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GaAs Ired & foto - transistor, controlador programável TLP504A-2

fabricante:
Fabricante
Categoria:
Chips de circuito integrado
Preço:
Negotiate
Método do pagamento:
T/T, Western Union, Paypal
Especificações
Pulse para a frente atual:
1 (100μs pulso, 100pps) A
Tensão reversa:
5 V
TEMPERATURA DE JUNÇÃO:
°C 125
Tensão de Collector−Emitter:
55 V
Tensão de Emitter−collector:
7 V
Corrente de coletor:
50 miliampères
Variação da temperatura do armazenamento:
°C −55~150
Variação da temperatura de funcionamento:
°C −55~100
Destaque:

chip in electronics

,

integrated components

Introdução

Photocoupler GaAs Ired & Photo−Transistor de TOSHIBA

TLP504A, TLP504A−2

C.A. dos controladores programáveis/relé de circuito integrado módulo de DC−Input

TOSHIBA TLP504A e TLP504A−2 consiste em um photo−transistor acoplado opticamente a um diodo emitindo-se infravermelho do arsenieto de gálio.

O TLP504A oferece dois canais isolados em um pacote plástico do MERGULHO de oito ligações, quando o TLP504A−2 fornecer quatro canais isolados em um pacote plástico do MERGULHO dezesseis.

• Tensão de Collector−emitter: 55 V (mínimos)

• Relação de transferência atual: grau (mínimo) GB de 50%: 100% (mínimo)

• Tensão do isolamento: 2500 Vrms (mínimo)

• O UL reconheceu: UL1577,

No. E67349 do arquivo

Pin Configurations (vista superior)

Avaliações máximas absolutas (Ta = 25°C)

Característica Símbolo Avaliação Unidade
TLP504A TLP504A−2
Diodo emissor de luz Corrente dianteira SE 60 50 miliampère
Derating atual dianteiro ΔIF/°C −0.7 (≥ de Ta 39°C) −0.5 (≥ de Ta 25°C) miliampère/°C
Pulse para a frente atual IFP 1 (100μs pulso, 100pps)
Tensão reversa VR 5 V
Temperatura de junção Tj 125 °C
Detector Tensão de Collector−emitter VCEO 55 V
Tensão de Emitter−collector VECO 7 V
Corrente de coletor IC 50 miliampère
Dissipação de poder do coletor (1 circuito) PC 150 100 mW

Derating da dissipação de poder do coletor

(1 ≥ do circuito Ta 25°C)

ΔPC/°C -1,5 -1,0 mW/°C
Temperatura de junção Tj 125 °C
Variação da temperatura do armazenamento Tstg −55~150 °C
Variação da temperatura de funcionamento Topr −55~100 °C
Temperatura de solda da ligação Tsol 260 (10 s) °C
Dissipação de poder total do pacote RT 250 150 mW

Derating total da dissipação de poder do pacote

(≥ de Ta 25°C)

ΔPT/°C -2,5 -1,5 mW/°C
Tensão do isolamento BVS

2500 (C.A., 1min., R.H.≤ 60%)

(Nota 1)

Vrms

Nota: Usar-se continuamente sob cargas pesadas (por exemplo a aplicação da alta temperatura/atual/tensão e a mudança significativa na temperatura, etc.) pode fazer com que este produto diminua na confiança significativamente mesmo se as condições operacionais (isto é temperatura de funcionamento/atual/tensão, etc.) estão dentro das avaliações máximas absolutas.

Projete por favor a confiança apropriada em cima de rever o manual da confiança do semicondutor de Toshiba (“segurando” das precauções/“que Derating o conceito e os métodos ") e os dados de confiança individuais (isto é relatório de teste da confiança e taxa de falhas, etc. calculados).

Nota 1: O dispositivo considerou uns dois dispositivo terminal: Os pinos laterais do diodo emissor de luz shorted junto e os pinos do lado do detector shorted junto.

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