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Casa > produtos > microplaquetas eletrônicas do CI > Eletrônica programável de IC da microplaqueta de circuito de IC Chip Flash Ic Integrated do transistor de IRLB3034PBF

Eletrônica programável de IC da microplaqueta de circuito de IC Chip Flash Ic Integrated do transistor de IRLB3034PBF

Eletrônica programável de IC da microplaqueta de circuito de IC Chip Flash Ic Integrated do transistor de IRLB3034PBF
Eletrônica programável de IC da microplaqueta de circuito de IC Chip Flash Ic Integrated do transistor de IRLB3034PBF
fabricante:
Fabricante
Descrição:
N-Channel 40 V 195A (Tc) 375W (Tc) Through Hole TO-220AB
Categoria:
microplaquetas eletrônicas do CI
Preço:
Negotiation
Método do pagamento:
T/T, Western Union, Paypal
Especificações
Temperature Range:
-65°C to +150°C
Payment Term:
T/T, Paypal, Western Union
Voltage:
100V
Current:
6A
Package:
TO-220AB
Factory Package:
TUBE
Destaque:

npn smd transistor

,

silicon power transistors

Introdução

IRLB3034

Aplicações

? Movimentação do motor da C.C.? Correção síncrono da eficiência elevada em SMPS?

Fonte de alimentação ininterrupta? Poder de alta velocidade

Interruptor? Circuitos duramente comutados e de alta frequência

Benefícios?

Aperfeiçoado para a movimentação do nível da lógica? Baixo RDS mesmo (SOBRE) em 4.5V VGS? R*Q superior em 4.5V VGS? Porta melhorada, avalancha e aspereza dinâmica de dV/dt? Capacidade inteiramente caracterizada e avalancha SOA? Diodo aumentado dV/dt do corpo e capacidade de dI/dt? TO-2 sem chumbo

DESCRIÇÃO:

O SEMICONDUTOR CENTRAL CSHD6-100C é um retificador de Schottky do silicone projetado para as aplicações de alta tensão da montagem de superfície que exigem uma baixa queda de tensão dianteira.

AVALIAÇÕES MÁXIMAS: (TC=25°C salvo disposição em contrário)

Tensão reversa repetitiva máxima VRRM 100 V

Corrente dianteira retificada média (TC=120°C) IO 6,0 A

Corrente de impulso dianteiro máxima (tp=10ms) IFSM 50 A

Corrente de impulso reversa repetitiva máxima (tp=2ms) IRRM 1,0 A

Taxa crítica de elevação da tensão reversa dv/dt 10.000 V/ms

Temperatura de junção TJ do funcionamento e do armazenamento, Tstg -65 a °C +150

Resistência térmica QJC 3,5 °C/W

Uma parte da lista conservada em estoque

RES 0402 390R 1% RC0402FR-07390RL YAGEO 1620 SMD0402
RES 0402 47K 1% RC0402FR-0747KL YAGEO 1640 SMD0402
RES 0402 68K 1% RC0402FR-0768KL YAGEO 1634 SMD0402
RES 0402 2K2 1% RC0402FR-072K2L YAGEO 1643 SMD0402
MAX3491EESD (+T) MÁXIMA 1625 SOP-14
CDSOT23-SM712 BOURNS 1545/712 SOT-23
TISP4240M3BJT-S BOURNS 1629 DO-214AA
BT169D N451 TO-92
NJM7812FA JRC 1511 TO-220F
NJM7912FA JRC 1606 TO-220F
SN74LS244N SI 1614+5 DIP-20
BFR91A VISHAY 1625 TO-50
BT151-800R 608 TO-220
LM293DMR2G EM RVB/1628 RGU/1621 MSOP8
G42180-01 SSC 9A16 Diodo emissor de luz
IRL3713 IR 520P TO-220
ATMEGA32A-AU ATMEL 1602 QFP44
TORX178B TOSHIBA 0205 DIP-3
2SK170BL TOSHIBA 3FW TO-92
BD140 55 TO-126
BD911 FSC L08 TO-220
(Adicione) OPA333AIDCKT SI BQY SC70-5
LM3578AM NSC CSRC SOP-8
LPC2148FBD64,151 1413 LQFP-64
AD8307ARZ- RL7 ANÚNCIO 321 SOP-8
XC9572XL-10PCG44C XILINX 1025 PLCC44
HEF4069UBT 1636 SOP-14
MAX861ISA MÁXIMA 306 SOP-8
DDTC143XCA-7-F DIODOS 1608/N09/Z8,1601/N09/A1 SOT-23
EM2860 EMPIA 1252 QFP-64
UPC251C NEC 1.213 DIP-8
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