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MOSFET eletrônico do poder dos componentes da eletrônica do transistor IRFPE50

MOSFET eletrônico do poder dos componentes da eletrônica do transistor IRFPE50
MOSFET eletrônico do poder dos componentes da eletrônica do transistor IRFPE50
fabricante:
Fabricante
Descrição:
N-Channel 800 V 7.8A (Tc) 190W (Tc) Through Hole TO-247AC
Categoria:
microplaquetas eletrônicas do CI
Preço:
Negotiation
Método do pagamento:
T/T, Western Union, Paypal
Especificações
Temperature Range:
–55 to +150°C
Payment Term:
T/T, Paypal, Western Union
Voltage:
±20V
Current:
4.9A
Package:
TO-247
Factory Package:
TUBE
Destaque:

npn smd transistor

,

silicon power transistors

Introdução

MOSFET eletrônico do poder dos componentes da eletrônica do transistor IRFPE50

Características

• Avaliação dinâmica de dV/dt

• Avalancha repetitiva avaliada

• Furo de montagem central isolado

• Interruptor rápido

• Facilidade da paralelização

• Exigências simples da movimentação

• Ligação (Pb) - disponível livre

C.I MM74HC164MX FSC P0552AD/P9FAD SOP-14
DIODO BYG23M-E3/TR VISHAY 1632 SMA
DIODO SML4742A-E3/61 VISHAY 1632/12 SMA
DIODO BYG23M-E3/TR VISHAY 1632 SMA
DIODO SML4742A-E3/61 VISHAY 1632/12 SMA
RES 2010 330R 5% CRCW2010330RJNEF VISHAY 1612 SMD2010
RES 2010 68K 5% CRCW201068K0JNEF VISHAY 1612 SMD2010
C.I MCP6S26-I/SL MICROCHIP 16255C4 SOP-14
ACOPLADOR. PC817A AFIADO 2016.08.10/H33 DIP-4
TRANSPORTE 2SS52M Honeywell 2SSM/523-LF TO-92
C.I SCC2691AC1D24 1149+ SOP-24
C.I TP3057WM SI XM33AF SOP-16
C.I CD14538BE SI 33ADS8K DIP-16
C.I CL2N8-G MICROCHIP CL2C SOT-89
C.I SN75179BP SI 57C50DM DIP-8
C.I L6219DS ST 135 SOP-24
TAMPÃO 1210 470PF 1KV NP0 CL32C471JIINNNE SAMSUNG AC7JO2H SMD1210
INDUTOR 3.3UH SLF6045T-3R3N2R8-3PF TDK YA16H0945122/3R3 SMD6045
TAMPÃO ELCO SMD 2.2UF 50V EEE-1HA2R2SR BANDEJA Y1628F843536/2.2/50V/SYK SMD4*5.4
C.I 24LC256-I/SN MICROCHIP 1636M6G SOP-8
TAMPÃO ELCO SMD 150UF 25V UCD1E151MNL1GS NICHICON 160602/150/25V/H72 SMD8*10.5
RES RC0805JR-0727RL YAGEO 1538 SMD0805
C.I SN75240PW SI 11/A75240 MSOP-8
RES RC0805JR-0715KL YAGEO 1637 SMD0805
TAMPÃO CER 0805 1UF 10V X7R LMK212BJ105MG-T TAIYOYUDEN 1608 SMD0805
TAMPÃO CER 0805 4.7UF 50V X5R CL21A475KBQNNNE SAMSUNG AC7JO2H SMD0805
RES 0805 28K7 RC0805FR-0728K7L 1% YAGEO 1638 SMD0805
CASO 0805RC0805JR-073K3L do RES 3K3 5% YAGEO 1623 SMD0805
TRIAC BTA26-600BRG ST 628 TO-3P
TAMPÃO 0805 330NF 100V C2012X7S2A334K125AB TDK IB16F15763SD SMD0805

Descrições

Os MOSFETs do poder da terceira geração de Vishay fornecem o desenhista a melhor combinação de interruptor rápido, de projeto ruggedized do dispositivo, de baixa em-resistência e de rentabilidade.

O pacote TO-247 é preferido para níveis de poder mais alto comercial-industriais das aplicações onde impossibilitar o uso dos dispositivos TO-220.

O TO-247 é similar mas superior ao pacote TO-218 mais adiantado devido a seu furo de montagem isolado. Igualmente fornece a maior distância de dispersão entre os pinos para cumprir as exigências da maioria de especificações de segurança.

Avaliações máximas absolutas TC = 25oC, salvo disposição em contrário

Tensão VDS 800 V da Dreno-fonte

± 20 da tensão VGS da Porta-fonte

Dreno contínuo VGS atual em 10 V

TC = identificação 7,8 de 25 °C TC = 100 °C 4,9 A

Pulsado drene Currenta IDM 31

Derating linear fatora 1,5 W/°C

Única avalancha Energyb EAS 770 mJ do pulso

Avalancha repetitiva Currenta IAR 7,8 A

ORELHA repetitiva 19 mJ de Energya da avalancha

Dissipação de poder máxima TC = paládio 190 W de 25 °C

Recuperação máxima dV/dtc dV/dt 2,0 V/ns do diodo

Variação da temperatura de funcionamento TJ da junção e do armazenamento, Tstg - 55 + ao °C 150

Recomendações de solda (temperatura máxima) para 10 s 300d

Montando o parafuso 6-32 ou M3 do torque 10 lbf · em 1,1 N · m

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