Microplaqueta de IRF540NPBF 3 Pin Transistor nos circuitos integrados da eletrônica, os lineares e os digitais
npn smd transistor
,multi emitter transistor
Eletrônica componente de IC da microplaqueta do transistor de Electrnocs do transistor de IRF540NPBF 3pin
CARACTERÍSTICAS
? Tecnologia de processamento avançada?
Em-resistência ultra baixa?
Avaliação dinâmica de dv/dt? 175°C
Temperatura de funcionamento?
Interruptor rápido?
Inteiramente avalancha avaliada? Sem chumbo
Descrições
Os MOSFETs avançados do poder de HEXFET® do retificador internacional utilizam técnicas de processamento avançadas para conseguir extremamente - a baixa em-resistência pela área do silicone.
Este benefício, combinado com a velocidade de comutação rápida e o projeto ruggedized do dispositivo que os MOSFETs do poder de HEXFET são conhecidos para, fornece o desenhista um dispositivo extremamente eficiente e seguro para o uso em uma grande variedade de aplicações.
O pacote TO-220 é preferido universalmente para todas as aplicações comercial-industriais a níveis da dissipação de poder a aproximadamente 50 watts.
A baixa resistência térmica e o baixo custo do pacote do TO-220 contribuem a sua aceitação larga durante todo a indústria.
cargas uivalent.
AVALIAÇÕES MÁXIMAS ABSOLUTAS (1)
Variação da temperatura (Ta)………………… -55oC a 125oC |
TRANSPORTE BC847BLT1 | 18000 | EM | CHINA |
RC0805JR-0710KL | 35000 | YAGEO | CHINA |
RC0805JR-071KL | 20000 | YAGEO | CHINA |
DIODO DF06S | 3000 | SETEMBRO | CHINA |
TAMPÃO 0805 330NF 100V C2012X7S2A334K125AB | 20000 | TDK | JAPÃO |
DIODO US1A-13-F | 50000 | DIODOS | MALÁSIA |
INDUTOR. 100UH SLF7045T-101MR50-PF | 10000 | TDK | JAPÃO |
RES 470R 5% RC0805JR-07470RL | 500000 | YAGEO | CHINA |
RES 1206 2M 1% RC1206FR-072ML | 500000 | YAGEO | CHINA |
DIODO P6KE180A | 10000 | VISHAY | MALÁSIA |
RES 1206 470R 5% RC1206JR-07470RL | 500000 | YAGEO | CHINA |
MUNIÇÃO DE DIODO UF4007 | 500000 | MIC | CHINA |
Transporte. ZXMN10A09KTC | 20000 | ZETEX | TAIWAN |
RES 0805 4K7 5% RC0805JR-074K7L |
500000 | YAGEO | CHINA |
ACOPLADOR OTICO. MOC3021S-TA1 | 10000 | LITE-ON | TAIWAN |
TRANSPORTE MMBT2907A-7-F | 30000 | DIODOS | MALÁSIA |
TRANSPORTE STGW20NC60VD | 1000 | ST | MALÁSIA |
C.I LM2576HVT-ADJ/NOPB | 500 | SI | TAILÂNDIA |
C.I MC33298DW | 1000 | MOT | MALÁSIA |
C.I MC908MR16CFUE | 840 | FREESCAL | MALÁSIA |
C.I P8255A5 | 4500 | INTEL | JAPÃO |
C.I HM6116P-2 | 5000 | HITACHI | JAPÃO |
C.I DS1230Y- 150 | 2400 | DALLAS | FILIPINAS |
Transporte. ZXMN10A09KTC | 18000 | ZETEX | TAIWAN |
TRIAC BT151-500R | 500000 | MARROCOS | |
C.I HCNR200-000E | 1000 | AVAGO | TAIWAN |
TRIAC TIC116M | 10000 | SI | TAILÂNDIA |
DIODO US1M-E3/61T | 18000 | VISHAY | MALÁSIA |
DIODO ES1D-E3-61T | 18000 | VISHAY | MALÁSIA |
C.I MC908MR16CFUE | 840 | FREESCAL | TAIWAN |
C.I CD40106BE | 250 | SI | TAILÂNDIA |
ACOPLADOR PC733H | 1000 | AFIADO | JAPÃO |
TRANSPORTE NDT452AP | 5200 | FSC | MALÁSIA |
CI LP2951-50DR | 1200 | SI | TAILÂNDIA |
CI MC7809CD2TR4G | 1200 | EM | MALÁSIA |
DIODO MBR20200CTG | 22000 | EM | MALÁSIA |
FUSIVEL 30R300UU | 10000 | LITTELFUSEI | TAIWAN |
C.I TPIC6595N | 10000 | SI | TAILÂNDIA |
EPM7064STC44-10N | 100 | ALTERA | MALÁSIA |
DIODO 1N4004-T | 5000000 | MIC | CHINA |
C.I CD4060BM | 500 | SI | TAILÂNDIA |
ACOPLADOR MOC3020M | 500 | FSC | MALÁSIA |
DIODO W08 | 500 | SETEMBRO | CHINA |
C.I SN74HC373N | 1000 | SI | FILIPINAS |
FOTOSENSOR 2SS52M | 500 | honeywell | JAPÃO |
C.I SN74HC02N | 1000 | SI | TAILÂNDIA |
C.I CD4585BE | 250 | SI | TAILÂNDIA |
C.I MT46H32M16LFBF-6IT: C | 40 | MÍCRON | MALÁSIA |
DIODO MMSZ5242BT1G | 30000 | EM | MALÁSIA |