SFH6106-3 circuito integrado Chip Optocoupler, saída do fototransistor, confiança alta, 5300 VRMS
electronic integrated circuit
,digital integrated circuits
SFH610A/SFH6106
Acoplador ótico, saída do fototransistor, confiança alta, 5300 VRMS
Características
• Boas linearidades do CTR segundo a corrente dianteira
• Tensão do teste do isolamento, 5300 VRMS
• Alta tensão do Coletor-emissor, VCEO = 70 V
• Baixa tensão de saturação
• Épocas de comutação rápidas
• Baixa degradação do CTR
• Estábulo da temperatura
• Baixa capacidade de acoplamento
• Fim-empilhável, 0,100" afastamento (2,54 milímetros)
• Imunidade alta da interferência do Comum-modo
• Ligação (Pb) - componente livre
• Componente do acordo a RoHS 2002/95/EC e WEEE 2002/96/EC
Aprovações da agência
• UL1577, código H do sistema do no. E52744 do arquivo ou J, proteção dobro
• EN 60747-5-2 DO RUÍDO (VDE0884)
EN 60747-5-5 do RUÍDO pendente
Disponível com opção 1
• CSA 93751
• BSI IEC60950 IEC60065
Descrição
Os SFH610A (MERGULHO) e SFH6106 (SMD) caracterizam uma relação de transferência atual alta, uma baixa capacidade de acoplamento e uma alta tensão do isolamento. Estes acopladores têm um emissor infravermelho do diodo do GaAs, que seja acoplado opticamente a um detector planar do fototransistor do silicone, e são incorporados em um pacote plástico de DIP-4 ou de SMD. Os dispositivos de acoplamento são projetados para uma transmissão do sinal entre dois circuitos eletricamente separados. Os acopladores são fim-empilháveis com 2,54 milímetros de afastamento.
As distâncias da dispersão e do afastamento > de 8,0 milímetros são conseguidas com opção 6. Esta versão cumpre com o IEC 60950 (VDE 0805 do RUÍDO) para a isolação reforçada até uma tensão da operação de 400 VRMS ou de C.C. As especificações sujeitam para mudar.
Avaliações máximas absolutas
Tamb = °C 25, salvo disposição em contrário
Os esforços além das avaliações máximas absolutas podem causar dano permanente ao dispositivo. O funcionamento funcional do dispositivo não é implicado nestes ou em nenhuma outra circunstâncias além daqueles dados nas seções operacionais deste documento. A exposição à avaliação máxima absoluta por períodos prolongados do tempo pode adversamente afetar a confiança.
Entrada
| Parâmetro | Condição de teste | Símbolo | Valor | Unidade |
| Tensão reversa | VR | 6,0 | V | |
| C.C. para a frente atual | SE | 60 | miliampère | |
| Aflua para a frente atual | µs do ≤ 10 de t | IFSM | 2,5 | |
| Dissipação de poder | Pdiss | 100 | mW |
Saída
| Parâmetro | Condição de teste | Símbolo | Valor | Unidade |
| tensão do Coletor-emissor | VCE | 70 | V | |
| tensão do Emissor-coletor | VEC | 7,0 | V | |
| Corrente de coletor | IC | 50 | miliampère | |
| Senhora do ≤ 1,0 de t | IC | 100 | miliampère | |
| Dissipação de poder | Pdiss | 150 | mW |
Acoplador
| Parâmetro | Condição de teste | Símbolo | Valor | Unidade |
| A tensão do teste do isolamento entre o emissor e o detector, refere o RUÍDO 40046 do clima, parte 2, em novembro de 74 | VISO | 5300 | VRMS | |
| Dispersão | ≥ 7,0 | milímetro | ||
| Afastamento | ≥ 7,0 | milímetro | ||
| Espessura da isolação entre o emissor e o detector | ≥ 0,4 | milímetro | ||
| Índice de seguimento comparativo por IEC 112/VDEO 303 do RUÍDO, parte 1 | ≥ 175 | |||
| Resistência do isolamento | VIO = 500 V, Tamb = °C 25 | RIO | ≥ 1012 | Ω |
| VIO = 500 V, Tamb = °C 100 | RIO | ≥ 1011 | Ω | |
| Variação da temperatura do armazenamento | Tstg | - 55 + a 150 | °C | |
| Variação da temperatura ambiental | Tamb | - 55 + a 100 | °C | |
| Temperatura de junção | Tj | 100 | °C | |
| Temperatura de solda | distância de solda do mergulho do máximo 10 S. a assentar o ≥ plano 1,5 milímetros | Tsld | 260 | °C |
Dimensões do pacote nas polegadas (milímetros)
0402 filme grosso Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT
200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A para a linha elétrica TDK SMD0603
filme SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC de 22R 5%
Varistor SMD azul Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuito através do disco 20mm do furo
Do silicone de uso geral do diodo de retificador de 2SB1261-TP 10W transistor planar Epitaxial de Pnp
Mosfet polar Hiperfet TO264 300V 140A do poder de IXFK140N30P
DF2B29FU, diodos da proteção das tevês 24VWM 47V ESD de H3F
Retificador MEGA SOD123 da barreira de PMEG6010ER 1A baixo VF Schottky
Os diodos de retificador da barreira de SK34SMA 3A SMD Schottky FAZEM - 214AC