DS1230Y-150+ 256k SRAM permanente SS substitui RAM Module IC

DS1230Y-150+ 256k SRAM permanente SS substitui RAM Module IC

CARACTERÍSTICAS

10 anos de retenção mínima dos dados na ausência da alimentação externa

Os dados são protegidos automaticamente durante a perda de poder

? Substitui 32k x 8 RAM estático, EEPROM ou memória Flash temporária?

Ilimitado escreva ciclos?

Baixa potência CMOS?

Lido e para escrever mais rapidamente tempos de acesso que 70 ns

? A fonte de energia do lítio está desligada eletricamente para reter o frescor até que o poder esteja aplicado pela primeira vez?

Completamente escala de funcionamento VCC de ±10% (DS1230Y)?

Escala de funcionamento VCC opcional de ±5% (DS1230AB)?

A variação da temperatura industrial opcional de -40°C a +85°C, designou o IND?

Pacote do MERGULHO do pino do padrão 28 de JEDEC

? Pacote novo do módulo de PowerCap (PCM)

- Módulo diretamente superfície-montável

- Pressão substituível

- em PowerCap fornece a bateria alternativa do lítio

- Pinout estandardizado para todos os produtos permanentes de SRAM

- A característica do destacamento em PowerCap permite a remoção fácil usando uma chave de fenda regular

DESCRIÇÃO DO PIN

A0 - A14 - entradas do endereço

DQ0 - DQ7 - dados In/Data para fora

CE - Chip Enable

NÓS - Escreva permitem

OE - A saída permite

VCC - Poder (+5V)

Terra - Terra

NC - Nenhum conecte

DESCRIÇÃO

Os DS1230 256k SRAMs permanente são 262.144 mordidos, SRAMs inteiramente estático, permanente organizado como 32.768 palavras por 8 bocados.

Cada nanovolt SRAM tem uns circuitos independentes da fonte e do controle de energia do lítio que monitorem constantemente VCC para uma condição da para fora--tolerância.

Quando tal circunstância ocorre, a fonte de energia do lítio está ligada automaticamente e escreve a proteção está permitida incondicionalmente de impedir a corrupção de dados.

os dispositivos do Mergulho-pacote DS1230 podem ser usados no lugar de 32k existente x 8 ram estáticas que conformam-se diretamente ao padrão bytewide popular do MERGULHO de 28 pinos.

Os dispositivos do MERGULHO igualmente combinam o pinout de 28256 EEPROMs, permitindo a substituição direta ao aumentar o desempenho. Os dispositivos DS1230 no pacote do módulo do perfil baixo são projetados especificamente para aplicações da superfície-montagem.

Não há nenhum limite no número de escreve os ciclos que podem ser executados e nenhum circuito do apoio adicional é exigido para o conexão do microprocessador.

MODO LIDO

Os dispositivos DS1230 executam um ciclo lido sempre que NÓS (escreva permitem) são inativos (alto) e CE (Chip Enable) e OE (a saída permite) são ativos (baixo).

O endereço original especificado pelas 15 entradas do endereço (A0 - A14) define que dos 32.768 bytes dos dados deve ser alcançado. Os dados válidos estarão disponíveis aos oito motoristas da saída de dados dentro do tACC (tempo de acesso) depois que o último sinal de entrada do endereço é estável, fornecendo que os tempos de acesso do CE e do OE (a saída permite) estão satisfeitos igualmente.

Se OE e tempos de acesso do CE não são satisfeitos, a seguir o acesso de dados deve ser medido do CE do sinal (ou do OE deocorrência) e o parâmetro de limitação é um ou outro tCO para o CE ou o dedo do pé para OE um pouco do que o acesso do endereço.

ESCREVA O MODO

Os dispositivos DS1230 executam para escrever o ciclo sempre que os sinais NÓS e do CE são ativos (ponto baixo) depois que as entradas do endereço são estáveis. A borda de queda deocorrência do CE ou de NÓS determinará o começo do escreve o ciclo.

Escreva o ciclo é terminado pela borda de aumentação mais adiantada do CE ou de NÓS. Todas as entradas do endereço devem ser mantidas válidas durante todo escrevem o ciclo.

NÓS devemos retornar ao estado alto por um tempo mínimo da recuperação (tWR) antes que um outro ciclo possa ser iniciado. O sinal de controle de OE deve ser mantido inativo (alto) durante escreve ciclos para evitar a disputa do ônibus.

Contudo, se os motoristas da saída estão permitidos (CE e OE ativos) então NÓS desabilitaremos as saídas no tODW de sua borda de queda.