Transistor de poder fresco do transistor MOS™ do Mosfet do poder do transistor de poder do darliCM GROUPon do npn SPA04N60C3XKSA1
npn smd transistor
,silicon power transistors
SPP04N60C3, SPB04N60C3
Dados finais SPA04N60C3
Transistor de poder fresco de MOSô
VDS @ Tjmax | 650 | V |
RDS (sobre) | 0,95 | Ω |
Identificação | 4,5 |
Característica
• Tecnologia de alta tensão revolucionária nova
• Carga ultra baixa da porta
• A avalancha periódica avaliou
• Dv/dt extremo avaliou
• Capacidade atual máxima alta
• Transcondutância melhorada
• P-TO-220-3-31: Pacote inteiramente isolado (2500 VAC; 1 minuto)
P-TO220-3-31 P-TO263-3-2 P-TO220-3-1
Avaliações máximas
Parâmetro | Símbolo | Valor | Unidade | |
SPP_B | TERMAS | |||
Corrente contínua do dreno TC = °C 25 TC = °C 100 |
Identificação |
4,5 2,8 |
4,51) 2,81) |
|
A corrente pulsada do dreno, tp limitou por Tjmax | Puls da identificação | 13,5 | 13,5 | |
Energia da avalancha, única identificação =3.4 do pulso, VDD =50V | EAS | 130 | 130 | mJ |
Energia da avalancha, alcatrão repetitivo limitados pela identificação =4.5A de Tjmax 2), VDD =50V | ORELHA | 0,4 | 0,4 | mJ |
Avalancha atual, alcatrão repetitivo limitado por Tjmax | IAR | 4,5 | 4,5 | |
Estática da tensão de fonte de porta | VGS | ±20 | ±20 | V |
C.A. da tensão de fonte de porta (f >1Hz) | VGS | ±30 | ±30 | |
Dissipação de poder, TC = 25°C | Ptot | 50 | 31 | W |
Temperatura do funcionamento e de armazenamento | Tj, Tstg | -55… +150 | °C | |
Drene a inclinação da tensão da fonte |
dv/dt | 50 | V/ns |
P-TO-220-3-1
P-TO-263-3-2 (D2-PAK)
P-TO-220-3-31 (FullPAK)
Oferta conservada em estoque (venda quente)
Número da peça. | Q'ty | MFG | D/C | Pacote |
MC14536BDWR2G | 6563 | EM | 16+ | CONCESSÃO |
LT5400BCMS8E-4#PBF | 4130 | LINEAR | 16+ | MSOP |
MC4741CD | 3556 | MOT | 16+ | CONCESSÃO |
PIC10F322T-I/OT | 9250 | MICROCHIP | 16+ | ÉBRIO |
MC14584BDR2G | 10000 | EM | 16+ | CONCESSÃO |
LT1014DSW#TRPBF | 8146 | LT | 14+ | SOP-16 |
MC145152DW2 | 5186 | FREESCAL | 15+ | CONCESSÃO |
MC78M05CDTX | 10000 | FAI | 16+ | SOT-252 |
MBM29F040C-90PD-SFL | 14690 | FUJITSU | 16+ | PLCC |
L6563TR | 3752 | ST | 15+ | SOP14 |
MUR1560G | 7604 | EM | 16+ | TO-220 |
MUR840G | 7300 | EM | 16+ | TO-220 |
MMSZ4682T1G | 25000 | EM | 16+ | SOD-123 |
MC68HC908QY4ACDWE | 3820 | FREESCALE | 16+ | SOIC |
MB8431-90LPFQ | 3226 | FUJI | 16+ | QFP |
MMSZ5246BT1G | 30000 | EM | 16+ | SOD-123 |
LM5642MTCX | 1833 | NSC | 14+ | TSSOP-28 |
PIC16F1829-I/SS | 5263 | MICROCHIP | 16+ | SSOP |
L4940V12 | 3675 | ST | 14+ | TO-220 |
RA8875L3N | 1200 | RAIO | 15+ | TQFP-100 |
MB8421-90LPFQ-GE1 | 3165 | FUJI | 14+ | QFP |

0402 filme grosso Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT

200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A para a linha elétrica TDK SMD0603

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Varistor SMD azul Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuito através do disco 20mm do furo

Do silicone de uso geral do diodo de retificador de 2SB1261-TP 10W transistor planar Epitaxial de Pnp

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