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Regulador de tensão terminal de Pin Transistor 3 dos componentes 3 do circuito integrado de BTA26-600BRG

fabricante:
Fabricante
Descrição:
TRIAC Standard 600 V 25 A Through Hole TOP3
Categoria:
Microplaqueta de IC da memória Flash
Preço:
Negotiate
Método do pagamento:
T/T, Western Union, Paypal
Especificações
Operating junction temperature:
- 40 to + 125 °C
Storage junction temperature:
- 40 to + 150°C
Average gate power dissipation:
1 W
Peak gate current:
4 A
Non repetitive surge peak off-state voltage:
VDRM/VRRM + 100 V
Critical rate of rise of on-state current:
50 A/µs
Destaque:

npn smd transistor

,

multi emitter transistor

Introdução

Série BTA/BTB24, BTA25, BTA26 e T25

SNUBBERLESSTM & PADRÃO

TRIAC 25A

CARACTERÍSTICAS PRINCIPAIS:

Símbolo Valor Unidade
A TI (RMS) 25
VDRM/VRRM 600 e 800 V
IG (Q1) 35 a 50 miliampère

DESCRIÇÃO

Disponível ou no através-furo de pacotes da superfície e da montagem T25, a série do TRIAC BTA/BTB24-25-26 é apropriada para o interruptor de uso geral da alimentação CA. Podem ser usados como uma função DE LIGAR/DESLIGAR nas aplicações tais como relés estáticos, regulamento do aquecimento, aquecedores de água, motor de indução que liga circuitos… ou para a operação de controle da fase em controladores da velocidade do motor do poder superior, os circuitos macios do começo… as versões snubberless (série W e T25 de BTA/BTB…) são recomendados especialmente para o uso nas cargas indutivas, agradecimentos a seus desempenhos altos da comutação.

Usando uma almofada cerâmica interna, a série de BTA fornece a tensão aba isolada (avaliada em 2500V RMS) que cumpre com os padrões do UL (referência do arquivo.: E81734).

Avaliações máximas absolutas

Símbolo Parâmetro Valor Unidade
A TI (RMS) Corrente do em-estado do RMS (onda de seno completa) D2PAKTO-220AB Tc = 100° C 25
Ins de RD91 TOP3. Tc = 90° C
Ins de TO-220AB. Tc = 75° C
ITSM

Em-estado máximo do impulso não repetitivo

atual (ciclo completo, Tj inicial = 25° C)

F = 50 hertz t = Senhora 20 250
F = 60 hertz t = Senhora 16,7 260
² t de I Mim valor do ² t para fundir tp = Senhora 10 450 Um ² s
dI/dt

Taxa crítica de elevação da corrente do em-estado

IG = 2 x IGT, ≤ 100 ns do tr

F = 120 hertz Tj = 125° C 50 A/µs
VDSM/VRSM Tensão máxima do fora-estado do impulso não repetitivo tp = Senhora 10 Tj = 25° C VDRM/VRRM + 100 V
IGM Corrente máxima da porta tp = 20 µs Tj = 125° C 4
PÁGINA (AVOIRDUPOIS) Dissipação de poder média da porta Tj = 125° C 1 W

Tstg

Tj

Variação da temperatura da junção do armazenamento

Variação da temperatura de funcionamento da junção

- 40 + a 150

- 40 + a 125

° C

Oferta conservada em estoque (venda quente)

Número da peça. Quantidade Tipo D/C Pacote
TMS320F2810PBKA 1741 SI 16+ QFP
TMS320F2810PBKQ 1417 SI 12+ QFP128
TMS320F28335PGFA 1687 SI 16+ LQFP-176
TMS3705A1DR 3402 SI 15+ SOP-16
TMS3705ADR 2854 SI 15+ SOP-16
TN1215-600B-TR 3868 ST 14+ TO-252
TN6Q04 17017 SANYO 14+ TO-220-5
TN80C188EB20 418 INTEL 05+ PLCC84
TNY176DG 17025 PODER 14+ SOP-7
TNY176PN 6297 PODER 14+ DIP-7
TNY177PN 17096 PODER 16+ DIP-7
TNY253PN 14114 PODER 13+ DIP-8
TNY264PN 4566 PODER 16+ DIP-7
TNY274GN-TL 4442 PODER 16+ SOP-8
TNY279PN 5021 PODER 16+ DIP-7
TNY280GN-TL 13396 PODER 16+ SOP-8
TOP104YAI 6306 PODER 06+ TO-220
TOP222PN 14173 PODER 16+ DIP-8
TOP222YN 10911 PODER 15+ TO-220
TOP224YN 4996 PODER 16+ TO-220
TOP243YN 7219 PODER 16+ TO-220
TOP245PN 7051 PODER 14+ DIP-7
TOP246YN 3356 PODER 16+ TO-220
TOP247YN 5373 PODER 16+ TO-220
TOP249YN 7867 PODER 16+ TO-220
TOP250YN 5758 PODER 16+ TO-220
TOP254EN 4085 PODER 13+ ESIP-7C
TOP254PN 7022 PODER 16+ DIP-7
TOP258PN 4885 PODER 15+ DIP-7
TOP260EN 17869 PODER 14+ ESIP-7C

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