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Casa > produtos > microplaquetas eletrônicas do CI > Padrão de BTA24-600CWRG 3 Pin Transistor 25 A e TRIAC de Snubberless

Padrão de BTA24-600CWRG 3 Pin Transistor 25 A e TRIAC de Snubberless

Padrão de BTA24-600CWRG 3 Pin Transistor 25 A e TRIAC de Snubberless
Padrão de BTA24-600CWRG 3 Pin Transistor 25 A e TRIAC de Snubberless
fabricante:
Fabricante
Descrição:
TRIAC Alternistor - Snubberless 600 V 25 A Through Hole TO-220
Categoria:
microplaquetas eletrônicas do CI
Preço:
Negotiate
Método do pagamento:
T/T, Western Union, Paypal
Especificações
Critical rate of rise of on-state current:
50 A/µs
Non repetitive surge peak off-state voltage:
VDRM/VRRM + 100 V
Peak gate current:
4 A
Average gate power dissipation:
1 W
Storage junction temperature:
- 40 to + 150° C
Operating junction temperature:
- 40 to + 125 ° C
Destaque:

npn smd transistor

,

multi emitter transistor

Introdução

BTA24, BTB24, BTA25 BTA26, BTB26, T25

Uns 25 padrões e TRIAC de Snubberless™

Características

■TRIAC atual alto

■Baixa resistência térmica com ligação do grampo

■Comutação alta (4 quadrantes) ou capacidade muito alta da comutação (3 quadrantes)

■Série UL1557 de BTA certificada (referência do arquivo: 81734)

■Os pacotes são RoHS (2002/95/EC) complacente

Aplicações

As aplicações incluem a função DE LIGAR/DESLIGAR nos pedidos tais como relés estáticos, regulamento do aquecimento, motor de indução que ligam circuitos, etc., ou para a operação de controle da fase em redutors, em controladores da velocidade do motor, e em silmilar claros.

As versões snubberless (série W e T25 de BTA/BTB…) são recomendadas especialmente para o uso em cargas indutivas, devido a seus desempenhos altos da comutação. A série de BTA fornece uma aba isolada (avaliada em 2500 VRMS).

Avaliações máximas absolutas

Símbolo Parâmetro Valor Unidade
A TI (RMS) Corrente do em-estado do RMS (onda de seno completa) TOP3 Tc = 105° C 25
D2PAK/TO-220AB Tc = 100° C
RD91 Ins do Ins/TOP3. Tc = 100° C
Ins de TO-220AB. Tc = 75° C
ITSM

Em-estado máximo do impulso não repetitivo

atual (ciclo completo, Tj inicial = 25° C)

 F = 50 hertz t = Senhora 20 250
F = 60 hertz t = Senhora 16,7 260
² t de I Mim valor do ² t para fundir tp = Senhora 10 340 Um ² s
dI/dt

Taxa crítica de elevação da corrente do em-estado

IG = 2 x IGT, ≤ 100 ns do tr

 F = 120 hertz Tj = 125° C 50 A/µs
VDSM/VRSM Tensão máxima do fora-estado do impulso não repetitivo tp = Senhora 10 Tj = 25° C VDRM/VRRM + 100 V
IGM Corrente máxima da porta tp = 20 µs Tj = 125° C 4
PÁGINA (AVOIRDUPOIS) Dissipação de poder média da porta Tj = 125° C 1 W

Tstg

Tj

Variação da temperatura da junção do armazenamento

Variação da temperatura de funcionamento da junção

- 40 + a 150

- 40 + a 125

 ° C

Oferta conservada em estoque (venda quente)

Número da peça. Quantidade Tipo D/C Pacote
TLP2368 17727 TOSHIBA 15+ SOP-5
TLP281-1 15479 TOSHIBA 16+ SOP-4
TLP291-4GB 19581 TOSHIBA 16+ SOP-16
TLP541G 17964 TOSHIBA 14+ DIP-6
TLP621GB 8734 TOSHIBA 14+ DIP-4
TLP701 7334 TOSHIBA 16+ SOP-6
TLP701F 4097 TOSHIBA 14+ SOP-6
TLP741G 12923 TOSHIBA 15+ SOP-6
TLP759 24480 TOSHIBA 16+ SOP-8
TLP785GB 71000 TOSHIBA 16+ DIP-4
TLV2217-33KCSE3 14631 SI 11+ TO-220
TLV2373IDGSR 4914 SI 06+ MSOP-10
TLV2401CDBVR 8191 SI 15+ SOT23-5
TLV2464IPWR 3517 SI 11+ TSSOP-14
TLV2472AIDR 6435 SI 14+ SOP-8
TLV2771CDBVR 16946 SI 16+ SOT23-5
TLV2774IDR 6156 SI 10+ SOP-14
TLV5606CDGKR 6012 SI 06+ VSSOP-8
TLV5610IPWR 2618 SI 14+ TSSOP-20
TLV5610IPWR 2532 SI 11+ TSSOP-20
TLV62130RGTR 5398 SI 16+ QFN16
TLV70033DDCR 43000 SI 14+ SOT23-5
TLV70433DBVR 91000 SI 13+ SOT23-5
TM4C123FH6PMI 1543 SI 13+ LQFP-64
TM4C129ENCPDTI3R 2790 SI 13+ QFP128
TMD0507-2A 229 TOSHIBA 15+ SMD
TMP102AIDRLR 4371 SI 16+ SOT-563
TMP82C79P-2 3478 TOSHIBA 98+ DIP-40
TMPM374FWUG 3299 TOSHIBA 11+ LQFP-44
TMS27PC256-15NL 2483 SI 94+ DIP-24

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