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Casa > produtos > microplaquetas eletrônicas do CI > N-CANAL de uso geral MDmesh do transistor do Mosfet do poder do transistor do npn de STP20NM60FP? MOSFET do poder

N-CANAL de uso geral MDmesh do transistor do Mosfet do poder do transistor do npn de STP20NM60FP? MOSFET do poder

N-CANAL de uso geral MDmesh do transistor do Mosfet do poder do transistor do npn de STP20NM60FP? MOSFET do poder
N-CANAL de uso geral MDmesh do transistor do Mosfet do poder do transistor do npn de STP20NM60FP? MOSFET do poder
fabricante:
Fabricante
Descrição:
N-Channel 600 V 20A (Tc) 45W (Tc) Through Hole TO-220FP
Categoria:
microplaquetas eletrônicas do CI
Preço:
Negotiate
Método do pagamento:
T/T, Western Union, Paypal
Especificações
Drain-source Voltage (VGS = 0):
600 V
Drain-gate Voltage (RGS = 20 kΩ):
600 V
Gate- source Voltage:
±30 V
Peak Diode Recovery voltage slope:
15 V/ns
Storage Temperature:
-65 to 150 °C
Max. Operating Junction Temperature:
150 °C
Destaque:

npn smd transistor

,

multi emitter transistor

Introdução

STP20NM60-STP20NM60FP-STW20NM60

STB20NM60 - STB20NM60-1

N-CANAL 600V - 0.25Ω - MOSFET do ² PAK/TO-247 MDmesh™ do ² /I de 20A TO-220/FP/D

Características gerais

TIPO VDSS RDS (sobre) Identificação

STP20NM60

STP20NM60FP

STB20NM60

STB20NM60-1

STW20NM60

600 V

600 V

600 V

600 V

600 V

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20 A

20 A

20 A

20 A

20 A

■RDS TÍPICO (sobre) = 0,25 Ω

■CAPACIDADES ALTAS de dv/dt E de AVALANCHA

■A AVALANCHA 100% TESTOU

■BAIXA CARGA ENTRADA DA CAPACIDADE E DA PORTA

■BAIXA RESISTÊNCIA ENTRADA DE PORTA

DESCRIÇÃO

O MDmesh™ é uma tecnologia revolucionária nova do MOSFET que associe o processo múltiplo do dreno com a disposição horizontal do PowerMESH™ da empresa. O produto resultante tem uma baixa em-resistência proeminente, um dv/dt impressionantemente alto e umas características excelentes da avalancha. A adoção da técnica proprietária da tira da empresa rende o desempenho dinâmico total que é significativamente melhor do que aquele dos produtos da competição similar.

APLICAÇÕES

A família de MDmesh™ é muito apropriada para a densidade de poder crescente de conversores de alta tensão permitindo a miniaturização do sistema e umas eficiências mais altas.

Avaliações máximas absolutas

Símbolo Parâmetro Valor Unidade

² PAK/DE TO-220/D

² PAK/TO-247 DE I

 TO-220FP
VDS tensão da Dreno-fonte (VGS = 0) 600 V
VDGR tensão da Dreno-porta (RGS = kΩ 20) 600 V
VGS Tensão de fonte de porta ±30 V
Identificação Drene atual (contínuo) em TC = 25°C 20 20 (*)
Identificação Drene atual (contínuo) em TC = 100°C 12,6 12,6 (*)
IDM (•?) Corrente do dreno (pulsada) 80 80 (*)
PTOT Dissipação total em TC = 25°C 192 45 W
Derating o fator 1,2 0,36 W/°C
dv/dt (1) Inclinação máxima da tensão da recuperação do diodo 15 V/ns
VISO Tensão de Winthstand da isolação (C.C.) - 2500 V
Tstg Temperatura de armazenamento -65 a 150 °C
Tj Temperatura de junção de Máximo Operating 150 °C

(•??) largura de pulso limitada pela área de funcionamento seguro

(1) ≤ 20 A do ISD, ≤ 400 A/µs de di/dt, ≤ V de VDD (BR) /DSS, ≤ TJMAX de Tj

(*) limitou somente pela temperatura máxima reservada

Pacote

Diagrama esquemático interno

Oferta conservada em estoque (venda quente)

Número da peça. Q'ty MFG D/C Pacote
SAP16NY 200 SANKEN 06+ TO-3P
LM393DR2G 25000 EM 15+ SOP-8
LM2931AD2T-5.0R4G 3000 EM 15+ SOT-263
MXL683-AF-R 3680 MAXLINEAR 16+ QFN
MPU-9150 6050 INVENSEN 14+ QFN
PIC16F648A-I/P 5108 MICROCHIP 14+ MERGULHO
LM2936DTX-3.3 3608 NSC 14+ SOT-252
MSP430G2553IPW28R 6862 SI 16+ TSSOP
PIC18F65K90-I/PT 4323 MICROCHIP 14+ TQFP
MCP809T-315I/TT 5656 MICROCHIP 11+ SOT-23
L6385ED013TR 3895 ST 14+ SOP8
LA6358N 3950 SANYO 09+ SOP-8
LM317HVT 500 NSC 14+ TO-220
CY7B933-400JXC 1046 CYPRESS 15+ PLCC
LNBH24PPR 1633 ST 14+ SSOP-36
PCA9538PW 12240 14+ TSSOP
MCP73831T-2DCI/OT 5584 MICROCHIP 16+ SOT23-5
PTH08T230WAD 800 SI 14+ MERGULHO
LMH0344SQ 2972 NSC 13+ WQFN-16
LMH0002SQ 1632 SI 14+ QFN
LM2598SX-ADJ 3000 NSC 15+ TO-263

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