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Microplaqueta 30dB do circuito integrado do atenuador de Digitas, 4-Bit C.C. - 2,0 gigahertz AT-220

fabricante:
Fabricante
Descrição:
Atenuador 20dB 0 hertz do RF ~ 18 gigahertz 50 ohms de Em-linha módulo de 1W SMA
Categoria:
Microplaqueta de IC da memória Flash
Preço:
Negotiate
Método do pagamento:
T/T, Western Union, Paypal
Especificações
Baixo produto da intermodulação:
+50 dBm IP3
Baixo consumo da alimentação de DC:
µW 50
Pacote:
SOIC-16 plástico
Estabilidade de temperatura +/--0,15 DB:
-40°C a +85°C
Destaque:

chip in electronics

,

small scale integrated circuits

Introdução

Atenuador de Digitas, 30 DB, gigahertz de 4-Bit DC-2.0 AT-220

Características Diagrama esquemático funcional

• Etapas da atenuação 2-dB a DB 30

• Precisão alta

• Baixo produto da intermodulação: +50 dBm IP3

• Baixo consumo da alimentação de DC: µW 50

• Pacote SOIC-16 plástico

• Empacotamento da fita e do carretel disponível

• Estabilidade de temperatura +/--0,15 DB: -40°C a +85°C

Descrição

M/A-COM AT-220 é 4 um bocado, atenuador digital do GaAs MMIC da etapa 2-dB em um pacote plástico da montagem da superfície da ligação do baixo custo SOIC 16. O AT-220 é serido idealmente para o uso onde a precisão alta, o interruptor rápido, o consumo mesmo da baixa potência e os baixos produtos da intermodulação são exigidos. As aplicações típicas incluem o equipamento de rádio e celular, LANs sem fio, equipamento de GPS e outros circuitos do ganho/controle nivelado.

O AT-220 é fabricado com um GaAs monolítico MMIC usando um processo maduro de 1 mícron. O processo caracteriza

passivation completo da microplaqueta para o desempenho e a confiança aumentados.

Pin Configuration

Pin No. Função Pin No. Função
1 VC1 9 RF2
2 VC1 10 Terra
3 VC2 11 Terra
4 VC2 12 Terra
5 VC3 13 Terra
6 VC3 14 Terra
7 VC4 15 Terra
8 VC4 16 RF1

Avaliações máximas absolutas 1

Parâmetro Máximo absoluto

Poder entrado:

50 megahertz

500-2000 megahertz

dBm +27

dBm +34

Tensão do controle -8,5 ≤ 5V do ≤ VC de V
Temperatura de funcionamento -40°C a +85°C
Temperatura de armazenamento -65°C a +150°C

1. Exceder todo o ou combinação destes limites pode causar permanente

dano a este dispositivo.

Especificações elétricas: Ta = 25°C, VC = 0 V/−5 V, Z0 = Ω 50

Parâmetro Condições de teste Frequência Unidades Minuto Tipo Máximo
Perda de inserção (estado da referência)

C.C. - 0,5 gigahertz

C.C. -1,0 gigahertz

C.C. -2,0 gigahertz

DB

DB

DB

--

--

--

1,5

1,6

1,8

1,7

1,8

2,1

Precisão 2 da atenuação

C.C. -1,0 gigahertz

C.C. -2,0 gigahertz

DB do ± (0,15 DB + 3% do ajuste de Atten no DB)

DB do ± (0,30 DB + 4% do ajuste de Atten no DB)

VSWR Relação -- 1.2:1 --
Trise, Tfall 10% a 90% RF, 90% a 10% RF -- nS -- 12 --
Tonelada, ricalhaço

Controle de 50% a 90% RF,

Controle de 50% a 10% RF

-- nS -- 18 --
Transeuntes Em-faixa -- milivolt -- 25 --
1 compressão do DB

Poder entrado

Poder entrado

0,05 gigahertz

0,5 - 2,0 gigahertz

dBm do dBm

--

--

20

28

--

--

IP2

Medido relativo ao poder entrado

(Para o dBm até +5 bicolor do poder de entrada)

0,05 gigahertz

0,5 - 2,0 gigahertz

dBm do dBm

--

--

45

68

--

--

IP3

Medido relativo ao poder entrado

(Para o dBm até +5 bicolor do poder de entrada)

0,05 gigahertz

0,5 - 2,0 gigahertz

dBm do dBm

--

--

40

50

--

--

Controle atual |VC| = 5 V µA -- 100

2. As especificações da precisão da atenuação aplicam-se com controle diagonal negativo e baixo aterrar da indutância.

SOIC-16

Curvas de desempenho típicas

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