FM25V02-G IC eletrônico lasca a memória de série de 256Kb 3V F-RAM
electronic integrated circuit
,linear integrated circuits
FM25V02
memória de série de 256Kb 3V F-RAM
Características
256K mordeu RAM permanente Ferroelectric
- Organizado como 32.768 x 8 bocados
- O trilhão alto da resistência 100 (1014) leu/escreveu
- Retenção de 10 dados do ano
- NoDelay™ escreve
- Processo Ferroelectric da Alto-confiança avançada
Relação periférica de série muito rápida - SPI
- Até 40 megahertz de frequência
- Substituição direta do hardware para o flash de série
- Modo 0 & 3 de SPI (CPOL, CPHA=0,0 & 1,1)
Escreva o esquema da proteção
- Proteção do hardware
- Proteção de software
Identificação do dispositivo e número de série
- A identificação do dispositivo lê para fora a identificação do fabricante & a identificação da parte
- Número de série original (FM25VN02)
Baixa tensão, baixa potência
- Operação de baixa tensão 2.0V – 3.6V
- corrente do apoio de 90 μA (tipo.)
- corrente do modo de sono de 5 μA (tipo.)
Configurações do padrão do setor
- Temperatura industrial -40℃ a +85℃
- pacote de /RoHS SOIC do “verde 8-pin”
- pacote de /RoHS TDFN do “verde 8-pin”
Descrição
O FM25V02 é uma memória permanente de 256 kilobit que emprega um processo ferroelectric avançado. Uma memória de acesso aleatório ou um F-RAM ferroelectric são permanente e executam leem e escrevem como RAM. Fornece a retenção segura dos dados por 10 anos ao eliminar as complexidades, as despesas gerais, e os problemas nivelados da confiança do sistema causados por memórias instantâneas e outras permanentes de série.
Ao contrário do flash de série, o FM25V02 executa para escrever operações na velocidade do ônibus. Nenhum escreva atrasos são incorridos. Os dados estão redigidos à disposição da memória imediatamente depois que foram transferidos ao dispositivo. O ciclo seguinte do ônibus pode começar sem a necessidade para a votação dos dados. O produto oferece muito altamente escrever a resistência, ordens de grandeza mais resistência do que o flash de série. Também, F-RAM exibe o consumo de uma mais baixa potência do que o flash de série.
Estas capacidades fazem o ideal FM25V02 para a exigência das aplicações da memória permanente frequente ou rápido escreve ou operação da baixa potência. Os exemplos variam do levantamento de dados, de onde o número escreve ciclos pode ser crítico, a exigir os controles industriais onde o longos escrevem a época do flash de série podem causar a perda dos dados.
O FM25V02 fornece benefícios substanciais aos usuários do flash de série como uma substituição da reunião informal do hardware. Os dispositivos usam o ônibus de alta velocidade de SPI, que aumenta o de alta velocidade escreve a capacidade de tecnologia de F-RAM. O FM25VN02 é oferecido com um número de série original que seja de leitura apenas e possa ser usado para identificar uma placa ou um sistema. Ambos os dispositivos incorporam uma identificação de leitura apenas do dispositivo que permita que o anfitrião determine o fabricante, a densidade do produto, e a revisão do produto. Os dispositivos são garantidos sobre uma variação da temperatura industrial de -40°C a +85°C.
Avaliações máximas absolutas
Símbolo | Descrição | Avaliações |
VDD | Tensão de fonte de alimentação no que diz respeito ao VSS | -1.0V a +4.5V |
VIN | Tensão em algum pino no que diz respeito ao VSS | -1.0V a +4.5V e a VIN< V=""> DD+1.0V |
TSTG | Temperatura de armazenamento | -55°C a + 125°C |
TLEAD | Segundos (de solda, 10) da temperatura da ligação | 260°C |
VESD |
Tensão da descarga eletrostática - Modelo do corpo humano (AEC-Q100-002 Rev. E) - Modelo carregado do dispositivo (AEC-Q100-011 Rev. B) - Modelo de máquina (AEC-Q100-003 Rev. E) |
1kV 1.25kV 200V |
Nível da sensibilidade de umidade do pacote | MSL-1 |
Os esforços acima daqueles alistados sob avaliações máximas absolutas podem causar dano permanente ao dispositivo. Esta é uma avaliação do esforço somente, e a operação funcional do dispositivo nestes ou de nenhuma outra condições acima daqueles alistados na seção operacional desta especificação não é implicada. A exposição às condições das avaliações de máximo absolutas por períodos prolongados pode afetar a confiança do dispositivo.
Pin Configuration
Oferta conservada em estoque (venda quente)
Número da peça. | Quantidade | Tipo | D/C | Pacote |
FDN358P | 58000 | FAIRCHILD | 16+ | SOT-23 |
FDN5630-NL | 83000 | FAIRCHILD | 16+ | SOT-23 |
FDPF14N30 | 5507 | FAIRCHILD | 09+ | TO-220F |
FDS3672 | 5282 | FAIRCHILD | 14+ | SOP-8 |
FDS4435BZ | 16331 | FAIRCHILD | 15+ | SOP-8 |
FDS4935BZ | 9357 | FAIRCHILD | 14+ | SOP-8 |
FDS6576 | 20788 | FAIRCHILD | 13+ | SOP-8 |
FDS6681Z | 6161 | FAIRCHILD | 13+ | SOP-8 |
FDS6699S | 20859 | FAIRCHILD | 13+ | SOP-8 |
FDS8978 | 18516 | FAIRCHILD | 09+ | SOP-8 |
FDS9431A | 9728 | FAIRCHILD | 13+ | SOP-8 |
FDS9945-NL | 9799 | FAIRCHILD | 12+ | SOP-8 |
FDV301N | 12000 | FSC | 16+ | SOT23-5 |
FDV304P | 86000 | FAIRCHILD | 15+ | SOT-23 |
FEP16DT | 8008 | VISHAY | 11+ | TO-220 |
FEP16GT | 12410 | FSC | 16+ | TO-220 |
FERD30M45CT | 6132 | ST | 15+ | TO-220AB |
FES16JT | 12481 | VISHAY | 13+ | TO-220 |
FGA25N120ANTD | 5228 | FSC | 15+ | TO-3P |
FGH40N60SMDF | 5808 | FAIRCHILD | 16+ | TO-247 |
FGH40N60UFD | 8213 | FAIRCHILD | 15+ | TO-247 |
FGH60N60SFD | 4835 | FAIRCHILD | 13+ | SOP-8 |
FGH60N60UFD | 4764 | FSC | 16+ | TO-247 |
FGL40N120AND | 7142 | FAIRCHILD | 16+ | TO-264 |
FJE3303H2TU | 14485 | FAIRCHILD | 07+ | TO-126 |
FLZ2V2A | 20000 | FSC | 15+ | LL34 |
FLZ3V6A | 7000 | FSC | 12+ | LL34 |
FM18W08-SGTR | 4627 | CYPRESS | 11+ | SOP-28 |
FM24CL64B-GTR | 1578 | CYPRESS | 16+ | SOP-8 |
FM24W256-GTR | 7533 | CYPRESS | 14+ | SOP-8 |

W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G MORDEU Winbond TW SPI

PF48F4400P0VBQEK NOVO E ORIGINAL

Memória Flash ESTOQUE NOVO E ORIGINAL de IC de DSPIC30F3011-30I/PT

ESTOQUE NOVO E ORIGINAL DE IR2110PBF

Microplaqueta de IC da memória Flash de S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz

Do BOCADO instantâneo de série da microplaqueta 3V 8M de W25Q80DVSNIG circuito integrado duplo da memória de Spi do quadrilátero

Módulo IRF520 da movimentação PWM Controlador de MOS Tube Field Effect Single-Chip

MAX485, RS485 módulo TTL RS-485 ao módulo TTL a 485

SKY65336-11 NOVO E ORIGINAL
Imagem | parte # | Descrição | |
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W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G MORDEU Winbond TW SPI |
FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gbit SPI - Quad I/O 104 MHz 7 ns 8-WSON (8x6)
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PF48F4400P0VBQEK NOVO E ORIGINAL |
FLASH - NOR (MLC) Memory IC 512Mbit CFI 52 MHz 110 ns 64-LBGA (11x13)
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Memória Flash ESTOQUE NOVO E ORIGINAL de IC de DSPIC30F3011-30I/PT |
dsPIC dsPIC™ 30F Microcontroller IC 16-Bit 30 MIPs 24KB (8K x 24) FLASH 44-TQFP (10x10)
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ESTOQUE NOVO E ORIGINAL DE IR2110PBF |
Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 14-DIP
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Microplaqueta de IC da memória Flash de S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz |
FLASH - NOR Memory IC 32Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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Do BOCADO instantâneo de série da microplaqueta 3V 8M de W25Q80DVSNIG circuito integrado duplo da memória de Spi do quadrilátero |
FLASH - NOR Memory IC 8Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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Módulo IRF520 da movimentação PWM Controlador de MOS Tube Field Effect Single-Chip |
N-Channel 100 V 9.2A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
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MAX485, RS485 módulo TTL RS-485 ao módulo TTL a 485 |
1/1 Transceiver Half RS422, RS485 8-uMAX/uSOP
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SKY65336-11 NOVO E ORIGINAL |
RF Front End 2.4GHz ISM 28-MCM (8x8)
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