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Casa > produtos > microplaquetas eletrônicas do CI > Transistor do MOSFET do poder de NTMD6N02R2G 6,0 ampères, 20 volts de pacote SO−8 duplo do modo eletrônico do realce de N−Channel da microplaqueta do CI

Transistor do MOSFET do poder de NTMD6N02R2G 6,0 ampères, 20 volts de pacote SO−8 duplo do modo eletrônico do realce de N−Channel da microplaqueta do CI

Transistor do MOSFET do poder de NTMD6N02R2G 6,0 ampères, 20 volts de pacote SO−8 duplo do modo eletrônico do realce de N−Channel da microplaqueta do CI
Transistor do MOSFET do poder de NTMD6N02R2G 6,0 ampères, 20 volts de pacote SO−8 duplo do modo eletrônico do realce de N−Channel da microplaqueta do CI
fabricante:
Semi ON / Semi Catalisador
Descrição:
Montagem de superfície 8-SOIC da disposição 20V 3.92A 730mW do Mosfet
Categoria:
microplaquetas eletrônicas do CI
Preço:
Negotiate
Método do pagamento:
T/T, Western Union, Paypal
Especificações
Tensão de Drain−to−Source:
20 V
Variação da temperatura do funcionamento e do armazenamento:
−55 a +150°C
Tensão de Drain−to−Gate:
20 V
Temperatura máxima da ligação:
260°C
Destaque:

thyristor diode module

,

low voltage power mosfet

Introdução

Transistor do MOSFET do poder de NTMD6N02R2G 6,0 ampères, 20 volts


Características
• RDS ultra baixo (sobre)

• Vida da bateria de alargamento da eficiência mais alta

• Movimentação da porta do nível da lógica

• Pacote de superfície duplo diminuto da montagem SOIC−8

• O diodo exibe a recuperação de alta velocidade, macia

• A energia da avalancha especificou

• SOIC−8 que monta a informação fornecida

• O pacote de Pb−Free está disponível
Aplicações

• Conversores de DC−DC

• Controlo do motor da baixa tensão

• Gestão do poder em produtos portáteis e de Battery−Powered, por exemplo, em computadores, em impressoras, em telefones celulares e sem corda e em cartões de PCMCIA

AVALIAÇÕES MÁXIMAS (TJ = 25°C salvo disposição em contrário)

Avaliação Símbolo Valor Unidade
Tensão de Drain−to−Source VDSS 20 V
Tensão de Drain−to−Gate (RGS = 1,0 M) VDGR 20 V
− da tensão de Gate−to−Source contínuo VGS 12 V
Resistência térmica,
Junction−to−Ambient
Dissipação de poder total
Dreno contínuo Current@ Ta = 25°C
Dreno contínuo Current@ Ta = 70°C
Corrente pulsada do dreno		 RJA
Paládio
Identificação
Identificação
IDM		 62,5
2,0
6,5
5,5
50		 °C/W
W

AVALIAÇÕES MÁXIMAS (TJ = 25°C salvo disposição em contrário) (continuado)

Avaliação Símbolo Valor Unidade
Variação da temperatura do funcionamento e do armazenamento TJ, Tstg −55 a +150 °C
Único − da energia da avalancha de Drain−to−Source do pulso que começa TJ = 25°C (VDD = 20 VDC, VGS = 5,0 VDC, pico IL = 6,0 Apk, L = 20 mH, RG = 25) EAS 360 mJ
Temperatura máxima da ligação para finalidades de solda por 10 segundos TL 260 °C

Oferta conservada em estoque (venda quente)

Número da peça. Quantidade Tipo D/C Pacote
AT91SAM7S64C-AU 3522 ATMEL 14+ QFP
ATMEGA88PA-AU 3554 ATMEL 14+ QFP
BFG135 3586 14+ SOT-223
BTA40-600B 3618 ST 16+ TO-3
IR2184PBF 3650 IR 16+ DIP-8
PIC18F452-I/P 3682 MICROCHIP 13+ QFP
PC-5P-3a1b-24V 3714 Panasonic 15+
PIC18LF4520-I/PT 3746 MICROCHIP 16+ QFP
ADF4360-4BCPZ 3778 ANÚNCIO 16+ LFCSP
ADM2483BRWZ 3810 ANÚNCIO 14+ CONCESSÃO
BCM3349KFBG 3842 BROADCOM 14+ BGA
LMD18200T 3874 NS 14+ ZIP11
USBN9603-28M 3906 NS 16+ SOP-28
PIC18F2550-I/SP 3938 MICROCHIP 16+ DIP-28
IRFP360 3970 IR 13+ TO-247
HCF4053BM1 4002 ST 15+ CONCESSÃO
ADP3338AKC-1.8-RL7 4034 ANÚNCIO 16+ SOT-223
BA3308F-E2 4066 ROHM 16+ SOP-14
SPW47N60C3 4098 INF 14+ TO-247
6RI100G-160 4130 FUJI 14+ MÓDULO
AD620AN 4162 ANÚNCIO 14+ MERGULHO
AD8139ACPZ 4194 ANÚNCIO 16+ QFN
ADC0804LCN 4226 NS 16+ MERGULHO
AT89S8253-24PU 4258 ATMEL 13+ MERGULHO
DF10S 4290 SETEMBRO 15+ SMD-4
FZT651TA 4322 ZETEX 16+ SOT223
OPA4227PA 4354 BB 16+ MERGULHO
TMS320C50PQ80 4386 SI 14+ QFP
Z85C3008PSC 4418 ZILOG 14+ DIP40
GT60M104 4450 TOS 14+ TO-3PL

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