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Casa > produtos > microplaquetas eletrônicas do CI > IRF640NSTRLPBF avançou a tecnologia de processamento que o CI comum lasca circuitos digitais do CI

IRF640NSTRLPBF avançou a tecnologia de processamento que o CI comum lasca circuitos digitais do CI

IRF640NSTRLPBF avançou a tecnologia de processamento que o CI comum lasca circuitos digitais do CI
IRF640NSTRLPBF avançou a tecnologia de processamento que o CI comum lasca circuitos digitais do CI
fabricante:
Fabricante
Descrição:
Montagem D2PAK da superfície 150W do N-canal 200 V 18A (Tc) (Tc)
Categoria:
microplaquetas eletrônicas do CI
Preço:
Negotiation
Método do pagamento:
T/T, Western Union, Paypal
Especificações
Corrente contínua do dreno, VGS @ 10V:
13 A
Corrente pulsada do dreno:
? 72 A
Dissipação de poder:
150 W
Destaque:

electronic integrated circuit

,

digital integrated circuits

Introdução

Lista CONSERVADA EM ESTOQUE

MRF184 6393 MOT 14+ SMD
MURS140 25000 EM 16+ DO-214
BGY68 3500 14+ MOKUAI
PESD5V2S2UT 25000 16+ ÉBRIO
LM26CIM5-TPA 5000 NSC 14+ SOT-23-5
CM1200HB-66H 213 MITSUBI 14+ MÓDULO
LPC11C24FBD48 4833 15+ LQFP-48
CM30TF-24H 313 MITSUBI 15+ MÓDULO
7MBR50SB120 230 FUJI 12+ MÓDULO
MAX209EWG 7850 MÁXIMA 14+ CONCESSÃO
LXT970AQC 4907 LEVELONE 10+ QFP
MSP430FG4619IPZ 6834 SI 16+ LQFP
NCP1052ST136T3G 9280 EM 16+ SOT-223
MAX17121ETG 6550 MÁXIMA 16+ QFN
MAC97A6 25000 EM 16+ TO-92
MPC89E58AF 5910 MEGAWIN 16+ PQFP
CS4398-CZZR 2234 CIRRO 15+ TSSOP
LC4064V-75TN100-10I 3070 ESTRUTURA 15+ QFP
ME0550-02DA 595 IXYS 14+ IGBT
MDD26-14N1B 5902 IXYS 16+ IGBT
MT9V024IA7XTM 2499 EM 15+ BGA
MCC21-1408B 4756 IXYS 14+ IGBT
CM100DU-24NFH 378 MITSUBI 15+ MÓDULO
6RI100E-080 958 FUJI 15+ MÓDULO
PM150RSD060 250 MITSUBISH 10+ MOUDLE
PK160F-160 120 SANREX 11+ MÓDULO
LC540 3081 SI 15+ TSSOP
OP20FZ 596 ANÚNCIO 16+ CDIP
PCA9554PWR 12420 SI 16+ TSSOP
M1494NC180 479 WESTCODE 14+ MÓDULO
LM4890MM 30000 NSC 15+ MSOP-8
MHW6342T 6304 MOT 15+ CATV
CM450HA-5F 233 MITSUBI 14+ MÓDULO
PM200RSD060 230 MITSUBISH 05+ MOUDLE

MOSFET do poder de HEXFET®

? ►Processo avançado

►Tecnologia? Avaliação dinâmica de dv/dt?

►temperatura de funcionamento 175°C?

►Interruptor rápido?

►Inteiramente avalancha avaliada?

►Facilidade da paralelização?

►Exigências simples da movimentação

►? Sem chumbo

Descrição

Os MOSFETs do poder da quinta geração HEXFET® do retificador internacional utilizam técnicas de processamento avançadas para conseguir extremamente - a baixa em-resistência pela área do silicone. Este benefício, combinado com a velocidade de comutação rápida e o projeto ruggedized do dispositivo que os MOSFETs do poder de HEXFET são conhecidos para, fornece o desenhista um dispositivo extremamente eficiente e seguro para o uso em uma grande variedade de aplicações.

O pacote TO-220 é preferido universalmente para todas as aplicações comercial-industriais a níveis da dissipação de poder a aproximadamente 50 watts. A baixa resistência térmica e o baixo custo do pacote do TO-220 contribuem a sua aceitação larga durante todo a indústria.

O D2Pak é um pacote de superfície do poder da montagem capaz da acomodação a morrer tamanhos até HEX-4. Fornece a capacidade do poder o mais alto e o mais baixo onresistance possível em todo o pacote de superfície existente da montagem. O D2Pak é apropriado para aplicações atuais altas devido a sua baixa resistência interna da conexão e pode dissipar-se até 2.0W em uma aplicação de superfície típica da montagem.

A versão do através-furo (IRF640NL) está disponível para a aplicação lowprofile

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