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Casa > produtos > microplaquetas eletrônicas do CI > Eletrônica de IC da microplaqueta de IRFBG30PBF 3 Pin Transistor Electrnocs Component Transistor

Eletrônica de IC da microplaqueta de IRFBG30PBF 3 Pin Transistor Electrnocs Component Transistor

Eletrônica de IC da microplaqueta de IRFBG30PBF 3 Pin Transistor Electrnocs Component Transistor
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fabricante:
Fabricante
Descrição:
N-Channel 1000 V 3.1A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220AB
Categoria:
microplaquetas eletrônicas do CI
Preço:
Negotiation
Método do pagamento:
T/T, Western Union, Paypal
Especificações
Temperature Range:
–55°C to +150°C
Payment Term:
T/T, Paypal, Western Union
Voltage:
± 20 V
Current:
12A
Package:
TO-220
Factory Package:
TUBE
Destaque:

npn smd transistor

,

multi emitter transistor

Introdução

Eletrônica de IC da microplaqueta de IRFBG30PBF 3 Pin Transistor Electrnocs Component Transistor

CARACTERÍSTICAS


• Avaliação dinâmica de dV/dt
• Avalancha repetitiva avaliada
• Interruptor rápido
• Facilidade da paralelização
• Exigências simples da movimentação
• Ligação (Pb) - disponível livre

Descrições
Os MOSFETs do poder da terceira geração de Vishay fornecem o desenhista a melhor combinação de interruptor rápido, de projeto ruggedized do dispositivo, de baixa em-resistência e de rentabilidade.

O pacote TO-220 é preferido universalmente para todas as aplicações comercial-industriais a níveis da dissipação de poder a aproximadamente 50 W. A baixa resistência térmica e o baixo custo do pacote do TO-220 contribuem a sua aceitação larga durante todo a indústria.

AVALIAÇÕES MÁXIMAS ABSOLUTAS (1)

Variação da temperatura (Ta)………………… -55oC a 125oC
Escala da tensão de fonte, VCC tipos………………… .2V de HC aos tipos de 6V HCT…………………………. .4.5V a 5.5V
Entrada de C.C. ou tensão da saída, VI, Vo……………. 0V a VCC
Elevação e tempo de queda entrados 2V…………. 1000ns (máximo)
4.5V. ……………. 500ns (máximo)
6V…………. 400ns (máximo)
Pacote………………………… .67oC/W
Pacote de M (SOIC). ………………………. .73oC/W
Pacote do NS (CONCESSÃO)………………………. .64oC/W
Pacote do picowatt (TSSOP)……………………. 108oC/W
Temperatura de junção máxima…………………. 150oC
Variação da temperatura máxima do armazenamento………. - 65oC a 150oC
Temperatura máxima da ligação (10s de solda)…………. 300oC


TRANSPORTE BC847BLT1 18000 EM CHINA
RC0805JR-0710KL 35000 YAGEO CHINA
RC0805JR-071KL 20000 YAGEO CHINA
DIODO DF06S 3000 SETEMBRO CHINA
TAMPÃO 0805 330NF 100V C2012X7S2A334K125AB 20000 TDK JAPÃO
DIODO US1A-13-F 50000 DIODOS MALÁSIA
INDUTOR. 100UH SLF7045T-101MR50-PF 10000 TDK JAPÃO
RES 470R 5% RC0805JR-07470RL 500000 YAGEO CHINA
RES 1206 2M 1% RC1206FR-072ML 500000 YAGEO CHINA
DIODO P6KE180A 10000 VISHAY MALÁSIA
RES 1206 470R 5% RC1206JR-07470RL 500000 YAGEO CHINA
MUNIÇÃO DE DIODO UF4007 500000 MIC CHINA
Transporte. ZXMN10A09KTC 20000 ZETEX TAIWAN
RES 0805 4K7 5%
RC0805JR-074K7L		 500000 YAGEO CHINA
ACOPLADOR OTICO. MOC3021S-TA1 10000 LITE-ON TAIWAN
TRANSPORTE MMBT2907A-7-F 30000 DIODOS MALÁSIA
TRANSPORTE STGW20NC60VD 1000 ST MALÁSIA
C.I LM2576HVT-ADJ/NOPB 500 SI TAILÂNDIA
C.I MC33298DW 1000 MOT MALÁSIA
C.I MC908MR16CFUE 840 FREESCAL MALÁSIA
C.I P8255A5 4500 INTEL JAPÃO
C.I HM6116P-2 5000 HITACHI JAPÃO
C.I DS1230Y- 150 2400 DALLAS FILIPINAS
Transporte. ZXMN10A09KTC 18000 ZETEX TAIWAN
TRIAC BT151-500R 500000 MARROCOS
C.I HCNR200-000E 1000 AVAGO TAIWAN
TRIAC TIC116M 10000 SI TAILÂNDIA
DIODO US1M-E3/61T 18000 VISHAY MALÁSIA
DIODO ES1D-E3-61T 18000 VISHAY MALÁSIA
C.I MC908MR16CFUE 840 FREESCAL TAIWAN
C.I CD40106BE 250 SI TAILÂNDIA
ACOPLADOR PC733H 1000 AFIADO JAPÃO
TRANSPORTE NDT452AP 5200 FSC MALÁSIA
CI LP2951-50DR 1200 SI TAILÂNDIA
CI MC7809CD2TR4G 1200 EM MALÁSIA
DIODO MBR20200CTG 22000 EM MALÁSIA
FUSIVEL 30R300UU 10000 LITTELFUSEI TAIWAN
C.I TPIC6595N 10000 SI TAILÂNDIA
EPM7064STC44-10N 100 ALTERA MALÁSIA
DIODO 1N4004-T 5000000 MIC CHINA
C.I CD4060BM 500 SI TAILÂNDIA
ACOPLADOR MOC3020M 500 FSC MALÁSIA
DIODO W08 500 SETEMBRO CHINA
C.I SN74HC373N 1000 SI FILIPINAS
FOTOSENSOR 2SS52M 500 honeywell JAPÃO
C.I SN74HC02N 1000 SI TAILÂNDIA
C.I CD4585BE 250 SI TAILÂNDIA
C.I MT46H32M16LFBF-6IT: C 40 MÍCRON MALÁSIA
DIODO MMSZ5242BT1G 30000 EM MALÁSIA


Circuito máximo do teste da recuperação dV/dt do diodo

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