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Circuito integrado duplo CI TLC272CPWR dos amplificadores operacionais da precisão de Lincmos

fabricante:
Fabricante
Descrição:
Circuito 8-TSSOP do amplificador 2 do CMOS
Categoria:
Chips de circuito integrado
Preço:
Negotiation
Método do pagamento:
T/T, Western Union, Paypal
Especificações
Tensão de fonte:
18 V
Tensão entrada diferencial:
±VDD
Escala de tensão entrada:
– 0,3 V a VDD
Corrente entrada:
±5 miliampère
Corrente de saída:
±30 miliampère
Destaque:

chip in electronics

,

small scale integrated circuits

Introdução

Descrição

Os amplificadores operacionais duplos da precisão TLC272 e TLC277 combinam uma vasta gama de categorias da tensão do offset da entrada com a baixa tração deslocada da tensão, impedância da entrada, de baixo nível de ruído altos, e as velocidades que aproximam aquelas de dispositivos de uso geral de BiFET. Estes dispositivos usam a tecnologia do  de LinCMOS do silicongate de Texas Instruments, que fornece a estabilidade deslocada da tensão que excede distante a estabilidade disponível os processos convencionais da metal-porta. A impedância extremamente alta da entrada, as baixas correntes diagonais, e as taxas de pântano altas fazem estes dispositivos costeffective ideais para as aplicações reservadas previamente para produtos de BiFET e de NFET. Quatro categorias deslocadas da tensão estão disponíveis (C-sufixo e tipos do Eu-sufixo), variando do TLC272 barato (10 milivolt) à elevada precisão TLC277 (µV 500). Estas vantagens, em combinação com a boa rejeção do comum-modo e rejeção da tensão de fonte, fazem a estes dispositivos uma boa escolha para projetos avançados novos assim como para promover projetos existentes.

diagrama esquemático equivalente (cada amplificador

A informação da microplaqueta de TLC272Y esta microplaqueta, quando montada corretamente, indica as características similares ao TLC272C. A compressão térmica ou a ligação ultrassônica podem ser usadas nas almofadas de ligação do lubrificar-alumínio. As microplaquetas podem ser montadas com cola Epoxy condutora ou uma pré-forma do ouro-silicone.

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