Módulo de poder do mosfet IGBT do poder do st do módulo de poder do Mosfet de FGH40N60SMD
thyristor diode module
,low voltage power mosfet
FGH40N60SMDF
600V, parada de campo 40A IGBT
Características
• Temperatura de junção máxima: TJ =175℃
• Coeficiente positivo de Temperaure para o funcionamento paralelo fácil
• Capacidade atual alta
• Baixa tensão de saturação: VCE (se sentou) =1.9V (tipo.) @ IC = 40A
• Impedância alta da entrada
• Interruptor rápido
• Aperte a distribuição do parâmetro
• RoHS complacente
Aplicações
• Inversor solar, UPS, SMPS, PFC
• Aquecimento de indução
Descrição geral
Usando a tecnologia nova da parada de campo IGBT, a nova série de Fairchild de parada de campo IGBTs oferece o desempenho o melhor para as aplicações solares do inversor, do UPS, do SMPS, do IH e do PFC onde a baixa condução e as perdas de comutação são essenciais.
Avaliações máximas absolutas
Símbolo | Descrição | Avaliações | Unidades |
VCES | Coletor à tensão do emissor | 600 | V |
VGES | Porta à tensão do emissor | ± 20 | V |
IC | Corrente de coletor @ TC = 25℃ | 80 | |
Corrente de coletor @ TC = 100℃ | 40 | ||
ICM (1) | Corrente de coletor pulsada | 120 | |
SE | Corrente dianteira do diodo @ TC = 25℃ | 40 | |
Corrente dianteira do diodo @ TC = 100℃ | 20 | ||
IFM (1) | Corrente dianteira máxima pulsada do diodo | 120 | |
Paládio | Dissipação de poder máxima @ TC = 25℃ | 349 | W |
Dissipação de poder máxima @ TC = 100℃ | 174 | W | |
TJ | Temperatura de junção de funcionamento | -55 a +175 | ℃ |
Tstg | Variação da temperatura do armazenamento | -55 a +175 | ℃ |
TL |
Temp máximo da ligação. para finalidades de solda, 1/8" do argumento por 5 segundos |
300 | ℃ |
Notas: 1: Avaliação repetitiva: Largura de pulso limitada pela temperatura de junção máxima.
Oferta conservada em estoque (venda quente)
Número da peça. | Quantidade | Tipo | D/C | Pacote |
EL817B-F | 12000 | EL | 16+ | MERGULHO |
EL817C-F | 12000 | EVERLIGHT | 16+ | MERGULHO |
EL817S (A) (TA) - F | 68000 | EVERLIGHT | 12+ | SOP-4 |
EM639165TS-6G | 7930 | ETRONTECH | 15+ | TSOP-54 |
EM63A165TS-6G | 13467 | ETRONTECH | 14+ | TSOP-54 |
EM78P459AKJ-G | 9386 | Compatibilidade eletrónica | 15+ | DIP-24 |
EMI2121MTTAG | 5294 | EM | 15+ | DFN |
ENC28J60-I/SO | 7461 | MICROCHIP | 16+ | SOP-28 |
EP1C3T144C8N | 3452 | ALTERA | 13+ | QFP144 |
EP3C5F256C8N | 2848 | ALTERA | 15+ | BGA |
EP3C80F780I7N | 283 | ALTERA | 16+ | BGA |
EP9132 | 3575 | EXPLORE | 16+ | TQFP-80 |
EPC1213LC-20 | 3527 | ALT | 03+ | PLCC20 |
EPC1213PC8 | 8853 | ALTERA | 95+ | DIP-8 |
EPC2LI20N | 2794 | ALTERA | 13+ | PLCC |
EPM7032SLC44-10N | 2472 | ALTERA | 13+ | PLCC44 |
EPM7064SLC44-10N | 2498 | ATLERA | 15+ | PLCC |
EPM7128SQC100-10N | 1714 | ALTERA | 12+ | QFP |
ERA-1SM+ | 3210 | MINI | 15+ | SOT-86 |
ES1B-E3/61T | 18000 | VISHAY | 14+ | DO-214AC |
ES2G-E3/52T | 12000 | VISHAY | 16+ | SMB |
ES2J-E3/52T | 12000 | VISHAY | 13+ | DO-214AA |
ES3J | 12000 | FSC | 15+ | SMC |
ES56031S | 3498 | ES | 16+ | SOP-24 |
ESAD92-02 | 6268 | FUIJ | 16+ | TO-3P |
ESD112-B1-02EL E6327 | 23000 | 15+ | TSLP-2-20 | |
ESD5Z5.0T1G | 9000 | EM | 13+ | SOD-523 |
ESD5Z7.0T1G | 12000 | EM | 16+ | SOD-523 |
ESDA6V1SC5 | 51000 | ST | 15+ | SOT23-5 |
ESP-12E | 3991 | AI | 16+ | SMT |

Reguladores de tensão de MMSZ5245BT1G 500mW SOD123 Zener

Supressores transientes da tensão de SMBJ18A DO-214AA SMBJ Transzorb

Montagem de superfície do diodo 225mW SOT−23 dos reguladores de tensão de BZX84C12LT1G Zener

Retificadores Ultrafast 100−600V do poder do modo 16A do interruptor de MUR1620CTG

Transistor bipolares TO-3P de NJW0281G 50W NPN PNP

Fototransistor de duplo canal de MOCD213M 2500Vrms SOIC8

Transistor do silicone do poder médio 0.5A 300V 20W NPN de MJE340G

Retificadores Ultrafast do poder da montagem de superfície de IC da gestão do poder de MURS260T3G

Eliminação do laço à terra de IC Chip Logic Gate Optocouplers For do computador de HCPL0600R2 10bps
