Circuito integrado Chip Electronics Ic Chip do transformador ADT1-1WT+ do RF
electronic integrated circuit
,digital integrated circuits
Transformador ADT1-1WT+ do RF
Avaliações máximas
Temperatura de funcionamento -20°C a 85°C
Temperatura de armazenamento -55°C a 100°C
Poder do RF 0.5W
Corrente da C.C. 30mA
Pin Connections
PONTO PRELIMINAR 3
PRELIMINAR 1
PONTO SECUNDÁRIO 6
SECUNDÁRIO 4
SECONARY CT 2
NÃO USADO 5
Desenho de esboço
Características
• desequilíbrio excelente da amplitude, 0,1 tipos do DB. e desequilíbrio da fase, 1 grau. tipo. na largura de banda 1dB
• lavável aquoso
• protegido sob a patente 6.133.525 dos E.U.
Aplicações
• harmonização de impedância
• amplificador equilibrado
Especificações elétricas do transformador
Ω | | INSERÇÃO LOSS* | FASE | AMPLITUDE |
1 | 0.4-800 | 0.4-800 0.5-700 1-400 | 1 4 | 0,1 0,5 |
* a perda de inserção é provida à perda da meados de-faixa, 0,3 tipos do DB.
Dados de desempenho típicos
FREQUÊNCIA INERTION ENTRADA AMPLITUDE FASE |
0,30 0,68 12,11 0,15 0,25 |
PERDA DE INSERÇÃO DE ADT1-1WT

0402 filme grosso Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT

200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A para a linha elétrica TDK SMD0603

filme SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC de 22R 5%

Varistor SMD azul Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuito através do disco 20mm do furo

Do silicone de uso geral do diodo de retificador de 2SB1261-TP 10W transistor planar Epitaxial de Pnp

Mosfet polar Hiperfet TO264 300V 140A do poder de IXFK140N30P

DF2B29FU, diodos da proteção das tevês 24VWM 47V ESD de H3F

Retificador MEGA SOD123 da barreira de PMEG6010ER 1A baixo VF Schottky

Os diodos de retificador da barreira de SK34SMA 3A SMD Schottky FAZEM - 214AC
