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Casa > produtos > microplaquetas eletrônicas do CI > LTST - o poder superior de C190KRKT conduziu a microplaqueta ultra brilhante do diodo SMD AlInGap

LTST - o poder superior de C190KRKT conduziu a microplaqueta ultra brilhante do diodo SMD AlInGap

LTST - o poder superior de C190KRKT conduziu a microplaqueta ultra brilhante do diodo SMD AlInGap
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LTST - o poder superior de C190KRKT conduziu a microplaqueta ultra brilhante do diodo SMD AlInGap
fabricante:
Fabricante
Descrição:
Red 631nm LED Indication - Discrete 2V 0603 (1608 Metric)
Categoria:
microplaquetas eletrônicas do CI
Preço:
Negotiation
Método do pagamento:
T/T, Western Union, Paypal
Especificações
Supply Voltage (V+ - V− ):
13.2V
Voltage at Input pins:
V+ +0.5V, V− −0.5V
Soldering Information:
235˚C
Wave Soldering (10 sec.):
260˚C
Destaque:

led diode smd

,

led diode za tablice

Introdução

Características

* super dilua (0.80H milímetro) o diodo emissor de luz da microplaqueta.

* diodo emissor de luz ultra brilhante da microplaqueta de AlInGaP.

* pacote na fita de 8mm em 7" carretéis do diâmetro.

* compatível com equipamento automático da colocação.

* compatível com infravermelho e processo da solda do reflow da fase de vapor.

* pacote da AIA STD.

* I.C. compatível.

Limpeza

Não use o líquido químico não especificado para limpar o diodo emissor de luz que poderiam prejudicar o pacote. Se limpo é necessário, imergem o diodo emissor de luz no álcool de etilo ou no álcool isopropílico na temperatura normal para menos um minuto.

Avaliações máximas absolutas em Ta=25℃

Parâmetro LTST-C171KGKT
Dissipação de poder 75 mW
Corrente dianteira máxima 80 miliampères
Corrente dianteira contínua 30 miliampères
Derating linear de 25℃ 0,4 mA/℃
Tensão reversa 5 V
Variação da temperatura de funcionamento -55℃ a + 85℃
Variação da temperatura do armazenamento -55℃ a + 85℃

Curvas de características elétricas/óticas típicas

(temperatura ambiental de 25 °C salvo disposição em contrário)

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