bipolar isolado da porta com diodo antiparalelo
Porta de silicone do Realce-modo do N-canal

IGBT & DIODO EM TO-247
12 A @ 90°C
20 A @ 25°C
1200 VOLTS
PROCURAR UM CAMINHO MAIS CURTO AVALIADO

Este transistor bipolar isolado da porta (IGBT) co-é empacotado com um retificador ultrarrápido da recuperação macia e usa um esquema da terminação avançada para fornecer uma capacidade deobstrução alta aumentada e segura. Short-circuit avaliou IGBT é serido especificamente para as aplicações que exigem garantido procura um caminho mais curto para suportar o tempo tal como movimentações do controlo do motor. As características de comutação rápidas conduzem à operação eficiente em altas frequências. o espaço das economias de IGBT Co-empacotado, reduz o tempo do conjunto e o custo.

• Pacote do poder superior TO-247 do padrão do setor com furo de montagem isolado
• Eoff de alta velocidade: 150? J/A típico em 125°C
• Procurar um caminho mais curto altamente a capacidade – 10? mínimo de s
• O diodo de roda livre da recuperação macia é incluído no pacote
• Terminação de alta tensão robusta
• RBSOA robusto

AVALIAÇÕES MÁXIMAS (TJ = 25°C salvo disposição em contrário)

Avaliação Símbolo Valor Unidade
Tensão do Coletor-emissor VCES 1200 VDC
Tensão da Coletor-porta (RGE = 1,0 MΩ) VCGR 1200 VDC
Tensão do Porta-emissor — Contínuo VGE ± 20 VDC

Corrente de coletor — Contínuo @ TC = 25°C

— Contínuo @ TC = 90°C

— (1) atual pulsado repetitivo

IC25

IC90

ICM

20

12

40

VDC

Apk

Dissipação de poder total @ TC = 25°C

Derate acima de 25°C

 Paládio

125

0,98

Watts

W/°C
Variação da temperatura da junção do funcionamento e do armazenamento TJ, Tstg – 55 a 150 °C

Procurar um caminho mais curto para suportar o tempo

(VCC = 720 VDC, VGE = 15 VDC, TJ = 125°C, RG = Ω 20)

 CST 10 ? μs

Resistência térmica — Junção para encaixotar – IGBT

— Junção para encaixotar – o diodo

— Junção a ambiental

RθJC

RθJC

RθJA

1,0

1,4

45

 °C/W
Temperatura máxima para finalidades de solda, 1/8 de ″ da ligação do argumento por 5 segundos TL 260 °C
Montando o torque, o 6-32 ou o parafuso M3 lbf* 10? em (N 1,13? *m)

(1) a largura de pulso é limitada pela temperatura de junção máxima. Avaliação repetitiva.

DIMENSÕES DO PACOTE



Oferta conservada em estoque (venda quente)

Número da peça. Q'ty MFG D/C Pacote
L9616D 3785 ST 15+ SOP8
LM7818CT 7181 NSC 14+ TO-220
2MBI100N-060 418 FUJI 12+ MÓDULO
PMBS3904 60000 14+ SOT-23
MT41K128M16JT-125: K 7044 MÍCRON 14+ BGA
P80C31BH-1 9620 INTEL 16+ MERGULHO
LXT906PC 4933 LEVELONE 16+ PLCC
LTC3440EMS 6740 LT 16+ MSOP
MAX3232EIPWR 11650 SI 14+ TSSOP
BTA24-600BW 10000 ST 15+ TO-220
MSP430G2231IPW14R 6841 SI 16+ TSSOP
MJF15031G 86000 EM 16+ TO-220
MC7805ABD2TR4G 4072 EM 14+ TO-263
MCP73871-2CCI/ML 5626 MICROCHIP 16+ QFN
MCP1702-5002E/TO 5050 MICROCHIP 16+ TO-92
NCT3941S-A 14560 NUVOTON 11+ SOP-8
LM308H 500 NSC 11+ CAN-8
M27256-2F1 4179 ST 16+ MERGULHO
LM75AD 5432 14+ SOP-8
MAX6369KA+T 4625 MÁXIMA 14+ ÉBRIO
PIC16F76T-I/SO 4988 MICROCHIP 14+ CONCESSÃO




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10pcs
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