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Acoplador ótico de ILD205T, saída do fototransistor, de duplo canal, pacote SOIC-8

fabricante:
Fabricante
Descrição:
Optoisolator Transistor Output 4000Vrms 2 Channel 8-SOIC
Categoria:
microplaquetas eletrônicas do CI
Preço:
Negotiate
Método do pagamento:
T/T, Western Union, Paypal
Especificações
MAX Operating Temperature:
+ 100 C
Min Operating Temperature:
- 55 C
packing:
reel
factory packing quantity:
2000
Introdução

Acoplador ótico de ILD205T, saída do fototransistor, de duplo canal, pacote SOIC-8

Características

Acoplador de dois canais

Pacote montável de superfície de SOIC-8A

Afastamento padrão da ligação de .05"

Disponível somente na opção da fita e do carretel (se conforma ao padrão 481-2 da AIA)

Tensão do teste do isolamento, 3000 VRMS

Compatível com onda dupla, fase de vapor e de Reflow do IR solda

Componente sem chumbo

Componente do acordo a RoHS 2002/95/EC e WEEE 2002/96/EC

Aprovações da agência

• UL1577, código de sistema Y do no. E52744 do arquivo

Descrição

Os ILD205T/206T/207T/211T/213T/217T são pares opticamente acoplados com um diodo emissor de luz infravermelho do arsenieto de gálio e um fototransistor do silicone NPN. A informação do sinal, incluindo um nível da C.C., pode ser transmitida pelo dispositivo ao manter um alto nível do isolamento elétrico entre a entrada e a saída. O ILD205T/206T/207T/211T/213T/217T vindo em um pacote pequeno padrão do esboço de SOIC-8A para a montagem de superfície que o faz serido idealmente para aplicações do alto densidade com espaço limitado. Além do que a eliminação de exigências dos através-furos, este pacote conforma-se aos padrões para os dispositivos montados de superfície.

Um CTR especificado do mínimo e do máximo permite uma tolerância estreita no projeto elétrico dos circuitos adjacentes. O BVCEO alto de 70 V dá uma margem de segurança mais alta comparada ao padrão do setor de 30 V

Informação da ordem

Parte Observações
ILD205T CTR 40 - 80%, SOIC-8
ILD206T CTR 63 - 125%, SOIC-8
ILD207T CTR 100 - 200%, SOIC-8
ILD211T CTR > 20%, SOIC-8
ILD213T CTR > 100%, SOIC-8
ILD217T CTR > 100%, SOIC-8

Avaliações máximas absolutas

Tamb = 25 o °C, salvo disposição em contrário esforços além das avaliações máximas absolutas pode causar dano permanente ao dispositivo. O funcionamento funcional do dispositivo não é implicado nestes ou em nenhuma outra circunstâncias além daqueles dados nas seções operacionais deste documento. A exposição à avaliação máxima absoluta por períodos prolongados do tempo pode adversamente afetar a confiança.

Entrada

Parâmetro Condição de teste Símbolo Valor Unidade
Tensão reversa máxima VR 6,0 V
Corrente pulsada máxima 1,0 µs, 300 pps 1,0
Corrente dianteira contínua pelo canal 30 miliampère
Dissipação de poder Pdiss 50 mW
Derate linearmente do °C 25 0,66 mW/°C

Saída

Parâmetro Condição de teste Símbolo Valor Unidade
tensão de divisão do Coletor-emissor BVCEO 70 V
tensão de divisão do Emissor-coletor BVECO 7,0 V
Dissipação de poder pelo canal Pdiss 125 mW
Derate linearmente do °C 25 1,67 mW/°C

Acoplador

Parâmetro Condição de teste Símbolo Valor Unidade
Dissipação total do pacote ambiental (2 diodo emissor de luz + 2 detectores, 2 canais) Ptot 300 mW
Derate linearmente do °C 25 4,0 mW/°C
Temperatura de armazenamento Tstg - 55 + a 150 °C
Temperatura de funcionamento Tamb - 55 + a 100 °C
Tempo de solda do °C 260 Tsld 10 segundo.

As características elétricas Tamb = o °C 25, salvo disposição em contrário valores mínimos e máximos são exigências de testes. Os valores típicos são características do dispositivo e são o resultado de projetar a avaliação. Os valores típicos são para a informação somente e não são parte das exigências de teste.


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