Transistor BIPOLAR novo/original do Mosfet do poder de NPN 120 volts 0,5 ampères de 2N1893
fabricante:
Fabricante
Descrição:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 80 V 500 mA 800 mW Through Hole TO-5AA
Categoria:
microplaquetas eletrônicas do CI
Preço:
Negotiate
Método do pagamento:
T/T, Western Union, Paypal
Especificações
Collector Current:
0.5 mA
Collector-Base Voltage:
120
Fast Switching:
30 nS
Meets:
MIL-S-19500/182
Destaque:
electronic pressure sensors
,hall effect sensor ic
Introdução
| AVALIAÇÃO | SÍMBOLO | MÁXIMO. | UNIDADE |
| Tensão do Coletor-emissor | VCEO | 80 | VDC |
| Tensão do Coletor-emissor | VCER | 100 | VDC |
| Tensão da Coletor-base | VCBO | 120 | VDC |
| Tensão da Emissor-base | VEBO | 7,0 | VDC |
| Corrente de coletor - contínua | IC | 0,5 | CAD |
| A dissipação total @ T do dispositivo A = 25oC Derate acima de 25oC | Paládio | 0,8 | Watt mW/oC |
| A dissipação total @ T do dispositivo C = 25oC Derate acima de 25oC | Paládio | 3,0 | Watt mW/oC |
| Variação da temperatura de funcionamento | TJ | -55 a +200 | OC |
| Variação da temperatura do armazenamento | TS | -55 a +200 | OC |
| Resistência térmica, junção a ambiental | RqJA | 219 | oC/W |
| Resistência térmica, junção a encaixotar | RqJA | 58 | oC/W |
Esboço mecânico
| CARACTERÍSTICAS | SÍMBOLO | MÍNIMO. | TIPO. | MÁXIMO. | UNIDADE |
| Fora das características | |||||
| Tensão de divisão do Coletor-emissor (mim C = 100 mAdc, RBE = 10 ohms) (1) | BVCER | 100 | -- | ||
| Tensão de sustentação do Coletor-emissor (1) (mim C = mAdc 30, IB = 0) (1) | BVCEO | 80 | -- | ||
| Tensão de divisão da Coletor-base (mim C = 100 mAdc, IE = 0) | BV (BR) CBO | 120 | -- | VDC | |
| Tensão de divisão da Emissor-base (IE = 100 mAdc, IC = 0) | BV (BR) CBO | 7,0 | -- | ||
| Corrente de interrupção de coletor (V CB = 90 VDC, IE = 0) (V CB = 90 VDC, IE = 0, Ta = 150o C) | ICBO | -- | 0,01 | mAdc | |
| Corrente da interrupção do emissor (VEB = 5,0 VDC, IC = 0) | IEBO | -- | 0,01 | mAdc | |
| Em características | |||||
| D.C. Current Gain (IC = 0,1 mAdc, VCE = 10 VDC) (I C = 10mAdc, VCE = 10 VDC) (1) (I C = 10mAdc, VCE = 10 VDC, Ta = -55o C) (1) (I C = 150mAdc, VCE = 10 VDC) (1) | hFE | 20 | -- | -- | |
| Tensão de saturação do Coletor-emissor (1) (IC = 150 mAdc, IB = mAdc 15) | VCE (Sat) | -- | 0,5 | VDC | |
| Tensão de saturação do emissor de base (1) (CI = mAdc 150, IB = mAdc 15) | VCE (Sat) | -- | 1,3 | VDC | |
| A magnitude do sinal pequeno procura um caminho mais curto para a frente a relação atual (Mim C = 50 mAdc, VCE = 10 VDC, f = 20 megahertz) | /hfe/ | 3 | 10 | ||
| Capacidade de saída (V CB = 10 VDC, IE = 0, f = 1,0 megahertz) | COBO | 5 | 15 | PF | |
| Impedância entrada = (mim C = 5,0 mAdc, VCB = 10 VDC, f = 1.0kHz) | hib | 4,0 | 8,0 | Ohms | |
| Relação do feedback da tensão (I C = 5,0 mAdc, VCB = 10 VDC, f = 1,0 quilohertz) | hrb | -- | 1,5 | X 10-4 | |
| Ganho atual do Pequeno-sinal (I c = 1,0 mAdc, VcB = 5.0Vdc, f = 1,0 quilohertz) (mim C = mAdc 5,0, VCB = 10 VDC, f = 1,0 quilohertz) | hfe | 35 | 100 | -- | |
| Admissão de saída (mim C = 5,0 mAdc, VCB = 10 VDC, f = 1,0 quilohertz) | hob | -- | 0,5 | mmho | |
| Resposta de pulso (Vcc = 20Vdc, CI = 500mAdc) | tonelada + tof | -- | 30 | ns |
(1) teste do pulso: Senhora do £ 300 da largura de pulso, £ 2,0% do ciclo de dever.
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