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Casa > produtos > microplaquetas eletrônicas do CI > FET do nível da lógica do FET TrenchMOS do MOS do canal de BUK9237-55A 3 Pin Transistor N

FET do nível da lógica do FET TrenchMOS do MOS do canal de BUK9237-55A 3 Pin Transistor N

FET do nível da lógica do FET TrenchMOS do MOS do canal de BUK9237-55A 3 Pin Transistor N
FET do nível da lógica do FET TrenchMOS do MOS do canal de BUK9237-55A 3 Pin Transistor N
fabricante:
Fabricante
Descrição:
N-Channel 55 V 32A (Tc) 77W (Tc) Surface Mount DPAK
Categoria:
microplaquetas eletrônicas do CI
Preço:
Negotiate
Método do pagamento:
T/T, Western Union, Paypal
Especificações
drain-source voltage:
55 V
drain-gate voltage:
55 V
gate-source voltage:
±15 V
drain current:
32 A
total power dissipation:
77 W
Package:
SOT428 (D-PAK)
Destaque:

npn smd transistor

,

multi emitter transistor

Introdução

Oferta conservada em estoque (venda quente)

Número da peça. Quantidade Tipo D/C Pacote
LD1117S25TR 39000 ST 13+ SOT-223
LD1117S33CTR 32000 ST 16+ SOT-223
LD39015M18R 8024 ST 16+ SOT23-5
LD39300PT33-R 6785 ST 14+ TO-252
LD7531AMGL 16615 LD 16+ SOT23-6
LD7830GR 9996 LD 15+ SOP-8
LDB212G4005C-001 56000 MURATA 14+ SMD
LF25CDT 21498 ST 13+ TO-252
LF347MX 7640 NS 00+ SOP-14
LFB212G45SG8A192 40000 MURATA 16+ SMD
LFCN-400+ 1736 MINI 14+ SMD
LFCN-80+ 3554 MINI 15+ SMD
LFCN-900+ 3324 MINI 15+ SMD
LFE2M100E-6FN900C-5I 256 ESTRUTURA 16+ BGA900
LFXP2-8E-5TN144C 1363 ESTRUTURA 16+ QFP144
LH1518AABTR 3172 VISHAY 04+ SMD-6
LH1520AAC 8563 VISHAY 13+ SOP-8
LH1540AABTR 5958 VISHAY 00+ SOP-6
LH5116NA-10 14603 AFIADO 13+ SOP-24
LHI878/3902 14674 HEIMANN 10+ CAN-3
LIS2DH12TR 7611 ST 15+ LGA12
LIS3DHTR 4847 ST 14+ LGA16
LL4004 15000 ST 16+ LL41
LL4148-GS08 45000 VISHAY 15+ LL34
LLQ2012-F56NJ 12000 TOKO 16+ SMD
LM1086CSX-3.3 21569 NS 15+ TO-263
LM1086CT-3.3 15605 NS 15+ TO-220
LM111J-8 5202 NSC 15+ CDIP-8
LM19CIZ 4073 NS 16+ TO-92
LM201AN 4387 EM 16+ DIP-8

FET do nível da lógica de BUK9237-55A TrenchMOS™

Descrição

transistor de poder do efeito de campo do modo do realce do N-canal em um pacote plástico usando a tecnologia TrenchMOS™1, caracterizando a resistência muito baixa do em-estado.

Disponibilidade de produto: BUK9237-55A em SOT428 (D-PAK).

Características

■Tecnologia de TrenchMOS™

■Q101 complacente

■o °C 175 avaliou

■Nível da lógica compatível.

Aplicações

■Interruptor automotivo e de uso geral do poder:

◆12 V e 24 cargas de V

◆Motores, lâmpadas e solenoides.

Valores de limitação

De acordo com o sistema de avaliação máxima absoluta (IEC 60134)

Símbolo Parâmetro Circunstâncias Minuto Máximo Unidade
VDS tensão da dreno-fonte (C.C.) - 55 V
VDGR tensão da dreno-porta (C.C.) RGS = kΩ 20 - 55 V
VGS tensão da porta-fonte (C.C.) - ±15 V
Identificação corrente do dreno (C.C.) Tmb = °C 25; VGS = 5 V; Figura 2 e 3 - 32
Tmb = °C 100; VGS = 5 V; Figura 2 - 22
IDM corrente máxima do dreno Tmb = °C 25; pulsado; µs do ≤ 10 do tp; Figura 3 - 129
Ptot dissipação de poder total Tmb = °C 25; Figura 1 - 77 W
Tstg temperatura de armazenamento -55 +175 °C
Tj temperatura de junção de funcionamento -55 +175 °C
diodo do Fonte-dreno
IDR corrente reversa do dreno (C.C.) Tmb = °C 25 - 32
IDRM corrente reversa máxima do dreno Tmb = °C 25; pulsado; µs do ≤ 10 do tp - 129
Aspereza da avalancha
WDSS energia não-repetitiva da avalancha

carga indutiva unclamped; IDENTIFICAÇÃO = 32 A; ≤ 30 V DE VDS;

VGS = 5 V; RGS = Ω 50; começando Tj = °C 25

 - 76 mJ

Esboço do pacote

O plástico único-terminou o pacote montado de superfície (versão de Philips de D-PAK); 3 ligações

(uma ligação colheu) SOT428

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