Transistor 19A do Mosfet do poder do mosfet CI do poder IRF9540, 100V, 0,200 ohms, MOSFETs do poder do P-canal
npn smd transistor
,multi emitter transistor
IRF9540, RF1S9540SM
19A, 100V, 0,200 ohms, MOSFETs do poder do P-canal
Estes são transistor de efeito de campo do poder da porta de silicone do modo do realce do P-canal. São MOSFETs avançados do poder projetados, testados, e garantidos suportar um nível especificado de energia no modo da avalancha da divisão de operação. Todos estes MOSFETs do poder são projetados para aplicações tais como reguladores de interruptor, conversores de comutação, motoristas do motor, motoristas do relé, e motoristas para os transistor de interruptor bipolares do poder superior que exigem o poder de alta velocidade e baixo da movimentação da porta. Podem ser operados diretamente dos circuitos integrados.
Tipo anteriormente desenvolvente TA17521.
Características
• 19A, 100V
• RDS (SOBRE) = 0.200Ω
• A única energia da avalancha do pulso avaliou
• SOA é dissipação de poder limitada
• Velocidades de interruptor do nanossegundo
• Características de transferência lineares
• Impedância entrada alta
• Literatura relacionada - TB334 “diretrizes para componentes de superfície de solda da montagem às placas de PC”
Avaliações máximas absolutas TC = 25℃, salvo disposição em contrário
| PARÂMETRO | SÍMBOLO | IRF9540, RF1S9540SM | UNIDADES |
| Drene à tensão da fonte (nota 1) | VDS | -100 | V |
| Drene para bloquear a tensão (RGS = 20kΩ) (nota 1) | VDGR | -100 | V |
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Corrente contínua do dreno TC = 100℃ |
Identificação |
-19 -12 |
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| Corrente pulsada do dreno (nota 3) | IDM | -76 | |
| Porta à tensão da fonte | VGS | ±20 | V |
| Dissipação de poder máxima (figura 1) | Paládio | 150 | W |
| Fator Derating linear (figura 1) | 1 | W/℃ | |
| Única avaliação da energia da avalancha do pulso (nota 4) | EAS | 960 | mJ |
| Temperatura do funcionamento e de armazenamento | TJ, TSTG | -55 a 175 | ℃ |
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Temperatura máxima para soldar Ligações em 0.063in (1.6mm) do argumento para 10s O corpo do pacote para 10s, considera Techbrief 334 |
TL Tpkg |
300 260 |
℃ ℃ |
CUIDADO: Os esforços acima daqueles alistados “em avaliações máximas absolutas” podem causar dano permanente ao dispositivo. Esta é uma única avaliação do esforço e a operação do dispositivo nestes ou de nenhuma outra condições acima daqueles indicados nas seções operacionais desta especificação não é implicada.
NOTA: 1. TJ = 25℃ a 150℃.
Símbolo
Empacotamento
JEDEC TO-220AB JEDEC TO-263AB
Circuitos e formas de onda do teste
Oferta conservada em estoque (venda quente)
| Número da peça. | Q'ty | MFG | D/C | Pacote |
| L8581AAE | 2861 | LUCENT | 15+ | SOP16 |
| NUD4001DR2G | 5160 | EM | 10+ | SOP-8 |
| LM431SCCMFX | 40000 | FAI | 14+ | SOT-23-3 |
| 40TPS12APBF | 2960 | VISHAY | 13+ | TO-247 |
| MMBT5089LT1G | 40000 | EM | 16+ | SOT-23 |
| MAX8505EEE+ | 8529 | MÁXIMA | 16+ | QSOP |
| MAX1556ETB+T | 5950 | MÁXIMA | 16+ | QFN |
W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G MORDEU Winbond TW SPI
PF48F4400P0VBQEK NOVO E ORIGINAL
Memória Flash ESTOQUE NOVO E ORIGINAL de IC de DSPIC30F3011-30I/PT
ESTOQUE NOVO E ORIGINAL DE IR2110PBF
Microplaqueta de IC da memória Flash de S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz
Do BOCADO instantâneo de série da microplaqueta 3V 8M de W25Q80DVSNIG circuito integrado duplo da memória de Spi do quadrilátero
Módulo IRF520 da movimentação PWM Controlador de MOS Tube Field Effect Single-Chip
MAX485, RS485 módulo TTL RS-485 ao módulo TTL a 485
SKY65336-11 NOVO E ORIGINAL
| Imagem | parte # | Descrição | |
|---|---|---|---|
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W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G MORDEU Winbond TW SPI |
FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gbit SPI - Quad I/O 104 MHz 7 ns 8-WSON (8x6)
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PF48F4400P0VBQEK NOVO E ORIGINAL |
FLASH - NOR (MLC) Memory IC 512Mbit CFI 52 MHz 110 ns 64-LBGA (11x13)
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Memória Flash ESTOQUE NOVO E ORIGINAL de IC de DSPIC30F3011-30I/PT |
dsPIC dsPIC™ 30F Microcontroller IC 16-Bit 30 MIPs 24KB (8K x 24) FLASH 44-TQFP (10x10)
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ESTOQUE NOVO E ORIGINAL DE IR2110PBF |
Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 14-DIP
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Microplaqueta de IC da memória Flash de S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz |
FLASH - NOR Memory IC 32Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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Do BOCADO instantâneo de série da microplaqueta 3V 8M de W25Q80DVSNIG circuito integrado duplo da memória de Spi do quadrilátero |
FLASH - NOR Memory IC 8Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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Módulo IRF520 da movimentação PWM Controlador de MOS Tube Field Effect Single-Chip |
N-Channel 100 V 9.2A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
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MAX485, RS485 módulo TTL RS-485 ao módulo TTL a 485 |
1/1 Transceiver Half RS422, RS485 8-uMAX/uSOP
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SKY65336-11 NOVO E ORIGINAL |
RF Front End 2.4GHz ISM 28-MCM (8x8)
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