IRF2807 3 Pin Transistor, circuitos integrados de comutação da eletrônica do mosfet IC do poder
npn smd transistor
,multi emitter transistor
IRF2807 MOSFET instantâneo do poder da eletrônica de IC da microplaqueta do circuito integrado do transistor CI
Características da saída:
l avançou a tecnologia de processamento
l Em-resistência ultra baixa
l avaliação dinâmica de dv/dt
l temperatura de funcionamento de 175°C
l interruptor rápido
l inteiramente avalancha avaliada
Especificações chaves:
Os MOSFETs avançados do poder de HEXFET® do retificador internacional utilizam técnicas de processamento avançadas para conseguir extremamente - a baixa em-resistência pela área do silicone.
Este benefício, combinado com a velocidade de comutação rápida e o projeto ruggedized do dispositivo que os MOSFETs do poder de HEXFET são conhecidos para, fornece o desenhista um dispositivo extremamente eficiente e seguro para o uso em uma grande variedade de aplicações.
O pacote TO-220 é preferido universalmente para todas as aplicações comercial-industriais a níveis da dissipação de poder a aproximadamente 50 watts. A baixa resistência térmica e o baixo custo do pacote do TO-220 contribuem a sua aceitação larga durante todo a indústria.
Avaliações máximas absolutas
Identificação @ corrente contínua do dreno TC = 25°C, VGS @ 10V
identificação de 82 @ corrente contínua do dreno TC = 100°C, VGS @ 10V 58 A
IDM pulsados drenam o paládio atual do 280 @TC = 25°C
Derating linear de W da dissipação de poder 230 fatora 1,5 W/°C
± 20 V da tensão da Porta-à-fonte de VGS
atual 43 A da avalancha de IAR
repetitivo 23 mJ dv/dt da energia da avalancha da ORELHA
máximo 5,9 V/ns TJ da recuperação dv/dt do diodo
Junção de funcionamento e -55 + a 175
Temperatura de solda da variação da temperatura do armazenamento de TSTG, para 10 o °C dos segundos 300 (1.6mm do caso) que monta o torque, 6-32 ou srew M3 10 lbf•em (1.1N•m)
Uma parte da lista conservada em estoque
| TAMPÃO 0603 56PF 16V 0603N560K160CT | WALSIN | 16/04/27 | SMD0603 |
| C.I SP3203ECY-L/TR | SIPEX | 0616 | TSSOP-20 |
| C.I AT89S52-24PU | ATMEL | 1602 | DIP-40 |
| DIODO M7 | MIC | 1625 | SMA |
| DIODO BZX84C15LT1G | EM | 1630/Y4 | SOT-23 |
| MMBD4148-7-F | DIODOS | 1617/KA2 | SOT-23 |
| TRANSPORTE MMBTA42LT1G | EM | 1635/1D | SOT-23 |
| DIODO. BYG20J-E3/TR | VISHAY | 1632 | SMA |
| TRANSPORTE NDD04N60ZT4G | EM | 1143/A43/4N60ZG | TO-252 |
| C.I UBA3070T | 1333 | SOP-8 | |
| TAMPÃO 0402 1UF 6.3V X7R GRM155R70J105KA12D | MURATA | IA6026DP4 | SMD0402 |
| TAMPÃO 0402 47NF 25V X7R GRM155R71E473JA88D | MURATA | IA6026DP4 | SMD0402 |
| TAMPÃO 0402 100NF 16V X7R 55 GRM155R71C104JA88D | MURATA | IA6009DI8 | SMD0402 |
| TAMPÃO ELETR 470UF 16V RF1C471MTBF35008012 | NANTUNG | ||
| TAMPÃO 0805 10UF 6,3V X5R JMK212BJ106KD-T | TAIYOYUDEN | 1609 | SMD0805 |
| 4N25M OPTO | FSC | 637Q | DIP-6 |
| TRIAC BT151-500R | 603 | TO-220 |
0402 filme grosso Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT
200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A para a linha elétrica TDK SMD0603
filme SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC de 22R 5%
Varistor SMD azul Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuito através do disco 20mm do furo
Do silicone de uso geral do diodo de retificador de 2SB1261-TP 10W transistor planar Epitaxial de Pnp
Mosfet polar Hiperfet TO264 300V 140A do poder de IXFK140N30P
DF2B29FU, diodos da proteção das tevês 24VWM 47V ESD de H3F
Retificador MEGA SOD123 da barreira de PMEG6010ER 1A baixo VF Schottky
Os diodos de retificador da barreira de SK34SMA 3A SMD Schottky FAZEM - 214AC