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40TPS12APBF 3 Pinos Transistor Triacs Porta Sensível

40TPS12APBF 3 Pinos Transistor Triacs Porta Sensível
40TPS12APBF 3 Pinos Transistor Triacs Porta Sensível
fabricante:
Fabricante
Descrição:
SCR 1.2 kV 55 A Standard Recovery Through Hole TO-247AC
Categoria:
microplaquetas eletrônicas do CI
Preço:
Negotiate
Método do pagamento:
T/T, Western Union, Paypal
Especificações
Maximum peak gate power:
10 W
Maximum average gate power:
2.5 W
Maximum peak gate current:
2.5 A
Maximum peak negative gate voltage:
10 V
Maximum junction and storage temperature:
- 40 to 125 °C
Maximum average on-state current:
35 A
Destaque:

npn smd transistor

,

silicon power transistors

Introdução

Oferta conservada em estoque (venda quente)

Número da peça. Quantidade Tipo D/C Pacote
SN74ACT08PWR 104000 SI 10+ TSSOP-14
SN74AHC08DR 79000 SI 16+ SOP-14
SN74AHC123ADR 12426 SI 16+ SOP-16
SN74AHC125DR 44000 SI 05+ SOP-14
SN74AHC126PWR 85000 SI 16+ TSSOP-14
SN74AHC14DR 35000 SI 04+ SOP-14
SN74AHC573DWR 15266 SI 16+ SOP-20
SN74AHCT245DWR 15976 SI 15+ SOP-20
SN74ALVC125DR 12497 SI 11+ SOP-14
SN74ALVC164245DGGR 4016 SI 15+ TSS0P-48
SN74ALVCH162373GR 6196 SI 10+ TSS0P-48
SN74AUP1G14DCKR 86000 SI 14+ SOT-353
SN74AVC4T774PWR 17150 SI 16+ TSSOP-16
SN74CBT3244DWR 6730 SI 16+ SOP-20
SN74F374DWR 37000 SI 14+ SOP-20
SN74HC00N 72000 SI 16+ DIP-14
SN74HC05DR 96000 SI 16+ SOP-14
SN74HC157PWR 73000 SI 05+ TSSOP-16
SN74HC164N 26000 SI 16+ DIP-14
SN74HC20DR 39000 SI 10+ SOP-14
SN74HC21DR 48000 SI 97+ SOP-14
SN74HC240N 6817 SI 16+ DIP-20
SN74HC244N 13491 SI 16+ DIP-20
SN74HC273DWR 8000 SI 08+ SOP-20
SN74HC273N 13988 SI 16+ DIP-20
SN74HC273NSR 13562 SI 16+ SOP-20
SN74HC32DR 45000 SI 16+ SOP-14
SN74HC32N 74000 SI 16+ SOP14-5.2
SN74HC373DWR 43000 SI 15+ SOP-20
SN74HC4040PWR 20403 SI 08+ TSSOP-16

Série de alta tensão de 40TPS… APbF/40TPS… PbF

SCR do controle de fase, 35 A

DESCRIPTION/FEATURES

As séries de alta tensão de 40TPS… APbF de retificadores controlados de silicone são projetadas especificamente para aplicações do controle do interruptor e de fase do poder médio. A tecnologia de vidro do passivation usada tem a operação segura temperatura de junção de até 125 °C. Baixo Igt parte disponível.

As aplicações típicas estão na correção da entrada (começo macio) e estes produtos são projetados ser usados com os diodos da entrada de Vishay HPP, os interruptores e os retificadores da saída que estão disponíveis em esboços idênticos do pacote.

Este produto foi projetado e qualificado para o nível industrial e para conduzir (Pb) - livre (sufixo de “PbF”).

AVALIAÇÕES E CARACTERÍSTICAS PRINCIPAIS

PARÂMETRO CONDIÇÕES DE TESTE VALORES UNIDADES
A TI (AVOIRDUPOIS) Forma de onda sinusoidaa 35
IRMS 55
VRRM/VDRM 800/1200 V
ITSM 500
VT 40 A, TJ = °C 25 1,45 V
dV/dt 1000 V/µs
dI/dt 100 A/µs
TJ - 40 a 125 °C

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