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Casa > produtos > microplaquetas eletrônicas do CI > Microplaqueta original de IC dos diodos da eletrônica de IC da microplaqueta do circuito integrado de FDS8858CZ

Microplaqueta original de IC dos diodos da eletrônica de IC da microplaqueta do circuito integrado de FDS8858CZ

Microplaqueta original de IC dos diodos da eletrônica de IC da microplaqueta do circuito integrado de FDS8858CZ
Microplaqueta original de IC dos diodos da eletrônica de IC da microplaqueta do circuito integrado de FDS8858CZ
fabricante:
Fabricante
Descrição:
Disposição 30V 8.6A do Mosfet, montagem de superfície 8-SOIC de 7.3A 900mW
Categoria:
microplaquetas eletrônicas do CI
Preço:
Negotiation
Método do pagamento:
T/T, Western Union, Paypal
Especificações
Variação da temperatura:
– 55°C ao °C +150
Resistência térmica típica:
-7.3A
Tensão:
-30V
Corrente de impulso dianteiro:
40-78 °C/w
Pacote:
SOP-8
Pacote da fábrica:
Carretel
Destaque:

electronic integrated circuit

,

digital integrated circuits

Introdução

FDS8858CZ

N-canal duplo do MOSFET de PowerTrench® de N & de P-canal: 30V, 8.6A, 17.0mΩ

P-canal: -30V, -7.3A, 20.5mΩ

Características

Q1: „ RDS máximo do N-canal (sobre) = 17mΩ em VGS = 10V, „ identificação = 8.6A

RDS máximo (sobre) = 20mΩ em VGS = 4.5V, identificação = 7.3A Q2: „ do P-canal

RDS máximo (sobre) = 20.5mΩ em VGS = -10V, identificação = „ de -7.3A

RDS máximo (sobre) = 34.5mΩ em VGS = -4.5V, identificação = „ de -5.6A

Poder superior e capacidade entregar em um pacote de superfície amplamente utilizado da montagem

Speedt de comutação rápido

Descrição geral

Este os MOSFETs do poder do modo do realce duplo de N e de P-canal são produzidos usando o processo avançado do PowerTrench do semicondutor de Fairchild que foi costurado especialmente para minimizar a resistência do em-estado no entanto para manter o desempenho de comutação superior. Estes dispositivos são bem - serido para a baixa tensão e as aplicações a pilhas onde baixo in-line pôr a perda e o interruptor rápido são exigidos.

„ da aplicação

Fanfarrão síncrono do „ do inversor

AVALIAÇÕES MÁXIMAS ABSOLUTAS

Ta = 25°C salvo disposição em contrário

Símbolo Parâmetro Q1 Q2 Unidade
VDS Drene à tensão da fonte 30 -30 V
VGS Porta à tensão da fonte ±20 ±25 V
Identificação Drene atual - contínuo Ta = 25°C 8,6 -7,3
- Pulsado 20 -20
Paládio Dissipação de poder para a operação dupla 2,0 w
Dissipação de poder para a única operação Ta = 25°C 1,6
Ta = 25°C 0,9
TJ, TSTG Variação da temperatura da junção do funcionamento e do armazenamento -55 a +150 °C


Uma parte da lista conservada em estoque

MAX232EIDR SI 62AY3FM/1608 SOP-16
BCV29 E6327 1237/EF SOT-89
REDE 330R RP164PJ331CS SAMSUNG 20160822 smd0603*4
REDE 1K RP164PJ102CS SAMSUNG 20160816 smd0603*4
RES 1210 4R7 5% RC1210JR-074R7L YAGEO 1627 SMD1210
C.I SN74LS244N SI 64ACSOK DIP-20
C.I P80C31SBPN 0935+ DIP-40
C.I AT89C51-24PI ATMEL 1602 DIP-40
C.I LM2575T-5.0/NOPB SI 61AY9TOE3 TO-220
C.I M27C512-10F1 ST 9G003 CDIP-28
C.I 74HC245DB, 118 1618/1619 SSOP-20
MCP130T-315I/TT MICROCHIP PLEP SOT23-3
DIODO TPD4E001DBVR SI NFYF SOT23-6
C.I SN74LS374N SI 1523+5/56C0DZK/56C0E3K DIP-20
C.I MIC 2937A-3.3BU MICREL 9834 TO-263
C.I SN74LS138N SI 67CGG1K DIP-16
DIODO DF10 SETEMBRO 1613 DIP-4
DIODO SS14-E3/61T VISHAY 1520/S4 SMA
RES 33K 1%
RC0603FR-0733KL		 YAGEO 1545 SMD0603
TAMPÃO 10UF 16V X5R 10%
GRM21BR61C106KE15L		 MURATA IA6817YW3 SMD0805
TAMPÃO 0603 100NF 50V X7R 06035C104KAT2A AVX 1630 SMD0603
RES 2512 3R6 5% RC2512JK-073R6L YAGEO 1631 SMD2512
RES 1210 4R7 5% RC1210JR-074R7L YAGEO 1627 SMD1210
RES 1210 3R3 5% RC1210JR-073R3L YAGEO 1627 SMD1210
DIODO BZX84-C5V1 1601/Z2W SOT-23
DIODO BZX84-C6V2 1517/Z4W SOT-23
RES 10K 5%
RC0805JR-0710KL		 YAGEO 1632 SMD0805
SENSOR KTY11-6
Q62705-K246		 T6/S76 TO-92
C.I AD767JN ANÚNCIO 0604+ DIP-24
TRIAC BT151-500R 603 TO-220
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