Componentes, dispositivos eletrónicos e circuitos integrados do transistor de IRFP9140N
npn smd transistor
,silicon power transistors
Componentes, dispositivos eletrónicos e circuitos integrados do transistor de IRFP9140N
Descrição
A quinta geração HEXFETs do retificador internacional utiliza técnicas de processamento avançadas para conseguir extremamente - a baixa em-resistência pela área do silicone.
Este benefício, combinado com a velocidade de comutação rápida e o projeto ruggedized do dispositivo que os MOSFETs do poder de HEXFET são conhecidos para, fornece o desenhista um dispositivo extremamente eficiente e seguro para o uso em uma grande variedade de aplicações.
O pacote TO-247 é preferido para níveis de poder mais alto commercialindustrial das aplicações onde impossibilitar o uso dos dispositivos TO-220. O TO-247 é similar mas superior ao pacote TO-218 mais adiantado devido a seu furo de montagem isolado.
Características
l avançou a tecnologia de processamento
l avaliação dinâmica de dv/dt
l temperatura de funcionamento de 175°C
l P-canal l interruptor rápido
l inteiramente avalancha avaliada
| C.I MM74HC164MX | FSC | P0552AD/P9FAD | SOP-14 |
| DIODO BYG23M-E3/TR | VISHAY | 1632 | SMA |
| DIODO SML4742A-E3/61 | VISHAY | 1632/12 | SMA |
| DIODO BYG23M-E3/TR | VISHAY | 1632 | SMA |
| DIODO SML4742A-E3/61 | VISHAY | 1632/12 | SMA |
| RES 2010 330R 5% CRCW2010330RJNEF | VISHAY | 1612 | SMD2010 |
| RES 2010 68K 5% CRCW201068K0JNEF | VISHAY | 1612 | SMD2010 |
| C.I MCP6S26-I/SL | MICROCHIP | 16255C4 | SOP-14 |
| ACOPLADOR. PC817A | AFIADO | 2016.08.10/H33 | DIP-4 |
| TRANSPORTE 2SS52M | Honeywell | 2SSM/523-LF | TO-92 |
| C.I SCC2691AC1D24 | 1149+ | SOP-24 | |
| C.I TP3057WM | SI | XM33AF | SOP-16 |
| C.I CD14538BE | SI | 33ADS8K | DIP-16 |
| C.I CL2N8-G | MICROCHIP | CL2C | SOT-89 |
| C.I SN75179BP | SI | 57C50DM | DIP-8 |
| C.I L6219DS | ST | 135 | SOP-24 |
| TAMPÃO 1210 470PF 1KV NP0 CL32C471JIINNNE | SAMSUNG | AC7JO2H | SMD1210 |
| INDUTOR 3.3UH SLF6045T-3R3N2R8-3PF | TDK | YA16H0945122/3R3 | SMD6045 |
| TAMPÃO ELCO SMD 2.2UF 50V EEE-1HA2R2SR | BANDEJA | Y1628F843536/2.2/50V/SYK | SMD4*5.4 |
| C.I 24LC256-I/SN | MICROCHIP | 1636M6G | SOP-8 |
| TAMPÃO ELCO SMD 150UF 25V UCD1E151MNL1GS | NICHICON | 160602/150/25V/H72 | SMD8*10.5 |
| RES RC0805JR-0727RL | YAGEO | 1538 | SMD0805 |
| C.I SN75240PW | SI | 11/A75240 | MSOP-8 |
| RES RC0805JR-0715KL | YAGEO | 1637 | SMD0805 |
| TAMPÃO CER 0805 1UF 10V X7R LMK212BJ105MG-T | TAIYOYUDEN | 1608 | SMD0805 |
| TAMPÃO CER 0805 4.7UF 50V X5R CL21A475KBQNNNE | SAMSUNG | AC7JO2H | SMD0805 |
| RES 0805 28K7 RC0805FR-0728K7L 1% | YAGEO | 1638 | SMD0805 |
| CASO 0805RC0805JR-073K3L do RES 3K3 5% | YAGEO | 1623 | SMD0805 |
| TRIAC BTA26-600BRG | ST | 628 | TO-3P |
| TAMPÃO 0805 330NF 100V C2012X7S2A334K125AB | TDK | IB16F15763SD | SMD0805 |
Corrente contínua do dreno, identificação de VGS @ -10V -23 @ TC = 100°C
Corrente contínua do dreno, VGS @ -10V -16 A
IDM pulsados drenam o paládio atual do -76 do @TC = 25°C
Derating linear de W da dissipação de poder 140 fatora 0,91 W/°C
± 20 V da tensão da Porta-à-fonte de VGS
430 mJ do da energia da avalancha do pulso de EAS único
atual -11 A da avalancha de IAR
repetitivo 14 mJ dv/dt da energia da avalancha da ORELHA
máximo -5,0 V/ns do da recuperação dv/dt do diodo
Junção de funcionamento e -55 de TJ + a 175 TSTG
Temperatura de solda da variação da temperatura do armazenamento, para 10 o °C dos segundos 300 (1.6mm do caso)
AOZ1021AI Chipe de circuito integrado eletrônico NOVO E ORIGINAL
AOZ1210AI Chipe de circuito integrado eletrônico NOVO E ORIGINAL
TNY274GN NOVO E ORIGINAL
| Imagem | parte # | Descrição | |
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AOZ1021AI Chipe de circuito integrado eletrônico NOVO E ORIGINAL |
Buck Switching Regulator IC Positive Adjustable 0.8V 1 Output 3A 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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AOZ1210AI Chipe de circuito integrado eletrônico NOVO E ORIGINAL |
Buck Switching Regulator IC Positive Adjustable 0.8V 1 Output 2A 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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TNY274GN NOVO E ORIGINAL |
Converter Offline Flyback Topology 132kHz SMD-8C
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