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Casa > produtos > microplaquetas eletrônicas do CI > MOSFETs do poder do N-canal do transistor do Mosfet do poder dos transistor do mosfet do poder superior RFP70N06

MOSFETs do poder do N-canal do transistor do Mosfet do poder dos transistor do mosfet do poder superior RFP70N06

MOSFETs do poder do N-canal do transistor do Mosfet do poder dos transistor do mosfet do poder superior RFP70N06
MOSFETs do poder do N-canal do transistor do Mosfet do poder dos transistor do mosfet do poder superior RFP70N06
fabricante:
Fabricante
Descrição:
N-canal 60 V 70A (Tc) 150W (Tc) através do furo TO-220-3
Categoria:
microplaquetas eletrônicas do CI
Preço:
Negotiate
Método do pagamento:
T/T, Western Union, Paypal
Especificações
Drene à tensão da fonte:
60 V
Drene para bloquear a tensão (RGS = 20kΩ):
60 V
Corrente contínua do dreno:
70 A
Porta à tensão da fonte:
±20 V
Dissipação de poder:
150 W
Fator derating linear:
1,0 W/℃
Destaque:

multi emitter transistor

,

silicon power transistors

Introdução

RFG70N06, RFP70N06, RF1S70N06SM

70A, 60V, 0,014 ohms, MOSFETs do poder do N-canal

Estes são MOSFETs do poder do N-canal fabricados usando o processo de MegaFET. Este processo, que usa os tamanhos de característica que aproximam aqueles de circuitos de LSI, dá a utilização a melhor do silicone, tendo por resultado o desempenho proeminente. Foram projetados para o uso nas aplicações tais como reguladores de interruptor, conversores de comutação, motoristas do motor e motoristas do relé. Estes transistor podem ser operados diretamente dos circuitos integrados.

Tipo anteriormente desenvolvente TA49007.

Características

• 70A, 60V

• RDS (sobre) = 0.014Ω

• Modelo compensado temperatura de PSPICE®

• Corrente máxima contra a curva da largura de pulso

• Curva da avaliação de UIS (único pulso)

• temperatura de funcionamento 175oC

• Literatura relacionada

- TB334 “diretrizes para componentes de superfície de solda da montagem às placas de PC”

Avaliações máximas absolutas TC = 25℃, salvo disposição em contrário

PARÂMETRO SÍMBOLO

RFG70N06, RFP70N06

RF1S70N06SM

 UNIDADES
Drene à tensão da fonte (nota 1) VDSS 60 V
Drene para bloquear a tensão (RGS = 20kΩ) (nota 1) VDGR 60 V
Corrente contínua do dreno Identificação 70
Corrente pulsada do dreno (nota 3) IDM Refira a curva da corrente máxima
Porta à tensão da fonte VGS ±20 V
Única avaliação da avalancha do pulso EAS Refira a curva de UIS
Dissipação de poder Paládio 150 W
Fator Derating linear 1,0 W/℃
Temperatura do funcionamento e de armazenamento TJ, TSTG -55 a 175 ℃

Temperatura máxima para soldar

Ligações em 0.063in (1.6mm) do argumento para 10s

O corpo do pacote para 10s, considera Techbrief 334

TL

Tpkg

300

260

℃

℃

CUIDADO: Os esforços acima daqueles alistados “em avaliações máximas absolutas” podem causar dano permanente ao dispositivo. Esta é uma única avaliação do esforço e a operação do dispositivo nestes ou de nenhuma outra condições acima daqueles indicados nas seções operacionais desta especificação não é implicada.

NOTA: 1. TJ = 25oC a 150℃

Símbolo

Empacotamento

Oferta conservada em estoque (venda quente)

Número da peça. Q'ty MFG D/C Pacote
LA4440 3620 SANYO 14+ SIP-14
LT1512CS8#PBF 5755 LINEAR 15+ SOP-8
LM75CIMMX-3 6880 NSC 14+ MSOP-8
LTC2954CTS8-2#TRMPBF 6896 LT 10+ ÉBRIO
NTE4151PT1G 38000 EM 16+ SOT-523
CXD2480R 1277 SONY 15+ QFP
A8498SLJTR-T 3500 ALLEGRO 12+ SOP-8
A4950ELJTR-T 1000 ALLEGRO 13+ SOP-8
LMX2335LTMX 2297 NSC 14+ TSSOP-16
NCP1034DR2G 9200 EM 16+ CONCESSÃO
A3932SLDTR-T 2042 ALLEGRO 15+ TSSOP38
MM3Z4V7ST1G 25000 EM 16+ SOD-323
MCP1825S-3302E/DB 5134 MICROCHIP 16+ SOT-223
MMBZ5257BLT1G 20000 EM 16+ SOT-23
MBR120ESFT1G 38000 EM 16+ GRAMA
L4931ABD33 3851 ST 14+ SOP8
NTE4153NT1G 30000 EM 16+ SOT-523
MPX5100DP 6099 FREESCALE 15+ SORVO
LMH1980MM/NOPB 1632 SI 15+ VSSOP-10
PIC18F26K20-I/SS 4498 MICROCHIP 13+ SSOP
LTC3450EUD 6714 LINEAR 15+ DFN

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