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Casa > produtos > microplaquetas eletrônicas do CI > MOSFET Zener-protegido de SuperMESHPower do transistor do Mosfet do poder de STP10NK70ZFP CI N-CANAL⑩ elétrico

MOSFET Zener-protegido de SuperMESHPower do transistor do Mosfet do poder de STP10NK70ZFP CI N-CANAL⑩ elétrico

MOSFET Zener-protegido de SuperMESHPower do transistor do Mosfet do poder de STP10NK70ZFP CI N-CANAL⑩ elétrico
MOSFET Zener-protegido de SuperMESHPower do transistor do Mosfet do poder de STP10NK70ZFP CI N-CANAL⑩ elétrico
fabricante:
Fabricante
Descrição:
N-Channel 700 V 8.6A (Tc) 35W (Tc) Through Hole TO-220FP
Categoria:
microplaquetas eletrônicas do CI
Preço:
Negotiate
Método do pagamento:
T/T, Western Union, Paypal
Especificações
Drain-source Voltage (VGS = 0):
700 V
Drain-gate Voltage (RGS = 20 kΩ):
700 V
Gate- source Voltage:
± 30 V
Fonte ESD da porta (HBM-C=100pF, R=1.5KΩ):
4000 QUILOVOLTS
Peak Diode Recovery voltage slope:
4.5 V/ns
Storage Temperature:
-55 to 150 °C
Destaque:

npn smd transistor

,

multi emitter transistor

Introdução


STP10NK70Z STP10NK70ZFP
N-CANAL 700V - 0.75Ω - 8.6A TO-220/TO-220FP
MOSFET Zener-protegido de SuperMESH™Power

TIPOVDSSRDS (sobre)IdentificaçãoPicowatt

STP10NK70Z

STP10NK70ZFP

700 V

700 V

< 0="">

< 0="">

8,6 A

8,6 A

150 W

35 W

■RDS TÍPICO (sobre) = 0,75 Ω
■CAPACIDADE EXTREMAMENTE ALTA de dv/dt
■CAPACIDADE MELHORADA DO ESD
■A AVALANCHA 100% AVALIOU
■A CARGA DA PORTA MINIMIZOU
■BAIXAS CAPACIDADES INTRÍNSECAS MESMAS
■BOM REPEATIBILITY DE FABRICAÇÃO MESMO

DESCRIÇÃO
A série de SuperMESH™ é obtida com uma otimização extrema de disposição stripbased bem conhecida do PowerMESH™ do ST. Além do que abaixar a em-resistência significativamente, especial é tomado para assegurar uma capacidade muito boa de dv/dt para as aplicações de exigência. Tal série complementa a série completa do ST dos MOSFETs de alta tensão que incluem produtos revolucionários de MDmesh™.

APLICAÇÕES
■CORRENTE ALTA, INTERRUPTOR DE ALTA VELOCIDADE
■IDEAL PARA FONTES DE ALIMENTAÇÃO, ADAPTADORES E PFC AUTÔNOMOS

AVALIAÇÕES MÁXIMAS ABSOLUTAS

SímboloParâmetroValorUnidade
STP10NK70ZSTP10NK70ZFP
VDStensão da Dreno-fonte (VGS = 0)700V
VDGRtensão da Dreno-porta (RGS = kΩ 20)700V
VGSTensão de fonte de porta± 30V
IdentificaçãoDrene atual (contínuo) em TC = 25°C8,68,6 (*)
IdentificaçãoDrene atual (contínuo) em TC = 100°C5,45,4 (*)
IDM (•?)Corrente do dreno (pulsada)3434 (*)
PTOTDissipação total em TC = 25°C15035W
Derating o fator1,200,28W/°C
VESD (G-S)Fonte ESD da porta (HBM-C=100pF, R=1.5KΩ)4000Quilovolt
dv/dt (1)Inclinação máxima da tensão da recuperação do diodo4,5V/ns
VISOA isolação suporta a tensão (a C.C.)-2500V

Tj

Tstg

Temperatura de junção de funcionamento

Temperatura de armazenamento

-55 a 150

-55 a 150

°C

°C

(•?) largura de pulso limitada pela área de funcionamento seguro
(1) ISD ≤8.6A, di/dt ≤200A/µs, ≤ V de VDD (BR) DSS, ≤ TJMAX de Tj.
(*) limitou somente pela temperatura máxima reservada



Oferta conservada em estoque (venda quente)

Número da peça.Q'tyMFGD/CPacote
MTD1361F7506SHINDENGE10+HSOP
8050HQLT1G10000EM15+SOT23
L6470HTR1299ST14+TSSOP
LM5576MHX2483NSC14+TSSOP-20
LT3971EMSE-5#PBF3866LT16+MSOP
MOC3063SR2M5567FSC14+CONCESSÃO
OPA4141AID7700SI12+CONCESSÃO
PC2SD11NTZAK11300AFIADO13+MERGULHO
MMBT2907A-7-F20000DIODOS16+SOT-23
MCP1700T-3302E/TT10000MICROCHIP16+SOT-23
PIC10F202T-I/OT8950MICROCHIP16+ÉBRIO
LM2936MX-5.03000NSC15+SOP-8
PIC24FJ64GA004-I/PT4138MICROCHIP15+TQFP
PCF8591T13260PHILIPS16+CONCESSÃO
MD1211LG-G5830SUPERTEX16+QFN
NDS332P40000FAIRCHILD16+SOT-23
NCP1117STAT3G10000EM16+SOT-223
SAK-XC164CM-16F40FBA500 13+LQFP-64
ZTX1053A3980ZETEX13+TO-92S
M29F200BB-70N63841ST16+TSSOP
OPA347NA7440SI14+SOT23-5





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