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Casa > produtos > microplaquetas eletrônicas do CI > Mosfet CI CI elétrico do poder do transistor do Mosfet do poder de IRFZ44NPBF

Mosfet CI CI elétrico do poder do transistor do Mosfet do poder de IRFZ44NPBF

Mosfet CI CI elétrico do poder do transistor do Mosfet do poder de IRFZ44NPBF
Mosfet CI CI elétrico do poder do transistor do Mosfet do poder de IRFZ44NPBF
fabricante:
Fabricante
Descrição:
N-Channel 55 V 49A (Tc) 94W (Tc) Through Hole TO-220AB
Categoria:
microplaquetas eletrônicas do CI
Preço:
Negotiate
Método do pagamento:
T/T, Western Union, Paypal
Especificações
Continuous Drain Current:
49 A
Pulsed Drain Current:
160 A
Power Dissipation:
94 W
Linear Derating Factor:
0.63 W/°C
Gate-to-Source Voltage:
± 20 V
Repetitive Avalanche Energy:
9.4 mJ
Destaque:

npn smd transistor

,

multi emitter transistor

Introdução

Oferta conservada em estoque (venda quente)

Número da peça. Quantidade Tipo D/C Pacote
STU404D 5000 SAMHOP 15+ TO252
TB6560AHQ 5000 TOSHIBA 16+ FECHO DE CORRER
TC4001BP 5000 TOSHIBA 16+ DIP-14
TCA785 5000 INFINECN 14+ MERGULHO
TCN75AVOA 5000 MICROCHIP 14+ SOIC-8
TCN75AVOA713 5000 MICROCHIP 14+ SOP8
TDA1524A 5000 16+ MERGULHO
TL072CP 5000 SI 16+ DIP8
TLP127 5000 TOSHIBA 13+ CONCESSÃO
TLP620-4 5000 TOSHIBA 15+ MERGULHO
TOP244YN 5000 PODER 16+ TO-220
TS274CDT 5000 ST 16+ SOP-14
TS924AIDT 5000 ST 14+ SOP-14
ST DE UC3844BD 5000 ST 14+ SOP8
UDA1341TS 5000 14+ SSOP28
VIPER22A 5000 ST 16+ DIP-8
VLF4012AT-4R7M1R1 5000 TDK 16+ SMD
PBSS5160T 5001 13+ SOT-23
PL2303 5001 PROLÍFICO 15+ SSOP
NDT451AN 5002 FSC 16+ SOT223
MAX1681ESA 5008 MÁXIMA 16+ SOP8
HFJ11-2450E-L12 5009 HALOELECT 14+ RJ45
L6598 5010 ST 14+ SOP16
ZM4744A 5100 VISHAY 14+ LL41
HCNW136 5101 AVAGO 16+ DIP8
CQ1565RT 5111 FAIRCHILD 16+ TO-220
FZT758TA 5111 ZETEX 13+ SOT223
LM324DR 5111 SI 15+ SOP-14
TFA9842 5112 16+ FECHO DE CORRER
MAX483ESA 5117 MÁXIMA 16+ SOP-8

IRFZ44NPbF

MOSFET do poder de HEXFET®

  • Tecnologia de processamento avançada?
  • Em-resistência ultra baixa?
  • Avaliação dinâmica de dv/dt?
  • temperatura de funcionamento 175°C?
  • Interruptor rápido?
  • Inteiramente avalancha avaliada?
  • Sem chumbo

VDSS = 55V

RDS (sobre) = 17.5mΩ

Identificação = 49A

Descrição

Os MOSFETs avançados do poder de HEXFET® do retificador internacional utilizam técnicas de processamento avançadas para conseguir extremamente - a baixa em-resistência pela área do silicone. Este benefício, combinado com a velocidade de comutação rápida e o projeto ruggedized do dispositivo que os MOSFETs do poder de HEXFET são conhecidos para, fornece o desenhista um dispositivo extremamente eficiente e seguro para o uso em uma grande variedade de aplicações.

O pacote TO-220 é preferido universalmente para todas as aplicações comercial-industriais a níveis da dissipação de poder a aproximadamente 50 watts. A baixa resistência térmica e o baixo custo do pacote do TO-220 contribuem a sua aceitação larga durante todo a indústria.

Avaliações máximas absolutas

Parâmetro Máximo. Unidades
Identificação @ TC = 25°C Corrente contínua do dreno, VGS @ 10V 49
Identificação @ TC = 100°C Corrente contínua do dreno, VGS @ 10V 35
IDM Corrente pulsada do dreno? 160
Paládio @TC = 25°C Dissipação de poder 94 W
Fator Derating linear 0,36 W/°C
VGS Tensão da Porta-à-fonte ± 20 V
IAR Corrente da avalancha? 25
ORELHA Energia repetitiva da avalancha? 9,4 mJ
dv/dt Recuperação máxima dv/dt do diodo 5,0 V/ns

TJ

TSTG

Junção de funcionamento e

Variação da temperatura do armazenamento

 -55 + a 175 °C
Temperatura de solda, por 10 segundos 300 (1.6mm do caso) °C
Montando o torque, o 6-32 ou o srew M3 10 lbf•em (1.1N•m)

Esboço do pacote de TO-220AB

As dimensões são mostradas nos milímetros (as polegadas)

Informação de marcação da peça de TO-220AB

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