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Motorista duplo novo & original MIC 4426BN do MOSFET do Baixo-lado 1.5A-Peak

fabricante:
Fabricante
Descrição:
Motorista IC Inverting 8-PDIP da porta do Baixo-lado
Categoria:
Chips de circuito integrado
Preço:
Negotiate
Método do pagamento:
T/T, Western Union, Paypal
Especificações
Tensão de fonte:
+22V
Tensão entrada:
CONTRA + 0.3V à terra – 5V
TEMPERATURA DE JUNÇÃO:
150°C
Temperatura de armazenamento:
– 65°C a +150°C
Temperatura da ligação (segundo 10.):
300°C
Corrente de saída máxima:
1.5A
Destaque:

small scale integrated circuits

,

integrated components

Introdução

MIC4426/4427/4428

Motorista duplo do MOSFET do Baixo-lado 1.5A-Peak

Descrição geral

A família MIC4426/4427/4428 é motoristas duplos altamente confiáveis do MOSFET do lowside fabricados em um processo de BiCMOS/DMOS para o consumo e a eficiência elevada da baixa potência. Estes motoristas traduzem TTL ou o CMOS entrou níveis da lógica aos níveis de tensão da saída que balançam dentro de 25mV da fonte ou da terra positiva. Os dispositivos bipolares comparáveis são capazes do balanço somente dentro de 1V da fonte. O MIC4426/7/8 está disponível em três configurações: inversão dupla, noninverting duplo, e um que inverte mais uma saída noninverting. Os MIC4426/4427/4428 são substituições pino-compatíveis para o MIC426/427/428 e o MIC1426/1427/1428 com desempenho elétrico melhorado e projeto áspero (refira as lista da substituição do dispositivo na seguinte página). Podem suportar até 500mA da corrente reversa (tampouco polaridade) sem travar e até pontos de ruído 5V (uma ou outra polaridade) nos pinos à terra.

Pretendido primeiramente para MOSFETs do poder de condução, os motoristas MIC4426/7/8 são apropriados para conduzir outras cargas (capacitivo, resistive, ou indutivo) que exigem a baixo-impedância, a corrente máxima alta, e o tempo de comutação rápido. Outras aplicações incluem a condução de linhas pesadamente carregadas do pulso de disparo, de cabos coaxiais, ou de transdutores piezoelétricos. A única limitação da carga é que a dissipação de poder total do motorista não deve exceder os limites do pacote.

Características

• Construção de Bipolar/CMOS/DMOS

• Proteção da trava-acima à corrente do reverso de >500mA

• corrente de saída 1.5A-peak

• 4.5V à escala de funcionamento 18V

• Baixa corrente quieta da fonte

4mA na lógica 1 entrada

400µA na lógica 0 entradas

• Interruptores 1000pF em 25ns

• Tempos combinados da elevação e do rall

• impedância da saída 7Ω

• < 40ns="" typical="" delay="">

• independente do ponto inicial da Lógica-entrada da tensão de fonte

• proteção da Lógica-entrada – a 5V

• capacidade equivalente típica da entrada 6pF

• offset máximo da saída 25mV da fonte ou da terra

• Substitui MIC426/427/428 e MIC1426/1427/1428

• Inversão dupla, noninverting duplo, e inverter configurações noninverting

• Proteção do ESD

Aplicações

• Motorista do MOSFET

• Linha motorista do pulso de disparo

• Motorista de cabo coaxial

• Motorista do transdutor de Piezoelectic

Diagrama funcional

Pin Configuration

Pin Description

Pin Number Pin Name Pin Function
1,8 NC conectado não internamente
2 INA O controle entrou A: Entrada compatível da lógica de TTL/CMOS.
3 Terra Terra
4 INB O controle entrou B: Entrada compatível da lógica de TTL/CMOS.
5 OUTB Saída B: Saída do totem do CMOS.
6 CONTRA Entrada da fonte: +4.5V a +18V
7 OUTA Saída A: Saída do totem do CMOS.

Avaliações máximas absolutas (nota 1)

Tensão de fonte (CONTRA) .................................................... +22V

Tensão entrada (VIN) ......................... CONTRA + 0.3V à terra – 5V

Temperatura de junção (TJ) ........................................ 150°C

Temperatura de armazenamento ............................... – 65°C a +150°C

Temperatura da ligação (segundo 10.) ...................................... 300°C

Avaliação do ESD, nota 3

Avaliações de funcionamento (nota 2)

Tensão de fonte (CONTRA) ..................................... +4.5V a +18V

Variação da temperatura (Ta)

(a) ........................................................ – 55°C a +125°C

(b) .......................................................... – 40°C a +85°C

Resistência térmica do pacote

ΘJA ............................................................ 130°C/W de PDIP

ΘJC ............................................................. 42°C/W de PDIP

ΘJA ........................................................... 120°C/W de SOIC

ΘJC ............................................................. 75°C/W de SOIC

ΘJC ......................................................... 250°C/W de MSOP

Circuitos do teste

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