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Casa > produtos > microplaquetas eletrônicas do CI > TRIAC complementares do módulo de poder 40A do Mosfet dos transistor de poder do silicone de BTA40-600B

TRIAC complementares do módulo de poder 40A do Mosfet dos transistor de poder do silicone de BTA40-600B

TRIAC complementares do módulo de poder 40A do Mosfet dos transistor de poder do silicone de BTA40-600B
TRIAC complementares do módulo de poder 40A do Mosfet dos transistor de poder do silicone de BTA40-600B
fabricante:
Fabricante
Descrição:
TRIAC Standard 600 V 40 A Chassis Mount RD91
Categoria:
microplaquetas eletrônicas do CI
Preço:
Negotiate
Método do pagamento:
T/T, Western Union, Paypal
Especificações
Storage junction temperature range:
- 40 to + 150°C
Operating junction temperature range:
- 40 to + 125°C
Average gate power dissipation:
1 W
Peak gate current:
8 A
Threshold voltage:
0.85 V
Dynamic resistance:
10 mΩ
Destaque:

thyristor diode module

,

low voltage power mosfet

Introdução


Série BTA40, BTA41 e BTB41
TRIAC 40A

Características principais

Símbolo Valor Unidade
A TI (RMS) 40
VDRM/VRRM 600 e 800 V
IGT (Q1) 50 miliampère


DESCRIÇÃO
Disponível em pacotes do poder superior, a série de BTA/BTB40-41 é apropriada para o interruptor de uso geral da C.A. Podem ser usados como uma função DE LIGAR/DESLIGAR nos pedidos tais como relés estáticos, regulamento do aquecimento, motor de indução que liga circuitos… ou para a operação de controle da fase em redutors leves, controladores da velocidade do motor,…
Agradecimentos a sua técnica do conjunto do grampo, fornecem um desempenho superior na corrente de impulso que segura capacidades.
Usando uma almofada cerâmica interna, a série de BTA fornece a tensão aba isolada (avaliada em 2500VRMS) que cumpre com os padrões do UL (referência do arquivo.: E81734).

Avaliações máximas absolutas

Símbolo Parâmetro Valor Unidade
A TI (RMS) Corrente do em-estado do RMS (onda de seno completa) RD91/TOP3 Tc = 95°C 40
Ins SUPERIOR. Tc = 80°C
ITSM Corrente máxima do em-estado do impulso não repetitivo (ciclo completo, Tj = 25°C) inicial F = 50 hertz t = Senhora 20 400
F = 60 hertz t = Senhora 16,7 420
² t de I Mim valor do ² t para fundir

tp = Senhora 10

 880 Um ² s
dI/dt Taxa crítica de elevação do em-estado atual IG = 2 x IGT, ≤ 100 ns do tr F = 120 hertz Tj = 125°C 50 A/µs
VDSM/VRSM Tensão máxima do fora-estado do impulso não repetitivo tp = Senhora 10 Tj = 25°C

VDSM/VRSM

+ 100

 V
IGM Corrente máxima da porta tp = 20 µs Tj = 125°C 8
PÁGINA (AVOIRDUPOIS) Dissipação de poder média da porta Tj = 125°C 1 W

Tstg

Tj

Variação da temperatura da junção do armazenamento

Variação da temperatura de funcionamento da junção

- 40 + a 150

- 40 + a 125

 °C




(Isolado e isolado não) dados mecânicos do pacote TOP3


Dados mecânicos do pacote RD91



Oferta conservada em estoque (venda quente)

Número da peça. Q'ty MFG D/C Pacote
X9C104PIZ 7680 INTERSIL 15+ DIP-8
PC354NJ0000F 10000 AFIADO 16+ CONCESSÃO
X5043P 3000 INTERSIL 13+ DIP-8
LMC7660IM 3224 NSC 13+ SOP-8
MID400S 6796 FAIRCHILD 12+ SOP-8
MAX3378EEUD+T 12200 MÁXIMA 16+ TSSOP
NTR4101PT1G 40000 EM 16+ SOT-23
NCP1207APG 10880 EM 13+ MERGULHO
MOC3163SM 5609 FSC 12+ CONCESSÃO
PIC32MX460F512L-80I/PT 900 MICROCHIP 14+ TQFP-64
LM4871MX 4783 NSC 15+ SOP-8
L298HN 2399 ST 14+ FECHO DE CORRER
NDS8434A 10000 FAIRCHILD 16+ SOP-8
MC34166TVG 3478 EM 16+ TO-220
MBRF20100CTG 10000 EM 16+ TO-220
LT3591EDDB#TRMPBF 13514 LINEAR 14+ DFN
LM318MX 2000 NSC 15+ SOP-8
NCP1117ST50T3G 10000 EM 16+ SOT-223
MC33204DR2G 5938 EM 16+ CONCESSÃO
AT24C02B-PU 2200 ATMEL 14+ DIP-8
LTC1665CGN#PBF 5890 LINEAR 16+ SSOP




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