Página linear dos circuitos integrados de M25PE16-VMW6TG - memória Flash de série apagável
electronic integrated circuit
,linear integrated circuits
M25PE16
16-Mbit, memória Flash de série página-apagável com byte-mutabilidade, ônibus de 75 megahertz SPI, pinout padrão
Características
■Relação de série compatível do ônibus de SPI
■memória Flash 16-Mbit página-apagável
■Tamanho de página: 256 bytes
– A página escreve na Senhora 11 (típica)
– Programa da página em 0,8 Senhoras (típicas)
– A página apaga na Senhora 10 (típica)
■O subsector apaga (4 Kbytes)
■O setor apaga (64 Kbytes)
■O volume apaga (16 Mbits)
■2,7 tensão de fonte de V a de 3,6 V única
■Taxa de pulso de disparo de 75 megahertz (máximo)
■ΜA profundo do modo 1 do poder-para baixo (típico)
■Assinatura eletrônica
– Assinatura padrão de dois-byte de JEDEC (8015h)
– Código de identificação original (UID) com 16 bytes de leitura apenas, disponível em cima do pedido do cliente
■O software escreve a proteção em uma base do setor 64-Kbyte
■O hardware escreve a proteção da área de memória selecionada usando os bocados BP0, BP1 e BP2
■Mais de 100 000 escrevem ciclos
■Mais de 20 anos de retenção dos dados
■Pacotes – ECOPACK® (RoHS complacente)
Descrição
O M25PE16 é (× 8 de 2 Mbits) uma memória Flash 16-Mbit paginada de série alcançada por um ônibus SPI-compatível de alta velocidade.
A memória pode ser escrita ou 1 a 256 bytes programados em um momento, usando a página para escrever ou paginar a instrução de programa. A página escreve a instrução consiste em uma página integrada apaga o ciclo seguido por um ciclo de programa da página.
A memória é organizada como 32 setores que são mais adicionais divididos acima em 16 subsectores cada um (512 subsectores no total). Cada setor contém 256 páginas e cada subsector contém 16 páginas. Cada página é o byte 256 largamente. Assim, a memória inteira pode ser vista como consistir em 8192 páginas, ou 2.097.152 bytes.
A memória pode ser apagada uma página em um momento, usando a página apague a instrução, um subsector em um momento, usando o subsector apague a instrução, um setor em um momento, usando o setor apague a instrução, ou no conjunto, usando o volume apague a instrução.
A memória pode ser escrever - protegido pelo hardware ou pelo software usando características de proteção temporárias e permanentes misturadas, segundo as necessidades da aplicação. A granulosidade da proteção é de 64 Kbytes (granulosidade do setor).
Avaliação máxima
Forçar o dispositivo acima da avaliação alistada nas avaliações máximas absolutas pode causar dano permanente ao dispositivo. Estas são avaliações do esforço somente e a operação do dispositivo nestes ou de nenhuma outra condições acima daqueles indicados nas seções de funcionamento desta especificação não é implicada. A exposição às condições da avaliação de máximo absoluta por períodos prolongados pode afetar a confiança do dispositivo.
Símbolo | Parâmetro | Mínimo. | Máximo. | Unidade |
---|---|---|---|---|
TSTG | Temperatura de armazenamento | – 65 | 150 | °C |
TLEAD | Temperatura da ligação durante a solda | (1) | °C | |
VIO | Tensão da entrada e da saída (no que diz respeito à terra) | – 0,6 | VCC + 0,6 | V |
VCC | Tensão de fonte | – 0,6 | 4,0 | V |
VESD | Tensão da descarga eletrostática (modelo do corpo humano) (2) | – 2000 | 2000 | V |
Nota:
1. Complacente com JEDEC STD J-STD-020C (para o corpo, o conjunto pequeno do Sn-Pb ou do Pb), a especificação de Numonyx ECOPACK® 7191395, e a diretriz orientadora europeia em limitações em substâncias perigosas (RoHS) 2002/95/EU.
2. JEDEC STD JESD22-A114A (Ω PF, R1=1500 de C1=100, Ω R2=500).
Oferta conservada em estoque (venda quente)
Número da peça. | Quantidade | Tipo | D/C | Pacote |
MAX668EUB+ | 5357 | MÁXIMA | 10+ | MSOP |
MURF860G | 7793 | EM | 12+ | TO-220 |
PBSS5540Z | 10000 | 16+ | SOT-23 | |
MCR8SNG | 5788 | EM | 13+ | TO-220 |
LM6181IMX-8 | 1636 | NSC | 15+ | SOP-8 |
MC74HC4066DR2G | 38000 | EM | 14+ | CONCESSÃO |
CSD10060 | 2520 | HWCAT | 14+ | QFP |
CSD06060 | 2509 | HWCAT | 15+ | QFP |
MCP601T-I/OT | 10000 | MICROCHIP | 16+ | SOT23-5 |
BKP2125HS600-T | 23000 | TAIYO | 15+ | SMD |
BK1608LM252-T | 52000 | TAIYO | 15+ | SMD |
CLC001AJE | 1860 | NS | 11+ | SOP8 |
LM5106MM | 3219 | SI | 15+ | VSSOP-10 |
XRT7300IV | 500 | EXAR | 00+ | QFP44 |
CS5530A-UCE | 936 | NS | 00+ | BGA |
CS5536AD | 914 | AMD | 11+ | BGA |
PIC16F887-I/SP | 4768 | MICROCHIP | 15+ | MERGULHO |
LT3580EMS8E | 13382 | LINEAR | 16+ | MSOP |
MC9S08AC128CFUE | 4522 | FREESCALE | 14+ | QFP |
LAN91C111-NS | 980 | SMSC | 13+ | QFP-128 |
NCP1014AP100G | 8640 | EM | 11+ | MERGULHO |
NCP1055P100G | 9360 | EM | 11+ | MERGULHO |
NCP1014ST100T3G | 8800 | EM | 10+ | SOT-223 |
MAX8647ETE | 8773 | MÁXIMA | 16+ | QFN |
MP020-5 | 5679 | PM | 16+ | CONCESSÃO |
NCP1075P065G | 9520 | EM | 13+ | MERGULHO |
NCP1027P100G | 9120 | EM | 15+ | MERGULHO |
NCP1014AP065G | 8560 | EM | 13+ | MERGULHO |
NCP1027P065G | 9040 | EM | 10+ | MERGULHO |
NCP1014APL065R2G | 8720 | EM | 15+ | SMD |

W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G MORDEU Winbond TW SPI

PF48F4400P0VBQEK NOVO E ORIGINAL

Memória Flash ESTOQUE NOVO E ORIGINAL de IC de DSPIC30F3011-30I/PT

ESTOQUE NOVO E ORIGINAL DE IR2110PBF

Microplaqueta de IC da memória Flash de S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz

Do BOCADO instantâneo de série da microplaqueta 3V 8M de W25Q80DVSNIG circuito integrado duplo da memória de Spi do quadrilátero

Módulo IRF520 da movimentação PWM Controlador de MOS Tube Field Effect Single-Chip

MAX485, RS485 módulo TTL RS-485 ao módulo TTL a 485

SKY65336-11 NOVO E ORIGINAL
Imagem | parte # | Descrição | |
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W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G MORDEU Winbond TW SPI |
FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gbit SPI - Quad I/O 104 MHz 7 ns 8-WSON (8x6)
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PF48F4400P0VBQEK NOVO E ORIGINAL |
FLASH - NOR (MLC) Memory IC 512Mbit CFI 52 MHz 110 ns 64-LBGA (11x13)
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Memória Flash ESTOQUE NOVO E ORIGINAL de IC de DSPIC30F3011-30I/PT |
dsPIC dsPIC™ 30F Microcontroller IC 16-Bit 30 MIPs 24KB (8K x 24) FLASH 44-TQFP (10x10)
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ESTOQUE NOVO E ORIGINAL DE IR2110PBF |
Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 14-DIP
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Microplaqueta de IC da memória Flash de S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz |
FLASH - NOR Memory IC 32Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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![]() |
Do BOCADO instantâneo de série da microplaqueta 3V 8M de W25Q80DVSNIG circuito integrado duplo da memória de Spi do quadrilátero |
FLASH - NOR Memory IC 8Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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Módulo IRF520 da movimentação PWM Controlador de MOS Tube Field Effect Single-Chip |
N-Channel 100 V 9.2A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
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MAX485, RS485 módulo TTL RS-485 ao módulo TTL a 485 |
1/1 Transceiver Half RS422, RS485 8-uMAX/uSOP
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SKY65336-11 NOVO E ORIGINAL |
RF Front End 2.4GHz ISM 28-MCM (8x8)
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