IRF9540NPBF 3 Pin Transistor, MOSFET instantâneo de Chip Power do circuito integrado do CI
multi emitter transistor
,silicon power transistors
IRF2807 MOSFET instantâneo do poder da eletrônica de IC da microplaqueta do circuito integrado do transistor CI
Características da saída:
l avançou a tecnologia de processamento
l avaliação dinâmica de dv/dt
l temperatura de funcionamento de 175°C
l interruptor rápido
l P-canal l inteiramente avalancha avaliada
Especificações chaves:
A quinta geração HEXFETs do retificador internacional utiliza técnicas de processamento avançadas para conseguir extremamente - a baixa em-resistência pela área do silicone.
Este benefício, combinado com a velocidade de comutação rápida e o projeto ruggedized do dispositivo que os MOSFETs do poder de HEXFET são conhecidos para, fornece o desenhista um dispositivo extremamente eficiente e seguro para o uso em uma grande variedade de aplicações.
O pacote TO-220 é preferido universalmente para todas as aplicações comercial-industriais a níveis da dissipação de poder a aproximadamente 50 watts. A baixa resistência térmica e o baixo custo do pacote do TO-220 contribuem a sua aceitação larga durante todo a indústria
Avaliações máximas absolutas
Identificação @ corrente contínua do dreno TC = 25°C, VGS @ 10V
identificação de 82 @ corrente contínua do dreno TC = 100°C, VGS @ 10V 58 A
IDM pulsados drenam o paládio atual do 280 @TC = 25°C
Derating linear de W da dissipação de poder 230 fatora 1,5 W/°C
± 20 V da tensão da Porta-à-fonte de VGS
atual 43 A da avalancha de IAR
repetitivo 23 mJ dv/dt da energia da avalancha da ORELHA
máximo 5,9 V/ns TJ da recuperação dv/dt do diodo
Junção de funcionamento e -55 + a 175
Temperatura de solda da variação da temperatura do armazenamento de TSTG, para 10 o °C dos segundos 300 (1.6mm do caso) que monta o torque, 6-32 ou srew M3 10 lbf•em (1.1N•m)
Uma parte da lista conservada em estoque
| TAMPÃO 0603 56PF 16V 0603N560K160CT | WALSIN | 16/04/27 | SMD0603 |
| C.I SP3203ECY-L/TR | SIPEX | 0616 | TSSOP-20 |
| C.I AT89S52-24PU | ATMEL | 1602 | DIP-40 |
| DIODO M7 | MIC | 1625 | SMA |
| DIODO BZX84C15LT1G | EM | 1630/Y4 | SOT-23 |
| MMBD4148-7-F | DIODOS | 1617/KA2 | SOT-23 |
| TRANSPORTE MMBTA42LT1G | EM | 1635/1D | SOT-23 |
| DIODO. BYG20J-E3/TR | VISHAY | 1632 | SMA |
| TRANSPORTE NDD04N60ZT4G | EM | 1143/A43/4N60ZG | TO-252 |
| C.I UBA3070T | 1333 | SOP-8 | |
| TAMPÃO 0402 1UF 6.3V X7R GRM155R70J105KA12D | MURATA | IA6026DP4 | SMD0402 |
| TAMPÃO 0402 47NF 25V X7R GRM155R71E473JA88D | MURATA | IA6026DP4 | SMD0402 |
| TAMPÃO 0402 100NF 16V X7R 55 GRM155R71C104JA88D | MURATA | IA6009DI8 | SMD0402 |
| TAMPÃO ELETR 470UF 16V RF1C471MTBF35008012 | NANTUNG | ||
| TAMPÃO 0805 10UF 6,3V X5R JMK212BJ106KD-T | TAIYOYUDEN | 1609 | SMD0805 |
| 4N25M OPTO | FSC | 637Q | DIP-6 |
| TRIAC BT151-500R | 603 | TO-220 |
W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G MORDEU Winbond TW SPI
PF48F4400P0VBQEK NOVO E ORIGINAL
Memória Flash ESTOQUE NOVO E ORIGINAL de IC de DSPIC30F3011-30I/PT
ESTOQUE NOVO E ORIGINAL DE IR2110PBF
Microplaqueta de IC da memória Flash de S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz
Do BOCADO instantâneo de série da microplaqueta 3V 8M de W25Q80DVSNIG circuito integrado duplo da memória de Spi do quadrilátero
Módulo IRF520 da movimentação PWM Controlador de MOS Tube Field Effect Single-Chip
MAX485, RS485 módulo TTL RS-485 ao módulo TTL a 485
SKY65336-11 NOVO E ORIGINAL
| Imagem | parte # | Descrição | |
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W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G MORDEU Winbond TW SPI |
FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gbit SPI - Quad I/O 104 MHz 7 ns 8-WSON (8x6)
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PF48F4400P0VBQEK NOVO E ORIGINAL |
FLASH - NOR (MLC) Memory IC 512Mbit CFI 52 MHz 110 ns 64-LBGA (11x13)
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Memória Flash ESTOQUE NOVO E ORIGINAL de IC de DSPIC30F3011-30I/PT |
dsPIC dsPIC™ 30F Microcontroller IC 16-Bit 30 MIPs 24KB (8K x 24) FLASH 44-TQFP (10x10)
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ESTOQUE NOVO E ORIGINAL DE IR2110PBF |
Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 14-DIP
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Microplaqueta de IC da memória Flash de S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz |
FLASH - NOR Memory IC 32Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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Do BOCADO instantâneo de série da microplaqueta 3V 8M de W25Q80DVSNIG circuito integrado duplo da memória de Spi do quadrilátero |
FLASH - NOR Memory IC 8Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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Módulo IRF520 da movimentação PWM Controlador de MOS Tube Field Effect Single-Chip |
N-Channel 100 V 9.2A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
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MAX485, RS485 módulo TTL RS-485 ao módulo TTL a 485 |
1/1 Transceiver Half RS422, RS485 8-uMAX/uSOP
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SKY65336-11 NOVO E ORIGINAL |
RF Front End 2.4GHz ISM 28-MCM (8x8)
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