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50 TRIAC novos & originais BTA40-600B do módulo de poder 40A do Mosfet do miliampère

fabricante:
Fabricante
Descrição:
TRIAC Standard 600 V 40 A Chassis Mount RD91
Categoria:
Microplaqueta de IC da memória Flash
Preço:
Negotiate
Método do pagamento:
T/T, Western Union, Paypal
Especificações
IT(RMS):
40 A
VDRM/VRRM:
600 and 800 V
IGT (Q1):
50 mA
IGM:
8 A
PG(AV):
1 W
I t:
880 A s
Destaque:

low voltage power mosfet

,

hybrid inverter circuit

Introdução


TRIAC 40A

CARACTERÍSTICAS PRINCIPAIS:

Símbolo Valor Unidade
A TI (RMS) 40
VDRM/VRRM 600 e 800 V
IGT (Q1) 50 miliampère


DESCRIÇÃO
Disponível em pacotes do poder superior, a série de BTA/BTB40-41 é apropriada para o interruptor de uso geral da alimentação CA. Podem ser usados como uma função DE LIGAR/DESLIGAR nos pedidos tais como relés estáticos, regulamento do aquecimento, aquecedores de água, motor de indução que liga circuitos, equipamento de solda… ou para a operação de controle da fase em controladores da velocidade do motor do poder superior, circuitos macios do começo…

Agradecimentos a sua técnica do conjunto do grampo, fornecem um desempenho superior na corrente de impulso que segura capacidades.

Usando uma almofada cerâmica interna, a série de BTA fornece a tensão aba isolada (avaliada em 2500 V RMS) que cumpre com os padrões do UL (referência do arquivo.: E81734).


AVALIAÇÕES MÁXIMAS ABSOLUTAS

Símbolo Parâmetro Valor Unidade

A TI (RMS)

Corrente do em-estado do RMS
(onda de seno completa)

RD91 Tc = 80°C 40
TOP3
Ins TOP3. Tc = 70°C
ITSM

Em-estado máximo do impulso não repetitivo
atual (ciclo completo, Tj = 25°C) inicial

F = 60 hertz t = Senhora 16,7 420
F = 50 hertz t = Senhora 20 400
Ele Mim valor de t para fundir tp = Senhora 10 880 Um s
dI/dt

Taxa crítica de elevação da corrente do em-estado
IG =2xIGT, ≤ 100 ns do tr

F = 120 hertz Tj = 125°C 50 A/µs
VDSM/VRSM Tensão máxima do fora-estado do impulso não repetitivo tp = Senhora 10 Tj = 25°C

VDRM/VRRM
+ 100

V
IGM Corrente máxima da porta tp = 20 µs Tj = 125°C 8 V
PÁGINA (AVOIRDUPOIS) Dissipação de poder média da porta Tj = 125°C 1 W

Tstg
Tj

Variação da temperatura da junção do armazenamento
Variação da temperatura de funcionamento da junção

- 40 + a 150
- 40 + a 125

°C



CARACTERÍSTICAS ELÉTRICAS (Tj = 25°C, salvo disposição em contrário)

Símbolo Condições de teste Quadrante Valor Unidade
IGT (1) VD = 12 V RL = Ω 33

I - II - III
IV

MÁXIMO.

50
100

miliampère

VGT TUDO MÁXIMO. 1,3 V
VGD VD = VDRM RL = kΩ 3,3 Tj = 125°C TUDO MÍNIMO. 0,2 V
IH (2) A TI = 500 miliampères MÁXIMO. 80 miliampère
IL IG = 1,2 IGT

I - III - IV
II

MÁXIMO.

70
160

miliampère
dV/dt (2) VD = porta Tj = 125°C abertos de 67% VDRM MÍNIMO. 500 V/µs
(dV/dt) c (2) (dI/dt) c = 20 A/ms Tj = 125°C MÍNIMO. 10 V/µs

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