TLP155 (circuito integrado eletrônico Chips Photocouplers GaA de E como o diodo emissor de luz & a foto infravermelhos IC
electronic integrated circuit
,linear integrated circuits
Diodo emissor de luz do infravermelho de GaAℓAs dos Photocouplers & foto IC TLP155
Aplicações
• Painéis de exposição do plasma (PDPs)
• Inversores do transistor
• Motoristas da porta do MOSFET
• Motoristas da porta de IGBT
General
Toshiba TLP155 consiste nos diodos luminescentes infravermelhos de um GaAℓAs e no ganho alto integrado, fotodetector de alta velocidade. O TLP155 é abrigado no pacote SO6. O fotodetector tem um protetor interno de Faraday que forneça uma imunidade transiente garantida do Comum-modo de ±20 kV/µ. TLP155 é apropriado para o circuito de condução direto da porta para IGBTs ou MOSFETs do poder.
Características
(1) tipo da lógica do amortecedor (saída do totem)
(2) tipo do pacote: SO6
corrente máxima da saída (de 3): ±0.6 A (máximo)
(4) temperatura de funcionamento: -40 a 100℃
corrente de entrada do ponto inicial (de 5): 7,5 miliampères (máximo)
(6) tempo de atraso da propagação: tpHL/tpLH = 200 ns (máximos)
imunidade transiente do Comum-modo (de 7): ±20 kV/µs (minuto)
enviesamento do atraso de propagação (de 8): ±85 ns (máximo)
tensão do isolamento (de 9): 3750 Vrms (minuto)
Empacotamento e Pin Assignment
Circuito interno (nota)
Avaliações máximas absolutas (nota) (salvo disposição em contrário, Ta = 25℃)
| Características | Símbolo | Nota | Avaliação | Unidade | |
|---|---|---|---|---|---|
| Diodo emissor de luz | Corrente dianteira entrada | SE | 20 | miliampère | |
| Derating atual dianteiro entrado (≥ 92℃ de Ta) | ∆IF/∆T | 0,63 | mA/℃ | ||
| Entrada transiente máxima para a frente atual | IFPT | (Nota 1) | 1 | ||
| Tensão reversa entrada | VR | 5 | V | ||
| Temperatura de junção | Tj | 125 | ℃ | ||
| Detector | Corrente de saída de nível elevado máxima (Ta = -40 a 100℃) | IOPH | (Nota 2) | -0,6 | |
| Corrente de saída de baixo nível máxima (Ta = -40 a 100℃) | IOPL | (Nota 2) | +0,6 | ||
| Tensão da saída | Vo | 35 | V | ||
| Tensão de fonte | VCC | 35 | V | ||
| Temperatura de junção | Tj | 125 | ℃ | ||
| Terra comum | Temperatura de funcionamento | Topr | -40 a 100 | ℃ | |
| Temperatura de armazenamento | Tstg | -55 a 125 | ℃ | ||
| Temperatura de solda da ligação (10 s) | Tsol | 260 | ℃ | ||
| Tensão do isolamento C.A., 1 minuto, ≤ 60% do R.H., Ta = 25℃ | BVS | (Nota 3) | 3750 | Vrms |
Nota: Usar-se continuamente sob cargas pesadas (por exemplo a aplicação da alta temperatura/atual/tensão e a mudança significativa na temperatura, etc.) pode fazer com que este produto diminua na confiança significativamente mesmo se as condições operacionais (isto é temperatura de funcionamento/atual/tensão, etc.) estão dentro das avaliações máximas absolutas.
Projete por favor a confiança apropriada em cima de rever o manual da confiança do semicondutor de Toshiba (“segurando” das precauções/“que Derating o conceito e os métodos”) e os dados de confiança individuais (isto é relatório de teste da confiança e taxa de falhas, etc. calculados).
Nota 1: Μs do ≤ 1 da largura de pulso (picowatt), 300 pps
Nota 2: Forma de onda exponencial. Μs do ≤ 2 da largura de pulso, ≤ de f 10 quilohertz, VCC = 20V, Ta = -40 a 100℃
Nota 3: Este dispositivo é considerado como um dispositivo do dois-terminal: Os pinos 1 e 3 shorted junto, e os pinos 4, 5 e 6 shorted junto.
Oferta conservada em estoque (venda quente)
| Número da peça. | Quantidade | Tipo | D/C | Pacote |
| SN74ALVC125DR | 12497 | SI | 11+ | SOP-14 |
| SN74ALVC164245DGGR | 4016 | SI | 15+ | TSS0P-48 |
| SN74ALVCH162373GR | 6196 | SI | 10+ | TSS0P-48 |
| SN74AUP1G14DCKR | 86000 | SI | 14+ | SOT-353 |
| SN74AVC4T774PWR | 17150 | SI | 16+ | TSSOP-16 |
| SN74CBT3244DWR | 6730 | SI | 16+ | SOP-20 |
| SN74F374DWR | 37000 | SI | 14+ | SOP-20 |
| SN74HC00N | 72000 | SI | 16+ | DIP-14 |
| SN74HC05DR | 96000 | SI | 16+ | SOP-14 |
| SN74HC157PWR | 73000 | SI | 05+ | TSSOP-16 |
| SN74HC164N | 26000 | SI | 16+ | DIP-14 |
| SN74HC20DR | 39000 | SI | 10+ | SOP-14 |
| SN74HC21DR | 48000 | SI | 97+ | SOP-14 |
| SN74HC240N | 6817 | SI | 16+ | DIP-20 |
| SN74HC244N | 13491 | SI | 16+ | DIP-20 |
| SN74HC273DWR | 8000 | SI | 08+ | SOP-20 |
| SN74HC273N | 13988 | SI | 16+ | DIP-20 |
| SN74HC273NSR | 13562 | SI | 16+ | SOP-20 |
| SN74HC32DR | 45000 | SI | 16+ | SOP-14 |
| SN74HC32N | 74000 | SI | 16+ | SOP14-5.2 |
| SN74HC373DWR | 43000 | SI | 15+ | SOP-20 |
| SN74HC4040PWR | 20403 | SI | 08+ | TSSOP-16 |
| SN74HC541PW | 39000 | SI | 07+ | TSSOP-20 |
| SN74HC541PWR | 87000 | SI | 04+ | TSSOP-20 |
| SN74HC573AN | 9373 | SI | 16+ | DIP-20 |
| SN74HC574N | 9444 | SI | 16+ | SOP-20 |
| SN74HC590AN | 10493 | SI | 15+ | DIP-16 |
| SN74HC595DWR | 17609 | SI | 02+ | SOP-16 |
| SN74LS04N | 11203 | SI | 15+ | SOP-14 |
| SN74LS05N | 7457 | SI | 95+ | SOP-14 |
W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G MORDEU Winbond TW SPI
PF48F4400P0VBQEK NOVO E ORIGINAL
Memória Flash ESTOQUE NOVO E ORIGINAL de IC de DSPIC30F3011-30I/PT
ESTOQUE NOVO E ORIGINAL DE IR2110PBF
Microplaqueta de IC da memória Flash de S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz
Do BOCADO instantâneo de série da microplaqueta 3V 8M de W25Q80DVSNIG circuito integrado duplo da memória de Spi do quadrilátero
Módulo IRF520 da movimentação PWM Controlador de MOS Tube Field Effect Single-Chip
MAX485, RS485 módulo TTL RS-485 ao módulo TTL a 485
SKY65336-11 NOVO E ORIGINAL
| Imagem | parte # | Descrição | |
|---|---|---|---|
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W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G MORDEU Winbond TW SPI |
FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gbit SPI - Quad I/O 104 MHz 7 ns 8-WSON (8x6)
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PF48F4400P0VBQEK NOVO E ORIGINAL |
FLASH - NOR (MLC) Memory IC 512Mbit CFI 52 MHz 110 ns 64-LBGA (11x13)
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Memória Flash ESTOQUE NOVO E ORIGINAL de IC de DSPIC30F3011-30I/PT |
dsPIC dsPIC™ 30F Microcontroller IC 16-Bit 30 MIPs 24KB (8K x 24) FLASH 44-TQFP (10x10)
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ESTOQUE NOVO E ORIGINAL DE IR2110PBF |
Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 14-DIP
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Microplaqueta de IC da memória Flash de S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz |
FLASH - NOR Memory IC 32Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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Do BOCADO instantâneo de série da microplaqueta 3V 8M de W25Q80DVSNIG circuito integrado duplo da memória de Spi do quadrilátero |
FLASH - NOR Memory IC 8Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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Módulo IRF520 da movimentação PWM Controlador de MOS Tube Field Effect Single-Chip |
N-Channel 100 V 9.2A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
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MAX485, RS485 módulo TTL RS-485 ao módulo TTL a 485 |
1/1 Transceiver Half RS422, RS485 8-uMAX/uSOP
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SKY65336-11 NOVO E ORIGINAL |
RF Front End 2.4GHz ISM 28-MCM (8x8)
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